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组合P IN脉冲中子探测器的能量响应
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作者 杨洪琼 朱学彬 +6 位作者 杨建伦 李波均 彭太平 唐正元 杨高照 李林波 宋献才 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期508-510,共3页
组合P IN脉冲中子探测器由一对P IN半导体和中子辐射体组成。理论计算了CH2和235U分别作为中子辐射体的组合P IN脉冲中子探测器的灵敏度随中子能量的变化;用脉冲中子源实验测量了由CH2辐射体组成的探测器的14M eV中子灵敏度,实验结果与... 组合P IN脉冲中子探测器由一对P IN半导体和中子辐射体组成。理论计算了CH2和235U分别作为中子辐射体的组合P IN脉冲中子探测器的灵敏度随中子能量的变化;用脉冲中子源实验测量了由CH2辐射体组成的探测器的14M eV中子灵敏度,实验结果与计算符合很好。 展开更多
关键词 硅半导体 脉冲中子探测器 中子灵敏度 能量响应
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