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题名多级多分辨快速后向投影成像算法
被引量：11
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作者
李杨寰
宋千
王鹏宇
金添
周智敏
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机构
国防科技大学电子科学与工程学院
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期518-524,共7页
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基金
国家自然科学基金项目(No.60972121)
高等学校全国优秀博士学位论文作者专项资金资助项目(No.2009091)
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文摘
子孔径划分是提高BP算法效率的基本途径,如何对其孔径进行划分以及如何确定各子图像分辨率,将直接决定算法的效率.本文从频域带宽和距离误差两方面分析图像分辨率选取的限制条件,并得到了一个统一的关于孔径长度和分辨率的条件.然后基于这一条件阐述了超宽带信号条件下如何通过选取分辨率和对子孔径进行划分以达到最高的计算效率,并依此条件提出了多级多分辨快速后向投影成像算法(MSMRBP)以适应非均匀孔径的成像条件.最后给出了外场实验结果以证明本文结论的正确性.
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关键词
子孔径
极坐标成像
非均匀孔径
快速后向投影算法
运动补偿
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Keywords
sub-aperture
imaging in polar coordinates
nonuniform aperture
FFBP
motion compensation
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分类号
TN957
[电子电信—信号与信息处理]
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题名N×N星形平板介质光波导耦合器的理论与设计
被引量：5
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作者
邱亮
丁竹
杨祥林
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机构
南京邮电学院光纤通讯研究所
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
1997年第4期307-313,326,共8页
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基金
国家自然科学基金
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文摘
本文研究N×N星形平板介质波导耦合器的分析模型与设计问题。运用菲涅耳衍射理论，给出传输效率的一般表达式。引入拉格朝日乘法算子，给出了实现最大传输所要求的端口最佳激励函数。并先后分析了均匀与非均匀端口耦合器的传输特性与结构参量的关系。求得了最佳传输时的结构参数。分别举例设计了两种耦合器的端口效率和传输特性。
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关键词
传输效率
光波导
耦合器
光纤通信
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Keywords
Transmission efficiency, aperture efficiency, aperture function, Uniform aperture, nonuniform aperture
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分类号
TN814.6
[电子电信—信息与通信工程]
TN622.2
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题名非均匀转动目标ISAR成像越距离单元走动校正算法
被引量：1
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作者
于化林
朱敏慧
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机构
中国科学院电子研究所微波成像技术国家级重点实验室
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出处
《测试技术学报》
2007年第6期493-499,共7页
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文摘
逆合成孔径雷达(ISAR)在对舰船等大尺寸目标成像时,散射点越距离单元走动校正是关键问题之一.现有的算法都是基于目标的均匀旋转模型的,但实际中目标的转动常常是不均匀的.针对这一问题,本文给出了一种基于子回波包络校正的越距离单元走动校正算法,该算法通过对散射点子回波包络平移来校正距离走动,与转动模型无关,在目标非均匀转动情况下能校正散射点越距离单元走动.
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关键词
ISAR
越距离单元走动
非均匀转动
包络平移
子孔径
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Keywords
inverse synthetic radar
migration through range resolution cell
nonuniform rotation
envelope shifting
sub-aperture
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分类号
TN959.72
[电子电信—信号与信息处理]
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题名硅应力非均匀氧化影响因素及其在纳米孔制作中的应用
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作者
向伟玮
文莉
刘勇
张秋萍
何利文
褚家如
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机构
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
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出处
《纳米技术与精密工程》
EI
CAS
CSCD
2011年第4期316-321,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(50605061)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目
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文摘
在微等离子体无掩模加工研究中,单晶硅在分布应力作用下的非均匀氧化现象决定了采用各向同性刻蚀得到氧化硅空心针尖纳米孔的可行性和可靠性.以V型槽为对象,研究了单晶硅在槽尖端的非均匀氧化现象.利用高温下氧化硅的黏弹性特性,建立了硅在几何约束导致的分布应力作用下的热氧化模型.该模型表明,应力通过抑制氧元素在氧化硅层中的扩散和氧化反应速率来抑制氧化进行,从而非均匀的应力分布造成了非均匀的氧化层厚度.实验证明,硅在应力作用和几何约束下的热氧化,当氧化层厚度仅为160 nm时,不同温度下的厚度非均匀性基本一致,为72%左右;而当氧化厚度增长为1.1μm时,低温与高温下的厚度非均匀性差距显著增大,分别为42%和100%.分析表明,氧化层厚度非均匀性是应力生成与应力释放过程的综合作用结果,受到氧化温度和氧化时间两个可控因素的共同影响.在此基础上,利用硅在950℃下10 h的应力非均匀氧化及后续稀释氢氟酸的各向同性刻蚀成功制作出空心针尖阵列尖端直径为50 nm^200 nm的纳米孔.
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关键词
硅
应力
非均匀氧化
纳米孔
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Keywords
silicon
stress
nonuniform oxidation
nano-aperture
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分类号
TN305.5
[电子电信—物理电子学]
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