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高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度 被引量:2
1
作者 李弋 刘斌 +7 位作者 谢自力 张荣 修向前 江若琏 韩平 顾书林 施毅 郑有炓 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1259-1260,1263,共3页
应用高分辨X射线衍射技术研究了MOCVD在宝石衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构。测量(105)非对称面的倒易空间图获得量子阱结构的应变状态。由(002)面三轴衍射0级卫星峰峰位结合应变状况计算获得InGaN层中In含量,从(002)面的ω/2θ衍... 应用高分辨X射线衍射技术研究了MOCVD在宝石衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构。测量(105)非对称面的倒易空间图获得量子阱结构的应变状态。由(002)面三轴衍射0级卫星峰峰位结合应变状况计算获得InGaN层中In含量,从(002)面的ω/2θ衍射谱以及小角反射谱获得多量子阱的一个周期的厚度,GaN层和InGaN层的厚度比。最后通过X射线动力学拟合的方法从(002)面的ω/2θ三轴衍射谱获得In的精确含量是25.5%,InGaN势阱层的精确厚度是1.67nm,GaN阻挡层的精确厚度是22.80nm。 展开更多
关键词 INGAN/GAN 多量子阱 In组分 X射线衍射
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GaAs/AlGaAs量子阱中飞秒超快光谱研究 被引量:1
2
作者 吴松江 王丹翎 +4 位作者 蒋红兵 杨宏 龚旗煌 季亚林 陆卫 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期360-364,共5页
使用飞秒白光泵浦探测技术研究了GaAs/AlGaAs量子阱材料中超快动力学行为。采用了非共振泵浦,激发了不满足Δn=2p选择定则的光跃迁,观察到差分透射谱中的3个吸收跃迁饱和漂白峰。一方面,E1导带上的电子和HH2上的空穴通过各种散射和复合... 使用飞秒白光泵浦探测技术研究了GaAs/AlGaAs量子阱材料中超快动力学行为。采用了非共振泵浦,激发了不满足Δn=2p选择定则的光跃迁,观察到差分透射谱中的3个吸收跃迁饱和漂白峰。一方面,E1导带上的电子和HH2上的空穴通过各种散射和复合而快速减少,E1-HH2和E2-HH2峰迅速衰减;另一方面,由于处在带边的复杂性致使E1-HH1峰在25ps内几乎没有衰减。与掺杂多量阱材料的驰豫动力学比较可知,超晶格中由于阱间波函数的耦合使载流子的散射加快;而掺杂多量子阱中由于捕获中心的存在使载流子的复合加快。 展开更多
关键词 GAAS/ALGAAS量子阱 飞秒超快光谱 超晶格 多量子阱 差分透射谱 载流子驰豫
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GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料的光致发光特性 被引量:1
3
作者 王卿璞 程兴奎 +1 位作者 陈寿花 马洪磊 《山东大学学报(自然科学版)》 CSCD 1999年第1期53-57,共5页
采用MOCVD技术制备了GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料,对其进行了光致发光特性的测量,结果观察到5个发光峰,其波数分别为υ=9600cm-1,12020cm-1,12240cm-1,12550cm-1和130... 采用MOCVD技术制备了GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料,对其进行了光致发光特性的测量,结果观察到5个发光峰,其波数分别为υ=9600cm-1,12020cm-1,12240cm-1,12550cm-1和13070cm-1。 展开更多
关键词 多量子阱 光致发光 半导体 砷化镓 镓铝砷化合物
原文传递
新型多量子阱锁模半导体激光器的实验研究 被引量:1
4
作者 杜荣建 向望华 《光电子技术与信息》 2006年第1期14-19,共6页
报道了一种主要用作超高速光纤通信系统的新型半导体光源,即超高速10 GHz、多量子阱、主被动混合锁模的半导体激光器,其输出光波长可精确稳定在1550 nm,这对实现光时分复用技术高质量超短相干脉冲光源具有重要意义。
关键词 锁模半导体激光器 光纤通信 超短光脉冲 多量子阱
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MOCVD制备GaAs/AlGaAs多量子阱的光致发光特性
5
作者 程兴奎 黄柏标 +3 位作者 徐现刚 刘士文 任红文 蒋民华 《山东大学学报(自然科学版)》 CSCD 1996年第4期471-475,共5页
对MOCVD生长的GaAs/A1_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了光致发光特性的测量,结果观察到三个发光峰:位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.481eV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发... 对MOCVD生长的GaAs/A1_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了光致发光特性的测量,结果观察到三个发光峰:位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.481eV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发光峰是GaAs阱层中Si(Ga)原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。对三种发光峰的能量位置进行了理论计算,其计算结果与实验测量所得到的值符合较好。 展开更多
