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新型稀磁半导体母体YCuSO第一性原理计算
被引量：
3
1
作者
冯山
陈浩泽
+1 位作者
李林先
张莉
《中国计量大学学报》
2017年第3期399-403,408,共6页
利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,计算了新型稀磁半导体母体YCuSO的能带结构和态密度以及介电函数、反射函数和吸收函数等光学性质.计算结果表明,YCuSO属于直接带隙半导体,禁带宽度约为1.22 eV.其费米面主要由Cu 3d和S...
利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,计算了新型稀磁半导体母体YCuSO的能带结构和态密度以及介电函数、反射函数和吸收函数等光学性质.计算结果表明,YCuSO属于直接带隙半导体,禁带宽度约为1.22 eV.其费米面主要由Cu 3d和S 3p层电子构成.YCuSO半导体晶体在80~90 nm处存在明显的光损失,在80~350 nm区间光反射较大,光吸收主要发生在50~680 nm区间,表明YCuSO在红外与远紫外波段具有潜在的应用价值.这些结果为实验室合成基于YCuSO母体、电荷自旋注入机制分离的新型稀磁半导体,进而研究其性质提供了依据.
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关键词
母体YCuSO
第一性原理计算
电子结构
光学性质
新型稀磁半导体
下载PDF
职称材料
题名
新型稀磁半导体母体YCuSO第一性原理计算
被引量：
3
1
作者
冯山
陈浩泽
李林先
张莉
机构
中国计量大学理学院
出处
《中国计量大学学报》
2017年第3期399-403,408,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.61376094)
文摘
利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,计算了新型稀磁半导体母体YCuSO的能带结构和态密度以及介电函数、反射函数和吸收函数等光学性质.计算结果表明,YCuSO属于直接带隙半导体,禁带宽度约为1.22 eV.其费米面主要由Cu 3d和S 3p层电子构成.YCuSO半导体晶体在80~90 nm处存在明显的光损失,在80~350 nm区间光反射较大,光吸收主要发生在50~680 nm区间,表明YCuSO在红外与远紫外波段具有潜在的应用价值.这些结果为实验室合成基于YCuSO母体、电荷自旋注入机制分离的新型稀磁半导体,进而研究其性质提供了依据.
关键词
母体YCuSO
第一性原理计算
电子结构
光学性质
新型稀磁半导体
Keywords
parent
YCuSO
first-principle
caculation
electronic
structure
optical
property
new
dilutedmagnetic
semiconductor
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新型稀磁半导体母体YCuSO第一性原理计算
冯山
陈浩泽
李林先
张莉
《中国计量大学学报》
2017
3
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