多层片式ZnO压敏电阻器内电极材料研究 被引量：4

1

作者 钟明峰 苏达根 庄严 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期8-9,共2页

把三种不同钯银比例的浆料用作多层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)的内电极材料,并研究了它们对MLCV电性能的影响。结果表明:含钯内电极材料的压敏电阻的电性能,明显优于纯银内电极的压敏电阻。压敏电阻的限制电压与压敏电压比(Vc/V1mA)及漏电... 把三种不同钯银比例的浆料用作多层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)的内电极材料,并研究了它们对MLCV电性能的影响。结果表明:含钯内电极材料的压敏电阻的电性能,明显优于纯银内电极的压敏电阻。压敏电阻的限制电压与压敏电压比(Vc/V1mA)及漏电流(IL)随着钯含量的升高而减小;非线性系数(α)、峰值电流(Ip)及能量耐量(ET),随着钯含量的升高而提高。分析认为,随着内电极材料中Ag含量的升高,Ag+的扩散增加,导致晶粒电阻增加,即施主浓度(Nd)减少,势垒高度(■)升高,致使MLCV的电性能劣化。 展开更多

关键词 电子技术 多层片式压敏电阻器 电性能 内电极材料 钯含量

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多层片式压敏电阻器及其应用 被引量：5

2

作者 钟明峰 钱皆 庄严 《电子元器件应用》 2002年第7期7-9,13,共4页

多层片式压敏电阻器已被广泛应用于IC保护,CMOS、MOSFET器件的保护以及汽车电子线路保护等方面;其生片材料、内电极组成、电极形状、叠层结构以及表面处理等也有很大的发展。

关键词 片式压敏电阻器 材料 应用 生片材料 氧化锌 钛酸锶 钛酸钡 碳化硅 内电极材料 表面处理

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ZnO压敏陶瓷液相低温烧结技术的研究进展 被引量：4

3

作者 叶祖勋 吕文中 +2 位作者 汪小红 梁飞 朱建华 《计算机与数字工程》 2006年第4期101-104,共4页

阐述了ZnO压敏陶瓷烧结过程中的液相传质机构,重点论述了传统铋系ZnO压敏材料的液相低温烧结研究方向,以及钒系和玻璃系两种新型ZnO压敏材料的低温液相烧结及其存在的问题。

关键词 叠层片式压敏电阻 低温烧结 液相烧结

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低温烧结多层片式ZnO压敏电阻内电极Ag扩散对电性能的影响 被引量：4

4

作者 钟明峰 苏达根 +1 位作者 庄严 陈志雄 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1373-1378,共6页

研究了低温烧结多层片式ZnO压敏电阻的Pd-Ag内电极中Ag扩散对电性能的影响.发现当含Ag量不超过90%时,仍具有较好的电性能;但含Ag量再继续增加,电性能逐渐变差,内电极为纯Ag时,电性能严重恶化.反映晶界势垒电容的电容量随含Ag量的增加而... 研究了低温烧结多层片式ZnO压敏电阻的Pd-Ag内电极中Ag扩散对电性能的影响.发现当含Ag量不超过90%时,仍具有较好的电性能;但含Ag量再继续增加,电性能逐渐变差,内电极为纯Ag时,电性能严重恶化.反映晶界势垒电容的电容量随含Ag量的增加而减小.伏安特性和复数阻抗分析表明,随着内电极中含Ag量增加,Ag扩散进入ZnO晶格加剧,降低了施主浓度,导致ZnO晶粒电阻过分增大,而使多层片式ZnO压敏电阻的电性能劣化. 展开更多

关键词 多层压敏电阻器 低温烧结 银扩散 晶粒电阻 电性能

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叠层片式ZnO压敏电阻器研究进展 被引量：2

5

作者 郭汝丽 方亮 +2 位作者 周焕福 王成 覃远东 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期64-67,共4页

叠层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)具有体积小、通流容量大、响应速度快、表面安装性好和易实现低压化等优点,其广泛应用于电子和电力系统中。介绍了叠层片式ZnO压敏电阻器的生片材料和内电极材料的研究现状,分析了当前工艺中存在的电极扩散... 叠层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)具有体积小、通流容量大、响应速度快、表面安装性好和易实现低压化等优点,其广泛应用于电子和电力系统中。介绍了叠层片式ZnO压敏电阻器的生片材料和内电极材料的研究现状,分析了当前工艺中存在的电极扩散问题,并提出了其解决的办法,同时指出了叠层片式ZnO压敏电阻器向低压化、小型化、集成化及低成本化方向发展的趋势。 展开更多