关键词 MOCVD 多量子阱 光致发光 砷化镓 ALGAAS
全文增补中
Ultraviolet and Deep-Ultraviolet Emissions from c-MgxZn1-xO/MgO Ultrathin Multilayer Heterostructures
6
作者 余萍 邱东江 吴惠桢 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2005年第10期2688-2691,共4页
Cubic phase MgxZn1-x O/MgO multilayer heterostructures (c-Mgx Zn1-xO/MgO MHs) are grown on Si(100) and quartz substrates by reactive electron beam evaporation at low temperature (250℃). Cross-sectional morpholo... Cubic phase MgxZn1-x O/MgO multilayer heterostructures (c-Mgx Zn1-xO/MgO MHs) are grown on Si(100) and quartz substrates by reactive electron beam evaporation at low temperature (250℃). Cross-sectional morphology observations by field-emission scanning electron microscopy show the legible interfaces of c-MgxZn1-x O/MgO MHs. X-ray diffraction demonstrates that c-MgxZn1-xO/MgO MHs are of highly (100)-oriented. Optical trans- mission investigations of c-Mgx Zn1-x O/MgO MHs on quartz substrates reveal the coexistence of the two phases, c-MgxZn1-xO and MgO. Photoluminescence examination indicates the emergence of deep-ultraviolet emission centred at about 290nm along with the blue shift of the ultraviolet emission from 405nm to 39Gnm when the nominal thickness of c-MgxZn1-xO well layers of MHs is diminished to 3nm, which is probably originated from quantum confinement effect. 展开更多
关键词 ZNO/ZNMGO multiquantum wells THIN-FILMS ROOM-TEMPERATURE QUANTUM-wells BAND-GAP MGXZN1-XO GROWTH SUBSTRATE SI(111) ALLOY
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InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器中势垒生长温度的研究 被引量:2
7
作者 霍大云 石震武 +2 位作者 张伟 唐沈立 彭长四 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期334-340,共7页
InGaAs/AlGaAs量子阱是中波量子阱红外探测器件最常用的材料体系,本文以结构为2.4 nm In_(0.35)Ga_(0.65)As/40 nm Al_(0.34)Ga_(0.66)As的多量子阱材料为研究对象,利用分子束外延生长,固定InGaAs势阱的生长温度(465°C),然后依次... InGaAs/AlGaAs量子阱是中波量子阱红外探测器件最常用的材料体系,本文以结构为2.4 nm In_(0.35)Ga_(0.65)As/40 nm Al_(0.34)Ga_(0.66)As的多量子阱材料为研究对象,利用分子束外延生长,固定InGaAs势阱的生长温度(465°C),然后依次升高分别选取465,500,545,580°C生长AlGaAs势垒层,从而获得四个不同的多量子阱样品.通过荧光光谱以及X射线衍射测试系统分析了势垒层生长温度对InGaAs量子阱发光和质量的影响,并较准确地给出了量子阱大致的温致弛豫轨迹:465—500°C,开始出现相分离,但缺陷水平较低,属弹性弛豫阶段;500—545°C,相分离加剧并伴随缺陷水平的上升,属弹性弛豫向塑性弛豫过渡阶段;545—580°C,相分离以及缺陷水平急剧上升,迅速进入塑性弛豫阶段,尤其是580°C时,量子阱的材料质量被严重破坏. 展开更多
关键词 中波红外探测 量子阱红外探测器件 InGaAs/AlGaAs多量子阱 温致弛豫
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InGaAsP多量子阱微盘激光器 被引量:2
8
作者 宁永强 武胜利 +5 位作者 王立军 林久龄 刘云 傅德惠 刘育梅 金亿鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期345-348,共4页
采用湿法化学腐蚀在气源MBEInGaAsP多量子阱材料上制作了微盘型激光器,直径8μm的微盘激光器表现出很好的单模激射特性,阈值泵浦功率为170μW,激射线宽为1.5nm.
