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DFT Study of the Transport Properties of Molecular Wire at Low Bias 被引量:1
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作者 齐元华 关大任 刘成卜 《Chinese Journal of Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2006年第3期326-330,共5页
Using the non-equilibrium Green functions (NEGF) and density functional theory (DFT) method, a calculation of the transport properties of the Au-di-thiol-benzene (DTB) sandwich system was performed. The results ... Using the non-equilibrium Green functions (NEGF) and density functional theory (DFT) method, a calculation of the transport properties of the Au-di-thiol-benzene (DTB) sandwich system was performed. The results show that both the remaining H atom at the end of the DTB molecule and the increased S-Au surface distance will decrease the electronic transport significantly. The applied bias would change the symmetry of the system electronic structure. Our result was qualitatively consistent with the experiment, but there existed a gap of three orders of magnitude, and this was attributed to the different coupling geometry between the theoretical work and the experiment. 展开更多
关键词 molecular wire non-equilibrium green functions transmission spectrum
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分子结点电子输运性质的理论研究 被引量:2
2
作者 牛秀明 齐元华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期6926-6931,共6页
采用基于密度泛函理论的非平衡态格林函数方法,研究了Pt-H2微结点在平衡态和低偏压下的电子输运行为,考察了电极-分子耦合形貌对结点输运性质的影响,并采用费曼路径概念从结点局域轨道出发分析了其输运特性.发现H2分子的反键轨道可以参... 采用基于密度泛函理论的非平衡态格林函数方法,研究了Pt-H2微结点在平衡态和低偏压下的电子输运行为,考察了电极-分子耦合形貌对结点输运性质的影响,并采用费曼路径概念从结点局域轨道出发分析了其输运特性.发现H2分子的反键轨道可以参与结点的低偏压电子输运,偏压可以通过改变系统局域分子轨道来影响其输运性质. 展开更多
关键词 分子结点 电子输运 非平衡态格林函数方法 透射谱
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锯齿形石墨烯带(7-ZGNR)输运性质的研究 被引量:2
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作者 颜浩然 霍新霞 +2 位作者 王畅 TERENCE K.S.W 王利光 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第8期463-466,共4页
采用基于密度泛函方法的非平衡格林函数,对无限长锯齿形石墨烯带(7-ZGNR)的态密度和输运性质进行了理论计算和模拟。结果表明,此石墨烯带的电子输运系数和其态密度有关,波峰与波谷分别相对应。此外,输运曲线近似在费密能级两边对... 采用基于密度泛函方法的非平衡格林函数,对无限长锯齿形石墨烯带(7-ZGNR)的态密度和输运性质进行了理论计算和模拟。结果表明,此石墨烯带的电子输运系数和其态密度有关,波峰与波谷分别相对应。此外,输运曲线近似在费密能级两边对称。由于宽度只有10nm左右,石墨烯带受量子效应的影响,对不同本征能量的电子的输运系数呈整数变化,相应的电导呈现阶跃式变化,其值均为量子电导G0的整数倍。另外,给石墨烯带加以0~1.5V的偏压,计算I-V曲线。结果发现,此石墨烯带在0~1.5V内的I-V曲线接近于线性,考虑到其带隙值较小,因此可认为7-ZGNR是金属型的锯齿形石墨烯带。采用类似的方法,可以判定其他石墨烯带的输运性质。 展开更多
关键词 非平衡格林函数 锯齿形石墨烯纳米带 输运性质 态密度 伏安曲线
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单壁碳纳米管吸附氧分子的电子输运性质理论研究 被引量:1
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作者 赵佩 郑继明 +2 位作者 陈有为 郭平 任兆玉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期794-799,共6页
用基于第一性原理的密度泛函理论和非平衡态格林函数方法对(4,4)单壁碳纳米管及其吸附氧气分子情况下的平衡态和非平衡态电导性质进行了研究.发现在小于2V的偏压下,系统对电压的增加呈现两种不同增长速率的电流响应,其中电压小于1.1V时... 用基于第一性原理的密度泛函理论和非平衡态格林函数方法对(4,4)单壁碳纳米管及其吸附氧气分子情况下的平衡态和非平衡态电导性质进行了研究.发现在小于2V的偏压下,系统对电压的增加呈现两种不同增长速率的电流响应,其中电压小于1.1V时电流增加速率较大;而当电压大于该值后,电流对电压增加速率变缓.吸附的氧分子提供双重的作用,一方面氧分子提供的能级有利于电子隧穿中心散射区;另一方面氧分子的电子态会破坏碳管的平移对称性,从而降低电子对系统的透射能力. 展开更多
关键词 单壁碳纳米管 氧分子吸附 电子输运 非平衡态格林函数
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[Cu_2Pt(npa)_4X_2](X=Cl^-,NCS^-)金属串配合物电子传输性质的研究 被引量:1
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作者 周沃华 陈蓉 +4 位作者 吴子文 丁丹丹 徐志广 许旋 罗一帆 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第11期1214-1218,共5页
