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题名高效率X波段GaN MMIC功率放大器的研制
被引量：2
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作者
崔玉兴
王民娟
付兴昌
马杰
倪涛
蔡树军
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
专用集成电路重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期513-516,共4页
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文摘
突破了GaN MMIC功率放大器的设计、制造、测试等关键技术,研制成功X波段GaN MMIC功率放大器。设计及优化了电路拓扑结构及电路参数,放大器芯片采用了国产外延材料及标准芯片制作工艺。单片功率放大器包含两级放大电路,采用了功率分配及合成匹配电路,输入输出阻抗均为50Ω。制作了微波测试载体及夹具,最终实现了X波段GaN MMIC功率放大器微波参数测试。在8.7～10.9 GHz频率范围内,该功率放大器输出功率大于16 W,功率增益大于14 dB,增益波动小于0.4 dB,输入驻波比小于2∶1,功率附加效率大于40%,带内效率最高达52%。
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关键词
功率放大器
器件模型
氮化镓
X波段
单片微波集成电路
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Keywords
power amplifier
device model
GaN
X-band
monolithic microwave integratedcircuit （mmic）
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722.75
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