关键词 微盘激光器 多量子阱 铟镓砷磷 单模激射特性
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Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉 被引量:2
9
作者 程兴奎 黄柏标 +3 位作者 徐现刚 任红文 刘士文 蒋民华 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期692-694,共3页
由电子波干涉的观点出发 ,理论分析指出 :多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态 .通过红外光激发 ,量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰 .理论计算出的吸收峰位置与实验测量到的结果相当一致 ,并且理... 由电子波干涉的观点出发 ,理论分析指出 :多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态 .通过红外光激发 ,量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰 .理论计算出的吸收峰位置与实验测量到的结果相当一致 ,并且理论估计的吸收峰强弱也与实验结果一致 . 展开更多
关键词 多量子阱 电子干涉 砷化镓 ALGAAS
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GaAs/AlGaAs多量子阱器件均匀性研究 被引量:1
10
作者 余晓中 《红外技术》 CSCD 北大核心 1999年第3期14-18,共5页
从几个方面研究了GaAs/AIGaAs多量子阱红外探测器的均匀性,找到了影响其均匀性的几个因素,为今后的工作奠定了基础。
关键词 多量子阱 红外探测器 均匀性 焦平面阵列
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新型InGaAs/InP多量子阱异质结构掺杂超晶格光波导调制器
11
作者 林洪榕 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期210-215,共6页
提出一种新型的InGaAs/InP多量子阱异质结构掺杂超晶格光波导调制器。这种结构的器件结合了多量子阱大的光吸收非线性和掺杂超晶格低激发强度的优点,因此具有低驱动偏压差、高通断比率和高的调制响应速率。低的驱动偏压差、小的器件尺... 提出一种新型的InGaAs/InP多量子阱异质结构掺杂超晶格光波导调制器。这种结构的器件结合了多量子阱大的光吸收非线性和掺杂超晶格低激发强度的优点,因此具有低驱动偏压差、高通断比率和高的调制响应速率。低的驱动偏压差、小的器件尺寸以及通过扩散形成的分隔接触电极结构(因此可以和传统的平面加工技术兼容),使这种器件特别适合于作为大规模光电集成的单元光调制器和光开关。 展开更多
关键词 多量子阱 掺杂超晶格 光波导调制器
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CdTe/ZnTe多量子阱光双稳器件的研究
12
作者 黄培中 张俊 潘光启 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第6期127-131,共5页
介绍了由分子束外延技术生长的CdTe/ZnTe多量子阱光双稳器件的工作原理以及制作、结构、测试方法及测试结果,在532nmn波长下两个样品都观察到了典型的光双稳态现象.
关键词 超晶格 多量子阱 光双稳态器件 半导体
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多量子阱的电子干涉及引起的光电流特性
13
作者 程兴奎 周均铭 黄绮 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期166-168,共3页
根据电子干涉理论分析指出 :多量子阱结构势垒以上的电子 ,由于其干涉效应形成一些分立的弱干涉非定域态。当存在光激发时 ,量子阱中基态电子可跃迁到这些弱干涉非定域态上 ,在外电场作用下形成光电流谱的多峰结构。理论计算出的几个光... 根据电子干涉理论分析指出 :多量子阱结构势垒以上的电子 ,由于其干涉效应形成一些分立的弱干涉非定域态。当存在光激发时 ,量子阱中基态电子可跃迁到这些弱干涉非定域态上 ,在外电场作用下形成光电流谱的多峰结构。理论计算出的几个光电流峰位置与实验测量的结果符合较好。 展开更多
关键词 多量子阱 电子干涉 光电流特性 电子波动
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调制掺杂Al_(0.27)Ga_(0.73)As/GaAs多量子阱结构的光致发光 被引量:2
14
作者 程兴奎 CHINV.W.L. +3 位作者 OSOTCHANT. TANSYEYT.L. VAUGHANM.R. GRIFFITHSG.J. 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期345-349,共5页
在调制掺杂(Si)Al0.27Ga0.73As/GaAs多量子阱结构的光致发光谱中,观测到一个强发光峰及多个低能弱发光峰.强发光峰是量子阱中基态电子与重空穴复合,即激子复合形成的,其低温发光线形可用Voigt函数拟合.低能弱峰是势垒层Al0.27Ga0... 在调制掺杂(Si)Al0.27Ga0.73As/GaAs多量子阱结构的光致发光谱中,观测到一个强发光峰及多个低能弱发光峰.强发光峰是量子阱中基态电子与重空穴复合,即激子复合形成的,其低温发光线形可用Voigt函数拟合.低能弱峰是势垒层Al0.27Ga0.73As中DX中心能级上的电子跃迁到SiAs原子而引起,由此确定DX中心有四个能级,其激活能分别为0.35、037、0.39、0. 展开更多
