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题名一种正电控制大衰减量的6bit单片数控衰减器
被引量：5
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作者
甄建宇
王清源
赵瑞华
刘金
王凯
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机构
电子科技大学
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期184-188,共5页
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文摘
分析了单片数控衰减器的衰减原理,设计了一款DC～2 GHz的大衰减量的6 bit数控衰减器。并通过数模混合设计,采用基于GaAs工艺的场效应管驱动器结构将正TTL电平转换为衰减器负的控制电平,成功实现了正电控制,对单片电路进行了仿真与优化,采用GaAs工艺技术完成了流片。测试结果表明,在DC～2 GHz频带内,衰减步进1 dB,最大衰减量63 dB,插入损耗小于1.7 dB,衰减精度小于±0.1 dB@1 dB～4 dB;小于±0.8 dB@8 dB～32 dB;小于±1.3 dB@48 dB～63 dB,两个端口在所有态下的驻波比小于1.2∶1。单片数控衰减器芯片尺寸为3.0 mm×2.0 mm,控制电压为0和5 V。
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关键词
大衰减量
数控衰减器
正电控制
微波单片集成电路
数模混合
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Keywords
large attenuation
digital attenuator
positive control
microwave monolithicintegrated circuit （mmic）
digital analog hybrid
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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