使用密度泛函理论(BP86)结合非平衡态格林函数(NEGF)方法研究金属串配合物[Cu2Pt(npa)4X2](X=Cl-(1),NCS-(2);npa=2-naphthyridylphenylamine)的电子结构和电子传输性质,研究发现:(1)由于轴向配体NCS-与Cu的结合比Cl-的强,使配合物1的Cu... 使用密度泛函理论(BP86)结合非平衡态格林函数(NEGF)方法研究金属串配合物[Cu2Pt(npa)4X2](X=Cl-(1),NCS-(2);npa=2-naphthyridylphenylamine)的电子结构和电子传输性质,研究发现:(1)由于轴向配体NCS-与Cu的结合比Cl-的强,使配合物1的Cu—Cu键比2的强而Cu—Pt键比2的弱,故1的π*Pt dxz/yz轨道与π*Cu-Cu能级差ΔE比2小.(2)1和2的传输通道均是β自旋的π*轨道,主要由π*Cu-Cu和π*Pt dxz/yz轨道组合而成.ΔE越小π*越离域,传输能力越强.在负偏压下和正偏压小于0.15 V时,1的电流大于2;但正偏压大于0.15 V后2的β电流显著高于1.(3)2具有较好的整流效应.ΔE越大,Pt→Cu方向的传输越容易,整流效应越强.正偏压下2的电流显著大于负偏压下的电流,0.15 V后2的整流比比1高10~40倍.(4)因ΔEβ<ΔEα,α自旋通道传输能力小于β自旋的,1和2具有良好的自旋过滤效应(高达80%~99%). 展开更多
关键词 金属串配合物 密度泛函理论 非平衡态格林函数方法 电子传输 分子整流器
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卟啉分子整流器件的理论研究
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作者 金鑫 孙长山 +2 位作者 徐仲 赵丽丽 冯培勇 《广州化工》 CAS 2009年第9期158-160,共3页
使用密度泛函理论(DFT)与非平衡态格林函数(NEGF)相结合的方法研究了卟啉-烷(porphyrin-alkyl)、卟啉-苯(porphyrin-phenyl)、卟啉-炔(porphyrin-alkyne)三种分子的电压-电流曲线、分子隧穿谱等电学性质。结果显示,卟啉-炔分子的电子传... 使用密度泛函理论(DFT)与非平衡态格林函数(NEGF)相结合的方法研究了卟啉-烷(porphyrin-alkyl)、卟啉-苯(porphyrin-phenyl)、卟啉-炔(porphyrin-alkyne)三种分子的电压-电流曲线、分子隧穿谱等电学性质。结果显示,卟啉-炔分子的电子传递能力最强,其次是卟啉-苯分子,而卟啉-烷分子的导电性最差;但是,卟啉-烷和卟啉-苯分子具有明显的整流特性,而卟啉-炔分子几乎没有整流效果。 展开更多
关键词 卟啉 分子整流器件 密度泛函理论 非平衡态格林函数
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Quantum simulation study of double gate hetero gate dielectric and LDD doping graphene nanoribbon p–i–n tunneling FETs 被引量:2
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作者 王伟 岳工舒 +2 位作者 杨晓 张露 张婷 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2014年第6期47-52,共6页
We perform a theoretical study of the effects of the lightly doped drain (LDD) and high-k dielectric on the performances of double gate p-i-n tunneling graphene nanoribbon field effect transistors (TFETs). The mod... We perform a theoretical study of the effects of the lightly doped drain (LDD) and high-k dielectric on the performances of double gate p-i-n tunneling graphene nanoribbon field effect transistors (TFETs). The models are based on non-equilibrium Green's functions (NEGF) solved self-consistently with 3D-Poisson's equations. For the first time, hetero gate dielectric and single LDD TFETs (SL-HTFETs) are proposed and investigated. Simulation results show SL-HTFETs can effectively decrease leakage current, sub-threshold swing, and increase on-off current ratio compared to conventional TFETs and Si-based devices; the SL-HTFETs from the 3p + 1 family have better switching characteristics than those from the 3p family due to smaller effective masses of the former. In addition, comparison of scaled performances between SL-HTFETs and conventional TFETs show that SL-HTFETs have better scaling properties than the conventional TFETs, and thus could be promising devices for logic and ultra-low power applications. 展开更多
关键词 GNRFETs non-equilibrium green's functions (NEGF) p-i-n tunneling field-effect transistor(TFET) GNR width lightly doped drain hetero gate dielectric
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纳米双栅MOSFETs的量子格林函数模拟 被引量:1
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作者 王伟 孙建平 顾宁 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期917-919,共3页
