选择液相外延法制备GaAs SNOM微探尖

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作者 张红治 胡礼中 +2 位作者 孙晓娟 王志俊 梁秀萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1178-1181,共4页

使用GaAs(001)衬底模拟垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片表面,采用选择液相外延技术在其上面制备了用于超高密度光存储的扫描近场光学显微术GaAs微探尖阵列,并用扫描电子显微镜对微探尖阵列进行了表征.结果表明,在合适的条件下,微探尖... 使用GaAs(001)衬底模拟垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片表面,采用选择液相外延技术在其上面制备了用于超高密度光存储的扫描近场光学显微术GaAs微探尖阵列,并用扫描电子显微镜对微探尖阵列进行了表征.结果表明,在合适的条件下,微探尖呈金字塔状,并且有着较好的分布周期性.这对解决微探尖与VCSEL出光窗口的对准问题、批量制备问题和实现多探尖并行扫描具有实际应用价值. 展开更多

关键词 选择液相外延 微探尖 扫描近场光学显微术

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GaAs微探尖的衬底选择刻蚀法剥离和转移 被引量：2

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作者 孙晓娟 胡礼中 +4 位作者 田怡春 张籍权 张红治 梁秀萍 潘石 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期89-92,共4页

报道了一种用于制作扫描近场光学显微术(SNOM)传感头的GaAs微探尖的剥离和转移方法—GaAs衬底选择湿法刻蚀技术。利用扫描电子显微镜对转移后的微探尖进行了表征。结果表明,通过此方法能够成功地将GaAs微探尖转移到目标晶片上,并且在剥... 报道了一种用于制作扫描近场光学显微术(SNOM)传感头的GaAs微探尖的剥离和转移方法—GaAs衬底选择湿法刻蚀技术。利用扫描电子显微镜对转移后的微探尖进行了表征。结果表明,通过此方法能够成功地将GaAs微探尖转移到目标晶片上,并且在剥离和转移过程中微探尖没有受到损伤。这种技术对实现由带有PIN光探测器的垂直腔面发射激光器与GaAs微探尖的混合集成式SNOM传感头有着非常重要的应用价值。 展开更多

关键词 湿法刻蚀 液相外延 微探尖 扫描近场光学显微术

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LPE-GaAs微探尖与VCSEL的粘合集成 被引量：1

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作者 田怡春 胡礼中 +2 位作者 梁秀萍 张红治 潘石 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1185-1187,共3页

介绍了应用于扫描近场光学显微术(SNOM)传感头的GaAs微探尖与垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的粘合集成方法,并利用扫描电子显微镜对集成后的微探尖与VCSEL进行了表征。结果表明,该种方法能够成功地将微探尖转移并集成到VCSEL的出光窗口上... 介绍了应用于扫描近场光学显微术(SNOM)传感头的GaAs微探尖与垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的粘合集成方法,并利用扫描电子显微镜对集成后的微探尖与VCSEL进行了表征。结果表明,该种方法能够成功地将微探尖转移并集成到VCSEL的出光窗口上,实现微探尖与出光窗口的对准,并且整个过程中不会对微探尖造成损伤。这种技术对进一步实现由带有PIN光探测器的VCSEL与GaAs微探尖的混合集成式SNOM传感头有着重要的应用价值。 展开更多

关键词 粘合集成 微探尖 液相外延 扫描近场光学显微术

原文传递

微探针电化学加工机理及针尖尺寸控制技术 被引量：8

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作者 胡小唐 郭育 +1 位作者 刘安伟 吉贵军 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期557-561,共5页

研究了电化学腐蚀法加工微探针的机理,建立了微探针成形的理论模型,提出实时控制加工微探针针尖曲率半径的新方法,发展了相应的控制加工技术。

关键词 扫描探测显微镜 微探针 电化学加工

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场发射平板显示器件的进展 被引量：6

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作者 柯春和 彭自安 +1 位作者 陈其略 胡汉泉 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 1997年第2期119-128,共10页

概述场致发射平板显示器件（FED）的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对FED作出评价。介绍国际上在FED方面的竞争。展望了FED的前景。

关键词 真空微电子学 场致发射 FED 平板显示器件

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场发射显示器发展动态 被引量：2

6

作者 柯春和 杜秉初 《光电子技术》 CAS 1996年第4期314-320,共7页

概述场发射显示器件（FED）的原理、结构和制作工艺及发展水平。展望FED的前景并介绍了国际上围绕FED展开的激烈竞争。

关键词 真空微电子学 场发射显示器件 场发射阵列

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场发射阵列中的分布电阻层 被引量：1

7

作者 屈晓声 李德杰 姚保纶 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期196-198,202,共4页

文章提出一种具有网格状分布电阻层结构的场发射阵列 (FEA)。讨论了电阻层的横向电阻和纵向电阻对器件性能的影响。实验结果表明 ,通过引入电阻层 ,器件发射的不均匀性得到较大改善 ,异常发射得到有效的抑制。

关键词 分布电阻层 场发射显示器 纵向电阻 横向电阻

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网格状电阻层对FEA的作用 被引量：1

8

作者 屈晓声 李德杰 姚保纶 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第4期229-231,共3页