关键词 调制掺杂 多量子阱 光致发光 半导体 结构
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激光辐照GaAs膜和GaAs多量子阱反射光强的观测
15
作者 王德煌 王威礼 刘剑 《北京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1994年第5期579-582,共4页
实验观测了He-Ne激光辐照不掺杂GaAs膜和GaAs多量子阱的反射光强,对比研究了实验的结果。
关键词 量子阱 激光辐照 砷化镓
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高功率1.31μm AlGaInAs应变多量子阱DFB激光器
16
作者 杨新民 李同宁 +3 位作者 刘涛 周宁 金锦炎 李晓良 《光通信研究》 北大核心 1999年第6期44-46,59,共4页
采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构,同1.31μmAlGaInAs/InP应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在25℃时,管芯最大输出功率超过50mW,阈值电流范围在13-20mA之间,发光面斜效率高于0.... 采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构,同1.31μmAlGaInAs/InP应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在25℃时,管芯最大输出功率超过50mW,阈值电流范围在13-20mA之间,发光面斜效率高于0.45mW/mA,边模抑制比超过35dB,室温中值寿命大于3*10^5小时。 展开更多
关键词 ALGAINAS 应变多量子阱 DFB激光器
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AM-VSB光纤1310nm波段750 MHz CATV传输系统
17
作者 诸波 陆毓胜 《南京邮电学院学报》 2000年第2期83-85,90,共4页
对AM VSB光纤 75 0MHzCATV系统的非线性补偿技术以及DFB激光器的APC和ATC电路进行了讨论和设计。给出了研制的DFB光发射机及接收机的特性及实测结果。对光发射机的关键技术即预失真校正技术进行了论述 ,给出了研制的预失真电路的实测结... 对AM VSB光纤 75 0MHzCATV系统的非线性补偿技术以及DFB激光器的APC和ATC电路进行了讨论和设计。给出了研制的DFB光发射机及接收机的特性及实测结果。对光发射机的关键技术即预失真校正技术进行了论述 ,给出了研制的预失真电路的实测结果。在 6 0路PAL制信号同时传输条件下 ,CSO改善 2~ 4dB ,CTB改善 5~ 7dBc。 展开更多
关键词 AM-VSB光纤 有线电视 传输系统
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几种新型的光电器件 被引量:1
18
作者 张佐兰 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期28-35,共8页
描述用SOI技术制造的光耦合MOS继电器和多量子阱长波长红外探测器,以及集成异质结晶体管和激光二极管于一体的高增益、高灵敏的光电子开关器件。文中着重介绍这些器件的结构、制造工艺和器件特性,并对其进行了讨论。
关键词 红外探测器 多量子阱 光电器件
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InGaAsP多量子阱结构激光器阱数设计与制备
19
作者 陈龙海 陈松岩 +2 位作者 彭宇恒 刘式墉 黄美纯 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1996年第5期700-704,共5页
针对目前多量子阱激光器结构设计中,忽略了载流子在每个阱内的注入不均匀性的问题,从油松方程和电流连续方程出发,提出每个阱单独考虑的计算方法,从而比较精确地计算出多量子阱激光器的净增益,给出多量子阱激光器的最佳阱数选择,... 针对目前多量子阱激光器结构设计中,忽略了载流子在每个阱内的注入不均匀性的问题,从油松方程和电流连续方程出发,提出每个阱单独考虑的计算方法,从而比较精确地计算出多量子阱激光器的净增益,给出多量子阱激光器的最佳阱数选择,根据设计结果,生长了InGaAsP分别限制量子阱结构.利用质子轰击制得条形量子阱激光器,实现室温连续工作.阈值电流为60mA,激射波长为1.52μm,单面输出外微分量子效率为36%. 展开更多
关键词 多量子阱激光器 净增益 载流子注入不均匀性
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多量子阱(MQW)增益导引锁相列阵激光器
20
作者 张兴德 张宝顺 《长春光学精密机械学院学报》 1994年第4期9-12,共4页
本文利用分子束外延(MBE)生长的多量子阱(MQW)晶片,通过二氧化硅(SiO2)掩模、Zn扩散等一系列工艺,实现十条增益导引激光器销相列阵。实验中观察到列阵器件远场图形呈双瓣状,单面连续最大输出功率为35mw,阈值电流为44mA,在脉... 本文利用分子束外延(MBE)生长的多量子阱(MQW)晶片,通过二氧化硅(SiO2)掩模、Zn扩散等一系列工艺,实现十条增益导引激光器销相列阵。实验中观察到列阵器件远场图形呈双瓣状,单面连续最大输出功率为35mw,阈值电流为44mA,在脉冲状态下测得中心波长为7910。 展开更多
关键词 多量子阱 半导体激光器 锁相列阵 激光器
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