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功率集成电路中一种抗闩锁方法研究
被引量：
3
1
作者
宋慧滨
唐晨
+1 位作者
易扬波
孙伟锋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期429-431,440,共4页
在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上,采取一种抗闩锁方法,即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究,利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟比较,并应用于实际版图中进行流片。这种保护结构可以将闩...
在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上,采取一种抗闩锁方法,即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究,利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟比较,并应用于实际版图中进行流片。这种保护结构可以将闩锁的触发电压提高一个数量级,在实际的闩锁静态测试中得到验证。
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关键词
功率集成电路
寄生双极型晶体管
少子保护环
闩锁
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职称材料
题名
功率集成电路中一种抗闩锁方法研究
被引量：
3
1
作者
宋慧滨
唐晨
易扬波
孙伟锋
机构
东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期429-431,440,共4页
基金
国家高技术研究发展计划(863)资助项目(2004AA1Z1060)
文摘
在分析功率集成电路中闩锁效应的基础上,采取一种抗闩锁方法,即在高低压之间做一道接地的少子保护环。通过对环的电位、位置和宽度的研究,利用软件工具Tsuprem4和Medici进行模拟比较,并应用于实际版图中进行流片。这种保护结构可以将闩锁的触发电压提高一个数量级,在实际的闩锁静态测试中得到验证。
关键词
功率集成电路
寄生双极型晶体管
少子保护环
闩锁
Keywords
power
IC
parasitical
bipolar
transistor
minority
carrier
guarding
latch
up
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
功率集成电路中一种抗闩锁方法研究
宋慧滨
唐晨
易扬波
孙伟锋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
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