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CSD法在亲水性的FTO基板上制备BiFeO3薄膜及其电性能的研究 被引量：3
1
作者 程蒙 谈国强 +2 位作者 夏傲 任慧君 王艳 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期250-252,共3页
利用化学溶液沉积法在亲水性的FTO基板上制备BiFeO3薄膜。利用XRD、FE-SEM、XPS、Agi-lent E4980A精密LCR仪及TF-Analyzer2000等分析手段对BiFeO3薄膜进行表征。结果表明,薄膜为纯相的结晶良好的多晶BiFeO3薄膜,由100～300nm的BiFeO3晶... 利用化学溶液沉积法在亲水性的FTO基板上制备BiFeO3薄膜。利用XRD、FE-SEM、XPS、Agi-lent E4980A精密LCR仪及TF-Analyzer2000等分析手段对BiFeO3薄膜进行表征。结果表明,薄膜为纯相的结晶良好的多晶BiFeO3薄膜,由100～300nm的BiFeO3晶粒紧密的堆积而成,表面均匀平整。薄膜厚度为450nm。Fe的氧化态为Fe3+,并没有Fe2+出现。在10kHz时,介电常数和损耗分别为134和0.005。薄膜的剩余极化率为0.58μC/cm2,在0～250kV/cm的测试电场下漏导电流步伐保持在10-6 A/cm2以下。 展开更多
关键词 BIFEO3 多铁薄膜 化学溶液沉积法 亲水性
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