关键词 叠层片式 ZNO压敏电阻器 综述 低温烧结 压敏电阻材料

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叠层片式ZnO压敏电阻器配方研究

6

作者 唐斌 祝忠勇 赖杨 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第12期44-45,共2页

研究了以ZnO-Bi2O3-SiO2系为基础,适当添加Co、Mn、Sb、Cr、Ni等金属氧化物的叠层片式ZnO压敏电阻器配方。通过严格控制Bi2O3及SiO2的含量,较好地解决了瓷料与银鈀内电极的共烧问题,且电性能优良。其瓷料的特点是烧结温度低(<1050℃)... 研究了以ZnO-Bi2O3-SiO2系为基础,适当添加Co、Mn、Sb、Cr、Ni等金属氧化物的叠层片式ZnO压敏电阻器配方。通过严格控制Bi2O3及SiO2的含量,较好地解决了瓷料与银鈀内电极的共烧问题,且电性能优良。其瓷料的特点是烧结温度低(<1050℃),产品非线性系数高(≥25),泄漏电流小(<5μA),限制电压低(V1A/V1mA<1.70),通流能量大(≥1800A/cm2)。 展开更多

关键词 电子技术 叠层片式压敏电阻器 ZnO-Bi2O3-SiO2系 配方 性能 研究

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纯Ag内电极高性能多层片式压敏电阻器的研制 被引量：1

7

作者 唐斌 陈加旺 +1 位作者 岑权进 陈加增 《现代技术陶瓷》 CAS 2012年第2期15-17,共3页

通过采用独特的Zn-Bi-Sb-Si-Ti配方体系,并在此配方体系中加入稀土材料Er2O3,可实现瓷体材料在950℃以下烧结;同时通过采用850℃的银浆作为内电极,按常规的片式压敏生产工艺,可生产出纯Ag内电极高性能多层片式压敏电阻器。其压敏电压为3... 通过采用独特的Zn-Bi-Sb-Si-Ti配方体系,并在此配方体系中加入稀土材料Er2O3,可实现瓷体材料在950℃以下烧结;同时通过采用850℃的银浆作为内电极,按常规的片式压敏生产工艺,可生产出纯Ag内电极高性能多层片式压敏电阻器。其压敏电压为39V,非线性系数为30以上,泄漏电流2μA以下,做成0805尺寸的器件,其峰值电流(8/20μS)可达100A,能量耐量(10/1000μS)可达0.3J。 展开更多

关键词 纯Ag内电极 高性能 多层片式压敏电阻器 液相烧结

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粉体颗粒细度对多层片式氧化锌压敏电阻器性能的影响 被引量：1

8

作者 钟明峰 苏达根 庄严 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期117-119,122,共4页

通过调整 Bi_2O_3、Sb_2O_3、TiO_2、B_2O_3、BaCO_3等少量添加剂的掺量,可在低温880℃下与10%Pd-90%Ag内电极共烧,制得性能优良的多层片式氧化锌压敏电阻器(ZnO MLCV)。主要采用两种不同颗粒细度的 ZnO 粉体来研究粉体颗粒细度对多层... 通过调整 Bi_2O_3、Sb_2O_3、TiO_2、B_2O_3、BaCO_3等少量添加剂的掺量,可在低温880℃下与10%Pd-90%Ag内电极共烧,制得性能优良的多层片式氧化锌压敏电阻器(ZnO MLCV)。主要采用两种不同颗粒细度的 ZnO 粉体来研究粉体颗粒细度对多层片式氧化锌压敏电阻器性能的影响。研究发现适当地使用部分超细 ZnO 粉体,改善 ZnO 粉体的颗粒分布,再使用适量的磷酸酯作为分散剂,可以流延制得较致密、平整、均匀的膜片,从而制得瓷体的致密性较高,且非线性系数较高、漏电流较低、峰值电流及能量耐量较高的多层片式压敏电阻器;而 ZnO 粉体颗粒粒径太大及过细,都会影响膜片的质量,进而影响多层片式压敏电阻器的性能。XRD 衍射分析发现 ZnO 粉体颗粒细度的改变对瓷体的物相组成无明显影响。 展开更多

关键词 多层片式压敏电阻器 粉体颗粒细度 膜片质量 电性能

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低温烧结多层片式ZnO压敏电阻内电极Ag含量对电性能的影响(英文)

9

作者 钟明峰 苏达根 +1 位作者 庄严 陈志雄 《广西大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2005年第3期242-247,共6页

