对倍增型共振隧穿弱光探测器(RTDPD,resonant tunneling diode as photodetector)的噪声性能进行研究。设计了具有倍增区的RTDPD结构。对探测器电流-电压(I-V)特性的模拟发现,加入倍增区以后探测器的光电流和暗电流均被放大,其峰值电流...对倍增型共振隧穿弱光探测器(RTDPD,resonant tunneling diode as photodetector)的噪声性能进行研究。设计了具有倍增区的RTDPD结构。对探测器电流-电压(I-V)特性的模拟发现,加入倍增区以后探测器的光电流和暗电流均被放大,其峰值电流增大了1.7倍。对RTDPD的噪声分布模拟发现,1/f噪声比散粒噪声和热噪声高出10个数量级左右。对倍增区的电场强度和过剩噪声因子进行了模拟,并计算了过剩噪声的功率谱密度。分析了倍增型RTDPD的总噪声,并对有、无倍增区时RTDPD的噪声等效功率进行了计算。结果显示,倍增区引入的噪声不仅不会影响探测器有效信号的提取,而且提高了探测器响应弱光的能力。展开更多
为了提高量子环红外探测器(Quantum Ring Infrared Photodetector,QRIP)的灵敏度,抑制QRIP的暗电流,提出了一种具有倍增区、量子环吸收层以及Al_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.1)Ga_(0.9)As双势垒结构的倍增型QRIP结构。基于量子环的三维薛定...为了提高量子环红外探测器(Quantum Ring Infrared Photodetector,QRIP)的灵敏度,抑制QRIP的暗电流,提出了一种具有倍增区、量子环吸收层以及Al_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.1)Ga_(0.9)As双势垒结构的倍增型QRIP结构。基于量子环的三维薛定谔方程建立了QRIP的数值模型,并对QRIP的光电特性进行了仿真。仿真结果表明,倍增型QRIP的响应度可以达到40 A/W,归一化探测率可以达到2×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。展开更多
文摘对倍增型共振隧穿弱光探测器(RTDPD,resonant tunneling diode as photodetector)的噪声性能进行研究。设计了具有倍增区的RTDPD结构。对探测器电流-电压(I-V)特性的模拟发现,加入倍增区以后探测器的光电流和暗电流均被放大,其峰值电流增大了1.7倍。对RTDPD的噪声分布模拟发现,1/f噪声比散粒噪声和热噪声高出10个数量级左右。对倍增区的电场强度和过剩噪声因子进行了模拟,并计算了过剩噪声的功率谱密度。分析了倍增型RTDPD的总噪声,并对有、无倍增区时RTDPD的噪声等效功率进行了计算。结果显示,倍增区引入的噪声不仅不会影响探测器有效信号的提取,而且提高了探测器响应弱光的能力。
文摘为了提高量子环红外探测器(Quantum Ring Infrared Photodetector,QRIP)的灵敏度,抑制QRIP的暗电流,提出了一种具有倍增区、量子环吸收层以及Al_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.1)Ga_(0.9)As双势垒结构的倍增型QRIP结构。基于量子环的三维薛定谔方程建立了QRIP的数值模型,并对QRIP的光电特性进行了仿真。仿真结果表明,倍增型QRIP的响应度可以达到40 A/W,归一化探测率可以达到2×10^(10)cm·Hz^(1/2)/W。
