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半导体/超晶格分布布拉格反射镜的特性研究
被引量：
2
1
作者
晏长岭
钟景昌
+3 位作者
赵英杰
苏伟
黎荣晖
任春燕
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期289-293,共5页
在n+ GaAs (10 0 )衬底上由分子束外延技术 (MBE)生长了以 [GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/ [GaAs/AlAs]半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) ,并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量。从实验获得的DBR的反射谱...
在n+ GaAs (10 0 )衬底上由分子束外延技术 (MBE)生长了以 [GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/ [GaAs/AlAs]半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) ,并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量。从实验获得的DBR的反射谱中得出 ,其反射谱中心波长为 85 0nm ,19周期此DBR的峰值反射率高达 99 5 % ,反射带宽度为 90nm左右。与此同时 ,由自行设计的二次钨丝掩模质子注入形成 15× 15 μm2 正方形电流注入区对 p型DBR的串联电阻进行了测量 ,克服了化学湿腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点。实验得出此 p型DBR的串联电阻仅为 5 0Ω左右。由此可见 ,此DBR在保持高的反射率的同时具有较低的串联电阻。最后 ,对DBR的串联电阻与温度关系的实验研究表明 ,此DBR的串联电阻受温度的影响不大。
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关键词
分布布拉格反射镜
DBR
超晶格
分子束外延
mbe
串联电阻
半导体激光器
特性研究
GAAS/ALAS
砷化镓/砷化铝
下载PDF
职称材料
光调制反射谱作为MBE生长中原位检测手段的应用
2
作者
刘兴权
陆卫
+5 位作者
万明芳
陈效双
查访星
严立平
史国良
沈学础
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第11期67-68,74,共3页
本文介绍了光调制光谱（ＰＲ）在ＭＢＥ生长中原位光谱检测中的应用．利用了光调制光谱（ＰＲ）本身特有的在室温下有很高的灵敏度，并进一步与ＭＢＥ系统有效结合，为ＭＢＥ生长原位光谱检测增添了一种可行的手段．
关键词
光调制反射射谱
mbe
原位检测
半导体材料
下载PDF
职称材料
题名
半导体/超晶格分布布拉格反射镜的特性研究
被引量：
2
1
作者
晏长岭
钟景昌
赵英杰
苏伟
黎荣晖
任春燕
机构
长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期289-293,共5页
文摘
在n+ GaAs (10 0 )衬底上由分子束外延技术 (MBE)生长了以 [GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/ [GaAs/AlAs]半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) ,并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量。从实验获得的DBR的反射谱中得出 ,其反射谱中心波长为 85 0nm ,19周期此DBR的峰值反射率高达 99 5 % ,反射带宽度为 90nm左右。与此同时 ,由自行设计的二次钨丝掩模质子注入形成 15× 15 μm2 正方形电流注入区对 p型DBR的串联电阻进行了测量 ,克服了化学湿腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点。实验得出此 p型DBR的串联电阻仅为 5 0Ω左右。由此可见 ,此DBR在保持高的反射率的同时具有较低的串联电阻。最后 ,对DBR的串联电阻与温度关系的实验研究表明 ,此DBR的串联电阻受温度的影响不大。
关键词
分布布拉格反射镜
DBR
超晶格
分子束外延
mbe
串联电阻
半导体激光器
特性研究
GAAS/ALAS
砷化镓/砷化铝
Keywords
distributed
Bragg
reflector(DBR)
superlattice
molecular
beam
expitaxy
(
mbe
)
reflection
spectrum
series
resistance
分类号
TN304.205 [电子电信—物理电子学]
TN248.2
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职称材料
题名
光调制反射谱作为MBE生长中原位检测手段的应用
2
作者
刘兴权
陆卫
万明芳
陈效双
查访星
严立平
史国良
沈学础
机构
上海技术物理研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第11期67-68,74,共3页
文摘
本文介绍了光调制光谱（ＰＲ）在ＭＢＥ生长中原位光谱检测中的应用．利用了光调制光谱（ＰＲ）本身特有的在室温下有很高的灵敏度，并进一步与ＭＢＥ系统有效结合，为ＭＢＥ生长原位光谱检测增添了一种可行的手段．
关键词
光调制反射射谱
mbe
原位检测
半导体材料
Keywords
Photo-modulated
reflectance
spectrum,
molecular
beam
expitaxy
(
mbe
)
分类号
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体/超晶格分布布拉格反射镜的特性研究
晏长岭
钟景昌
赵英杰
苏伟
黎荣晖
任春燕
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
2
下载PDF
职称材料
2
光调制反射谱作为MBE生长中原位检测手段的应用
刘兴权
陆卫
万明芳
陈效双
查访星
严立平
史国良
沈学础
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
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职称材料
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