研究了低温烧成多层片式ZnO压敏电阻的内电极中Ag扩散进入ZnO晶格对电性能的影响.研究发现内电极中Ag含量严重影响低温烧结多层片式压敏电阻的电性能.当内电极含Ag量为70%时,具有最好的电性能;而内电极为纯Ag时,电性能最差,压敏电压和... 研究了低温烧成多层片式ZnO压敏电阻的内电极中Ag扩散进入ZnO晶格对电性能的影响.研究发现内电极中Ag含量严重影响低温烧结多层片式压敏电阻的电性能.当内电极含Ag量为70%时,具有最好的电性能;而内电极为纯Ag时,电性能最差,压敏电压和限制电压过分地升高,漏电流增大,非线性系数减小.反映晶界势垒电容的电容量随内电极中Ag含量的升高而减小.伏安特性和复数阻抗分析表明,随着内电极中Ag含量的升高,Ag扩散进入ZnO晶格加剧,降低了施主浓度Nd,导致ZnO晶粒电阻增大,以及晶界势垒高度和耗尽层宽度增加,使得多层片式ZnO压敏电阻的电性能变差. 展开更多

关键词 多层压敏电阻器 低温烧结 银含量 晶粒电阻 电性能

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高频用高性能片式压敏电阻器研制

10

作者 唐斌 周庆波 +1 位作者 李强 岑权进 《电子科学技术》 2015年第3期274-277,共4页

通过对瓷体配方、流延厚度、介质层层数、电镀电流的试验,研究了它们对多层片式压敏电阻器电性能影响。研制出了超低电压、超低电容、超低泄漏电流多层片式压敏电阻器,其压敏电压极低(≤5V)、电容量极小(≤1pF)、泄漏电流极小(≤0.1μA)。

关键词 高频 多层片式压敏电阻器 超低 电性能

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叠层片式ZnO压敏电阻器及其在ESD保护中的应用

11

作者 雷鸣 成鹏飞 李盛涛 《电子元器件应用》 2002年第7期14-16,38,共4页

介绍叠层片式ZnO压敏电阻器的性能特点和应用范围,论述了其对电路进行ESD保护的基本原理及其在高频线路中的最优化设置,指出其发展方向应为低电容和超低电容化。

关键词 叠层片式 氧化锌压敏电阻器 ESD 静电放电 保护

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多层片式ZnO压敏电阻器的现状与发展方向 被引量：16

12

作者 王兰义 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第7期42-45,共4页

基于国内外多层片式ZnO压敏电阻器的研究及应用,介绍了多层片式ZnO压敏电阻器的结构(阵列及模块)、材料组成(ZnO-Bi2O3系、ZnO-玻璃系、ZnO-V2O5系及ZnO-Pr6O11系等)、电极材料、生产工艺(流延和电镀)等现状,并就多层片式ZnO压敏电阻器... 基于国内外多层片式ZnO压敏电阻器的研究及应用,介绍了多层片式ZnO压敏电阻器的结构(阵列及模块)、材料组成(ZnO-Bi2O3系、ZnO-玻璃系、ZnO-V2O5系及ZnO-Pr6O11系等)、电极材料、生产工艺(流延和电镀)等现状,并就多层片式ZnO压敏电阻器的工艺和技术发展趋势提出了见解。 展开更多

关键词 多层片式ZnO压敏电阻器 压敏材料 电极材料 生产技术

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低温烧结多层片式压敏电阻器 被引量：1

13

作者 钟明峰 苏达根 庄严 《广州化工》 CAS 2005年第1期28-30,共3页

通过对压敏粉体进行DSC分析 ,确定低温烧结配方的较佳烧成温度在 95 0℃附近 ,以 10 %钯 - 90 %银的合金为内电极 ,制得电性能良好的多层压敏电阻器。扫描电镜分析发现其晶粒尺寸约为 3～ 6 μm ,大小较为均匀。XRD分析表明低温烧结的... 通过对压敏粉体进行DSC分析 ,确定低温烧结配方的较佳烧成温度在 95 0℃附近 ,以 10 %钯 - 90 %银的合金为内电极 ,制得电性能良好的多层压敏电阻器。扫描电镜分析发现其晶粒尺寸约为 3～ 6 μm ,大小较为均匀。XRD分析表明低温烧结的瓷体具有类似高温烧结的瓷体的物相组成 ,即ZnO相、尖晶石相 (SP)Zn7Sb2 O12 、焦绿石相 (PY)Zn2 Bi3 Sb3 O14 以及 β -Bi2 O3 、γ -Bi2 O3 等富Bi相。由于在内电极中大大降低了的贵重金属钯的使用量 ,大大地降低了生产成本。 展开更多

关键词 多层片式压敏电阻器 低温烧结 低成本

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片式叠层压敏电阻器的发展和应用 被引量：1

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作者 张道礼 姜胜林 +1 位作者 黎步银 周东祥 《现代技术陶瓷》 CAS 1998年第4期31-33,40,共4页

本文论述了国外开发的几种片叠层压敏电阻(MCV)的结构、特性及当前的发展方向,介绍了这类压敏电阻器在集成电路保护、汽车电路保护和CMOS器件保护等方面的应用。

关键词 压敏电阻器 片式 叠层结构 电阻器

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