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复合外场中磁光薄膜(BiTm)_3(FeGa)_5O_(12)缺陷周围磁畴壁的形貌特征
1
作者
曾文光
邓雪儿
林长净
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期611-614,共4页
用自组装系统记录了外场分别为匀速率增加的直流磁场、低频交变磁场和它们同时存在时,磁光薄膜(BiTm)3(FeGa)5O12一种缺陷周围磁畴壁的形貌特征。分析表明:三种不同取向磁畴壁的交界处往往是磁光薄膜的缺陷所在处;在低频交变场下,该缺...
用自组装系统记录了外场分别为匀速率增加的直流磁场、低频交变磁场和它们同时存在时,磁光薄膜(BiTm)3(FeGa)5O12一种缺陷周围磁畴壁的形貌特征。分析表明:三种不同取向磁畴壁的交界处往往是磁光薄膜的缺陷所在处;在低频交变场下,该缺陷区域出现无畴条块或区域,在直流场中无此现象。在低频交变场以及复合外场下该缺陷周围磁畴壁形成椭圆形图案。
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关键词
复合外场
磁光薄膜
(BiTm)3(FeGa)5O12
缺陷
磁畴壁
形貌特征
复合外场
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职称材料
题名
复合外场中磁光薄膜(BiTm)_3(FeGa)_5O_(12)缺陷周围磁畴壁的形貌特征
1
作者
曾文光
邓雪儿
林长净
机构
东莞理工学院计算机系
香港城市大学物理与材料科学系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期611-614,共4页
文摘
用自组装系统记录了外场分别为匀速率增加的直流磁场、低频交变磁场和它们同时存在时,磁光薄膜(BiTm)3(FeGa)5O12一种缺陷周围磁畴壁的形貌特征。分析表明:三种不同取向磁畴壁的交界处往往是磁光薄膜的缺陷所在处;在低频交变场下,该缺陷区域出现无畴条块或区域,在直流场中无此现象。在低频交变场以及复合外场下该缺陷周围磁畴壁形成椭圆形图案。
关键词
复合外场
磁光薄膜
(BiTm)3(FeGa)5O12
缺陷
磁畴壁
形貌特征
复合外场
Keywords
magneto-optic
thin
film
defect
morphology
of
domain
walls
composite
field
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
TQ58 [理学—物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
复合外场中磁光薄膜(BiTm)_3(FeGa)_5O_(12)缺陷周围磁畴壁的形貌特征
曾文光
邓雪儿
林长净
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
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职称材料
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