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PECVD沉积氮化硅膜的工艺研究 被引量:21
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作者 刘志平 赵谡玲 +2 位作者 徐征 刘金虎 李栋才 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期54-59,共6页
采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度... 采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度为450℃、NH_3/SiH_4=8:1、总气体流量为4320sccm、压力为170Pa、沉积时间为720s的条件下生长出平均膜厚为75nm、折射率为2.05、少子寿命相对较高的氮化硅膜,且应用于单晶整舟为168片的管式PECVD设备,片间膜厚级差在5nm以内,而折射率级差在0.3以内,少子寿命可提高约30%。 展开更多
关键词 PECVD 氮化硅 镀膜工艺 少子寿命
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晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法 被引量:15
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作者 周春兰 王文静 《中国测试技术》 2007年第6期25-31,共7页
少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响。分别介绍了常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法,包括微波光电导衰减法(MW-PC... 少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响。分别介绍了常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法,包括微波光电导衰减法(MW-PCD),准稳态光电导方法(QSSPC),表面光电压(SPV),IR浓度载流子浓度成像(CDI),调制自由载流子吸收(MFCA)和光束(电子束)诱导电流(LBIC,EBLC),并指出了各种方法的优点和不足。 展开更多
关键词 晶体硅 太阳能电池 少子寿命 微波光电导衰减 准稳态光电导 表面光电压
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Si N^+/P/P^+太阳电池的数值模拟与分析 被引量:8
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作者 张妹玉 陈朝 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1267-1273,共7页
提出了单晶硅N^+/P/P^+太阳电池的物理模型,采用数值模拟方法对其在AM1.5太阳光入射下的电池特性进行了模拟计算,分析了基区少子扩散长度和基区厚度对短路电流密度和转换效率的影响,着重分析了基区少子寿命对转换效率等电池特性的影响... 提出了单晶硅N^+/P/P^+太阳电池的物理模型,采用数值模拟方法对其在AM1.5太阳光入射下的电池特性进行了模拟计算,分析了基区少子扩散长度和基区厚度对短路电流密度和转换效率的影响,着重分析了基区少子寿命对转换效率等电池特性的影响。模拟结果表明,在综合考虑了各种损耗机制的前提下,转换效率等电池特性都随基区少子寿命和少子扩散长度的增加而增大,并且从电池输出特性与基区少子寿命的关系曲线上可以方便地获得少子寿命所对应的短路电流密度、开路电压、填充因子和转换效率的值,为实验提供有力的理论依据和参考。 展开更多
关键词 硅太阳电池 光电转换效率 少子寿命 数值模拟
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碲镉汞pn结中少数载流子寿命的测量 被引量:1
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作者 崔昊杨 李志锋 +3 位作者 全知觉 胡晓宁 叶振华 陆卫 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1063-1066,共4页
采用改进的光致开路电压衰退方法测量了不同组分Hg1-xCd,Te光伏探测器中光生少数载流子寿命。激发光源为脉冲YAG激光泵浦的光学参量产生器/放大器形成的可调谐红外脉冲激光器。为了减小结电容和串联电阻的影响,引入稳态背景光照明。... 采用改进的光致开路电压衰退方法测量了不同组分Hg1-xCd,Te光伏探测器中光生少数载流子寿命。激发光源为脉冲YAG激光泵浦的光学参量产生器/放大器形成的可调谐红外脉冲激光器。为了减小结电容和串联电阻的影响,引入稳态背景光照明。用存储示波器记录pn结两端开路状态下的电压变化。从指数衰退的曲线经拟合得到开路电压的衰退时间常数,认为其反映了碲镉汞pn结中光生载流子的寿命。实验结果表明:四种组分的探测器在液氮温度下其少数载流子寿命值范围在18—407ns之间。 展开更多
关键词 碲镉汞 PN结 少数载流子 寿命 脉冲光衰退
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铸锭多晶硅片晶体质量差异性研究 被引量:1
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作者 张驰 熊震 +2 位作者 陈雪 黄振飞 刘振淮 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期445-448,共4页
以铸锭多晶硅片具有质量差异性的区域为研究对象,综合分析其杂质浓度、位错密度和少子寿命间的关系。结果表明:当位错密度相近时,高浓度的金属杂质会引起少子寿命的大幅降低;而当金属杂质浓度相近时,位错浓度的升高也会引起少子寿命的... 以铸锭多晶硅片具有质量差异性的区域为研究对象,综合分析其杂质浓度、位错密度和少子寿命间的关系。结果表明:当位错密度相近时,高浓度的金属杂质会引起少子寿命的大幅降低;而当金属杂质浓度相近时,位错浓度的升高也会引起少子寿命的降低。金属杂质和位错等微缺陷作为电活性中心极大地制约了铸锭多晶硅晶体质量的提高,必须通过工艺的改善加以消除。 展开更多
关键词 杂质 位错 少子寿命 复合中心
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Prediction model for the diffusion length in silicon-based solar cells 被引量:1
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作者 Cheknane A Benouaz T 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期3-6,共4页
A novel approach to compute diffusion lengths in solar cells is presented. Thus, a simulation is done; it aims to give computational support to the general development of a neural networks (NNs), which is a very pow... A novel approach to compute diffusion lengths in solar cells is presented. Thus, a simulation is done; it aims to give computational support to the general development of a neural networks (NNs), which is a very powerful predictive modelling technique used to predict the diffusion length in mono-crystalline silicon solar cells. Furthermore, the computation of the diffusion length and the comparison with measurement data, using the infrared injection method, are presented and discussed. 展开更多
关键词 diffusion length minority-cartier lifetime infrared injection solar cell prediction modelling
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