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窄条边水油藏水驱后期孔隙分布及动用特征
被引量：
2
1
作者
肖康
姜汉桥
+2 位作者
范英彬
王倩
梁志山
《大庆石油地质与开发》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期129-133,共5页
基于江苏油田窄条状油藏孔隙分布规律、主控因素分析和不同类型岩心的驱替实验,应用水驱、聚合物驱、表活剂驱、聚表二元驱及弱凝胶驱等方式研究了剩余油动用规律。结果表明:窄条状油藏不同部位储层的孔隙变化特征不同,靠近边水部位的...
基于江苏油田窄条状油藏孔隙分布规律、主控因素分析和不同类型岩心的驱替实验,应用水驱、聚合物驱、表活剂驱、聚表二元驱及弱凝胶驱等方式研究了剩余油动用规律。结果表明:窄条状油藏不同部位储层的孔隙变化特征不同,靠近边水部位的较大孔隙的变化较大,腰部位次之,高部位最小;水驱倍数、孔喉大小、黏土矿物含量等是影响孔隙分布的主要因素;靠近边部的岩心适合弱凝胶驱,腰部位适合聚表二元驱,顶部在高速水驱或聚合物驱时效果较好。研究结果为剩余油挖潜提供了理论依据。
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关键词
窄条状
边水油藏
孔隙分布
剩余油挖潜
偏相关分析
物理实验
核磁共振
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职称材料
AlGaAs窄条型自脉冲半导体激光器的模拟设计
2
作者
伍冠洪
《湖南理工学院学报（自然科学版）》
CAS
2009年第3期52-55,共4页
采用一维计算模型对窄条型自脉冲激光器的结构进行了全面的模拟设计.数值计算模型基于有效折射率法和窄条型结构的自维持脉冲机理,在有源层载流子浓度调节下光场产生的自聚焦和散焦现象增强了自脉冲效应.多量子阱AlGaAs器件的设计输出...
采用一维计算模型对窄条型自脉冲激光器的结构进行了全面的模拟设计.数值计算模型基于有效折射率法和窄条型结构的自维持脉冲机理,在有源层载流子浓度调节下光场产生的自聚焦和散焦现象增强了自脉冲效应.多量子阱AlGaAs器件的设计输出自脉冲频率达到1.45GHz,完全符合实际器件参数.
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关键词
自脉冲
窄条型
半导体激光器
ALGAAS
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职称材料
全光3R中的窄条AlGaAs激光器自脉动研究
3
作者
王文轩
胡晓晨
《光电技术应用》
2008年第6期5-8,共4页
分析了利用窄条AlGaAs激光器的自持脉动来进行3R时钟恢复的原理,着重阐述F-P腔半导体激光器自持脉动产生的机理和条件,同时研究窄条AlGaAs激光器的结构参数对自持脉动的影响.在此基础上讨论了改变自脉动频率和提高输出光脉冲功率的方法...
分析了利用窄条AlGaAs激光器的自持脉动来进行3R时钟恢复的原理,着重阐述F-P腔半导体激光器自持脉动产生的机理和条件,同时研究窄条AlGaAs激光器的结构参数对自持脉动的影响.在此基础上讨论了改变自脉动频率和提高输出光脉冲功率的方法.最后提出了通过采用一种不规则窄条结构来提高激光器的输出光脉冲频率的方法,并使用仿真程序进行了仿真实验.结果表明,采用该结构可以比在同样条件下采用规则窄条结构获得更高频率的输出光脉冲.
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关键词
时钟恢复
窄条AlGaAs激光器
自持脉动
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职称材料
窄条AlGaAs激光器自脉动的研究及结构设计
4
作者
王文轩
胡晓晨
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期12-14,共3页
阐述了窄条A1GaAs激光器自脉动现象产生的机理和条件,利用激光器的自脉动可以进行全光3R时钟提取,并研究改变激光器的结构参数对自脉动现象的影响规律。重点提出了一种在窄条AlGaAs激光器中加入量子阱结构的方法,通过仿真实验表明,该种...
阐述了窄条A1GaAs激光器自脉动现象产生的机理和条件,利用激光器的自脉动可以进行全光3R时钟提取,并研究改变激光器的结构参数对自脉动现象的影响规律。重点提出了一种在窄条AlGaAs激光器中加入量子阱结构的方法,通过仿真实验表明,该种含量子阱结构的窄条AlGaAs激光器能够提高输出光脉冲的频率和功率,减少输出光脉冲散光特性。
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关键词
窄条AlGaAs激光器
自脉动
时钟提取
量子阱
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职称材料
窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子
5
作者
张瑞英
董杰
+3 位作者
周帆
冯志伟
边静
王圩
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期399-402,共4页
报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积 (NSAG- MOCVD)成功生长的 In P系材料 ,并提出在 NSAG-MOCVD生长研究中 ,引入填充因子的必要性 ,给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式 ,计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系 .与...
