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GaAs MISFET制备中的选择性腐蚀研究
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作者 陈宏江 杨瑞霞 +1 位作者 武一宾 杨克武 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期22-25,共4页
研究了体积比为1:1到10:1的50%柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/AlxGa(?)-xAs结构腐蚀的选择特性, 用α台阶仪、原子力显微镜(AFM)等方法研究了腐蚀样品表面的微观形貌。利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体... 研究了体积比为1:1到10:1的50%柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/AlxGa(?)-xAs结构腐蚀的选择特性, 用α台阶仪、原子力显微镜(AFM)等方法研究了腐蚀样品表面的微观形貌。利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体-半导体场效应晶体管,获得了很好的器件特性参数,证明了这种腐蚀溶液适合于器件制备中的栅挖槽工艺。 展开更多
关键词 选择湿法腐蚀 柠檬酸 调制掺杂沟道 金属-绝缘体-半导体场效应晶体管
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