采用一种量子动力学模型研究纳米MOSFET(场效应管)电流特性.该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解.使用该方法研究了纳米双栅MOSFET结构尺寸对电流特性的影响.模拟结果显示:越细长的沟道,器件的短沟效... 采用一种量子动力学模型研究纳米MOSFET(场效应管)电流特性.该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解.使用该方法研究了纳米双栅MOSFET结构尺寸对电流特性的影响.模拟结果显示:越细长的沟道,器件的短沟效应越弱,器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大.另外,通过分析器件不同区域的散射自能效应,得出减缓纳米双栅MOSFET电流性能下降的途径.所用模型具有概念清晰,求解稳定等特点.作为多体量子模型,本方法可应用于一维量子线及量子点阵列所构成的纳米器件,并有望在纳米MOSFET器件设计中得以应用. 展开更多
关键词 非平衡格林函数 双栅MOS 量子模型
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DFT study of the conductance of molecular wire:The effect of coupling geometry and intermolecular interaction on the transport properties
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作者 QI Yuanhua1,2, GUAN Daren1 & LIU Chengbu1 1. Institute of Theoretical Chemistry, Shandong University, Jinan 250100, China 2. School of Physics and Microelectronics, Shandong University, Jinan 250061, China 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 2006年第6期492-498,共7页
The density functional theory (DFT) combining with the non-equilibrium Green functions (NEGF) method is applied to the study of the electronic transport properties for a Di-thiol-benzene (DTB) molecule coupled to two ... The density functional theory (DFT) combining with the non-equilibrium Green functions (NEGF) method is applied to the study of the electronic transport properties for a Di-thiol-benzene (DTB) molecule coupled to two Au(111) surfaces. The dependence of the transport properties on the bias, the coupling geometry of the molecule-electrode interface, and the intermolecular interaction are examined in detail. The results show that the existence of the hydrogen atom at the end of the DTB molecule would significantly decrease the transmission coefficients, and then the differential conductance (dI/dV). By changing the position of the DTB molecule located between two electrodes a maximum value of calculated current is observed. It is also found that the intermolecular interaction will strongly influence the transport properties of the system studied. 展开更多
关键词 non-equilibrium green functions method transmission spectrum the molecular projected selfconsistent Hamiltonian projected density of state.
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采用有限元方法研究轻掺杂源漏结构对异质栅MOSFET的性能影响(英文) 被引量:1
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作者 王伟 张露 +5 位作者 王雪莹 朱畅如 张婷 李娜 杨晓 岳工舒 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期321-329,共9页
提出了一种轻掺杂源漏结构结合异质材料双栅结构的MOSFET(简称LDDS-HMG-MOSFET)。使用二维非平衡格林函数(NEGF)对该结构进行仿真,其中非平衡格林函数的计算使用有限元法(FEM)。仿真结果表明,在该新型结构中,异质栅结构能够降低漏电流... 提出了一种轻掺杂源漏结构结合异质材料双栅结构的MOSFET(简称LDDS-HMG-MOSFET)。使用二维非平衡格林函数(NEGF)对该结构进行仿真,其中非平衡格林函数的计算使用有限元法(FEM)。仿真结果表明,在该新型结构中,异质栅结构能够降低漏电流从而能够有效抑制漏极感应势垒较低效应(DIBL),LDDS结构能够增加有效栅长,有效抑制带带隧穿效应(BTBT)和热电子效应。因此,与传统单材料栅结构的MOSFET(简称C-MOSFET)相比,LDDS-HMG-MOSFET具有更加优越的性能、更低的漏电流和更大的开关电流比(Ion/Ioff)。 展开更多
关键词 非平衡格林函数 异质栅场效应晶体管 有限元方法 轻掺杂源漏
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半导体型单壁碳纳米管的电子输运特性
11
作者 宋久旭 杨银堂 +1 位作者 刘红霞 张骥 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期317-320,345,共5页
采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green functions,NEGF),对耦合于两个面心立方间的Al(111)电极间的(8,0)碳纳米管(Carbon nanotube,CNT)传输特性进行了计算。结果表明,在小偏压下(-40~40 mV),碳纳米管伏安特... 采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green functions,NEGF),对耦合于两个面心立方间的Al(111)电极间的(8,0)碳纳米管(Carbon nanotube,CNT)传输特性进行了计算。结果表明,在小偏压下(-40~40 mV),碳纳米管伏安特性与孤立碳纳米管的接近为零不同,而是接近为线性,这是耦合导致碳纳米管能级移动的结果。 展开更多
关键词 单壁碳纳米管 非平衡格林函数法 透射谱 输运特性
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