报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积 (NSAG- MOCVD)成功生长的 In P系材料 ,并提出在 NSAG-MOCVD生长研究中 ,引入填充因子的必要性 ,给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式 ,计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系 .与实验结果作了比较 ,发现 In P的速率增强因子主要取决于掩膜宽度 ,In Ga As P的速率增强因子不仅与掩膜宽度有关 ,同时也依赖于生长厚度 。
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关键词
窄条宽选区生长
MOCVD
磷化铟系材料
速率增强因子
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职称材料
题名
窄条边水油藏水驱后期孔隙分布及动用特征
被引量：
2
1
作者
肖康
姜汉桥
范英彬
王倩
梁志山
机构
中国石油大学石油工程学院
中国石化胜利油田东胜集团股份公司
中国石油长庆油田第三采油厂
出处
《大庆石油地质与开发》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期129-133,共5页
基金
国家科技重大专题项目(2011ZX05030-005)
文摘
基于江苏油田窄条状油藏孔隙分布规律、主控因素分析和不同类型岩心的驱替实验,应用水驱、聚合物驱、表活剂驱、聚表二元驱及弱凝胶驱等方式研究了剩余油动用规律。结果表明:窄条状油藏不同部位储层的孔隙变化特征不同,靠近边水部位的较大孔隙的变化较大,腰部位次之,高部位最小;水驱倍数、孔喉大小、黏土矿物含量等是影响孔隙分布的主要因素;靠近边部的岩心适合弱凝胶驱,腰部位适合聚表二元驱,顶部在高速水驱或聚合物驱时效果较好。研究结果为剩余油挖潜提供了理论依据。
关键词
窄条状
边水油藏
孔隙分布
剩余油挖潜
偏相关分析
物理实验
核磁共振
Keywords
narrow
stripe
edge-water
oil
reservoir
pore
distribution
remained
oil
tapping
partial
correlation
analysis
physical
experiment
nuclear
magnetic
resonance
分类号
TE357 [石油与天然气工程—油气田开发工程]
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职称材料
题名
AlGaAs窄条型自脉冲半导体激光器的模拟设计
2
作者
伍冠洪
机构
长沙理工大学物理与电子科学学院
出处
《湖南理工学院学报（自然科学版）》
CAS
2009年第3期52-55,共4页
文摘
采用一维计算模型对窄条型自脉冲激光器的结构进行了全面的模拟设计.数值计算模型基于有效折射率法和窄条型结构的自维持脉冲机理,在有源层载流子浓度调节下光场产生的自聚焦和散焦现象增强了自脉冲效应.多量子阱AlGaAs器件的设计输出自脉冲频率达到1.45GHz,完全符合实际器件参数.
关键词
自脉冲
窄条型
半导体激光器
ALGAAS
Keywords
Self-pulsation
narrow
stripe
semiconductor
lasers
AlGaAs
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
全光3R中的窄条AlGaAs激光器自脉动研究
3
作者
王文轩
胡晓晨
机构
南京信息职业技术学院南京广播电视网络有限公司
出处
《光电技术应用》
2008年第6期5-8,共4页
文摘
分析了利用窄条AlGaAs激光器的自持脉动来进行3R时钟恢复的原理,着重阐述F-P腔半导体激光器自持脉动产生的机理和条件,同时研究窄条AlGaAs激光器的结构参数对自持脉动的影响.在此基础上讨论了改变自脉动频率和提高输出光脉冲功率的方法.最后提出了通过采用一种不规则窄条结构来提高激光器的输出光脉冲频率的方法,并使用仿真程序进行了仿真实验.结果表明,采用该结构可以比在同样条件下采用规则窄条结构获得更高频率的输出光脉冲.
关键词
时钟恢复
窄条AlGaAs激光器
自持脉动
Keywords
clock
recovery
narrow
-
stripe
AlGaAs
lasers
self-sustained
pulsation
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
窄条AlGaAs激光器自脉动的研究及结构设计
4
作者
王文轩
胡晓晨
机构
南京信息职业技术学院通信学院
南京广播电视网络有限公司传输部
出处
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期12-14,共3页
文摘
阐述了窄条A1GaAs激光器自脉动现象产生的机理和条件,利用激光器的自脉动可以进行全光3R时钟提取,并研究改变激光器的结构参数对自脉动现象的影响规律。重点提出了一种在窄条AlGaAs激光器中加入量子阱结构的方法,通过仿真实验表明,该种含量子阱结构的窄条AlGaAs激光器能够提高输出光脉冲的频率和功率,减少输出光脉冲散光特性。
关键词
窄条AlGaAs激光器
自脉动
时钟提取
量子阱
Keywords
narrow
-
stripe
AlGaAs
lasers
self-sustained
pulsation
clock-picking
quantum
well
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子
5
作者
张瑞英
董杰
周帆
冯志伟
边静
王圩
机构
中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期399-402,共4页
基金
国家 973计划资助项目 ( No.G2 0 0 0 0 6 83-1)~~
文摘
报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积 (NSAG- MOCVD)成功生长的 In P系材料 ,并提出在 NSAG-MOCVD生长研究中 ,引入填充因子的必要性 ,给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式 ,计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系 .与实验结果作了比较 ,发现 In P的速率增强因子主要取决于掩膜宽度 ,In Ga As P的速率增强因子不仅与掩膜宽度有关 ,同时也依赖于生长厚度 。
关键词
窄条宽选区生长
MOCVD
磷化铟系材料
速率增强因子
Keywords
narrow
-
stripe
selective
area
growth
MOCVD
In
P-
based
m
aterials
growth
rate
enhancem
ent
factor
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
窄条边水油藏水驱后期孔隙分布及动用特征
肖康
姜汉桥
范英彬
王倩
梁志山
《大庆石油地质与开发》
CAS
CSCD
北大核心
2015
2
下载PDF
职称材料
2
AlGaAs窄条型自脉冲半导体激光器的模拟设计
伍冠洪
《湖南理工学院学报（自然科学版）》
CAS
2009
0
下载PDF
职称材料
3
全光3R中的窄条AlGaAs激光器自脉动研究
王文轩
胡晓晨
《光电技术应用》
2008
0
下载PDF
职称材料
4
窄条AlGaAs激光器自脉动的研究及结构设计
王文轩
胡晓晨
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
下载PDF
职称材料
5
窄条宽MOCVD选区生长InP系材料的速率增强因子
张瑞英
董杰
周帆
冯志伟
边静
王圩
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
下载PDF
职称材料
已选择
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