讨论了具有横向电阻的网格状电阻层结构的场发射阵列 ,因为场发射阵列发射的不均匀性以及异常发射都是妨碍场发射显示器发展的重大问题。电阻层的等效电阻有横向与纵向电阻之分 ,相互串接在阴极与微尖发射体之间。实验制得的场发射阵列... 讨论了具有横向电阻的网格状电阻层结构的场发射阵列 ,因为场发射阵列发射的不均匀性以及异常发射都是妨碍场发射显示器发展的重大问题。电阻层的等效电阻有横向与纵向电阻之分 ,相互串接在阴极与微尖发射体之间。实验制得的场发射阵列器件 。 展开更多

关键词 横向电阻 电阻层 场发射阵列 场发射显示器

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液相外延生长GaAs微探尖刻蚀剥离技术研究 被引量：1

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作者 梁秀萍 冯秋菊 +4 位作者 张贺秋 田怡春 张红治 孙晓娟 胡礼中 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1490-1492,共3页

介绍一种用于扫描近场光学显微术(NSOM)传感头的GaAs微探尖的生长剥离技术。通过SiO2掩膜窗口,利用一次选择液相外延制备周期性阵列的GaAs微探尖。在GaAs衬底与GaAs微探尖之间引入AlGaAs层,并对窗口大小的AlGaAs层进行选择腐蚀,将单个G... 介绍一种用于扫描近场光学显微术(NSOM)传感头的GaAs微探尖的生长剥离技术。通过SiO2掩膜窗口,利用一次选择液相外延制备周期性阵列的GaAs微探尖。在GaAs衬底与GaAs微探尖之间引入AlGaAs层,并对窗口大小的AlGaAs层进行选择腐蚀,将单个GaAs微探尖从GaAs衬底上剥离下来。扫描电子显微镜显示的结果表明,此微探尖具有金字塔结构、表面光滑且转移过程无损伤。这种技术制备的GaAs微探尖的形貌与质量主要由晶体的结构决定,具有可重复、表面光滑、适合批量生产的优点。 展开更多

关键词 液相外延 微探尖 湿法刻蚀 扫描近场光学显微术

原文传递

Polymer Microtips Fabricated at the Extremity of Photonic Crystal Fibers

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作者 Paulina Pura Michat Szymanski +6 位作者 Bartosz Wisniowski Michal Dudek Leszek R. Jaroszewicz MarekNapierata Anna Spadto Pawel Marc Malgorzata Kujawinska 《材料科学与工程（中英文B版）》 2013年第12期749-758,共10页

关键词 光子晶体光纤 聚合物分子 近场扫描光学显微镜 光聚合反应 制造方法 标准光纤 三丙烯酸酯 光纤制造

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新型超声乳化探头Micro Tip的临床应用

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作者 林振德 邹玉平 李绍珍 《眼科研究》 CSCD 北大核心 2001年第1期77-78,共2页

目的探讨超声乳化白内障手术达到对眼球仅仅是微损伤的手术方法。方法应用新型超声乳化探头Ｍｉｃｒｏ Ｔｉｐ对９８例Ⅳ级核以上的白内障患者进行超声乳化白内障手术，采用高负压低能量的参数，观察其对眼部的损伤情况。结果术后裸眼... 目的探讨超声乳化白内障手术达到对眼球仅仅是微损伤的手术方法。方法应用新型超声乳化探头Ｍｉｃｒｏ Ｔｉｐ对９８例Ⅳ级核以上的白内障患者进行超声乳化白内障手术，采用高负压低能量的参数，观察其对眼部的损伤情况。结果术后裸眼视力均在０．５以上，２８．６％达１．０以上。无术中并发症。术后仅２例（２％）发现轻度角膜水肿，且均在１周内吸收。结论使用ＭｉｃｒｏＴｉｐ的新型探头，有利于减少超声乳化手术对眼内组织的损伤。 展开更多

关键词 白内障摘出术 超声乳化探头 microtip 人工晶体植入术

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场发射显示技术 被引量：7

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作者 柯春和 彭自安 《真空电子技术》 北大核心 1996年第6期52-60,共9页

场发射显示器件（ＦＥＤ）正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍ＦＥＤ的发展历史，列举出ＦＥＤ与ＣＲＴ及ＬＣＤ相比的优点。介绍ＦＥＤ的工作原理、制作技术及其发展动态。还讨论了ＦＥＤ制作中的一些重要问题。

关键词 真空微电子学 场发射显示器件 场发射阵列

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用于微器件制作的灰度掩模技术

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作者 张新宇 汤庆乐 +1 位作者 张智 裴先登 《微细加工技术》 2001年第2期71-75,共5页

讨论了灰度掩模技术在凸及凹形微透镜、折衍射复合微透镜和微尖形阵列等器件制作方面的应用 ,给出了与几种典型的凸及凹形微透镜、折衍射复合微透镜和微尖形结构对应的灰度掩模板的设计实例及其应用 ,为灰度掩模技术制作微透镜器件及微... 讨论了灰度掩模技术在凸及凹形微透镜、折衍射复合微透镜和微尖形阵列等器件制作方面的应用 ,给出了与几种典型的凸及凹形微透镜、折衍射复合微透镜和微尖形结构对应的灰度掩模板的设计实例及其应用 ,为灰度掩模技术制作微透镜器件及微尖形阵列奠定了基础。 展开更多

关键词 灰度掩模 微透镜阵列 微尖形结构 微器件

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FFEA电场及电子轨迹模拟讨论 被引量：1

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作者 屈晓声 李得杰 姚保纶 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2000年第5期308-310,共3页

采用有限差分法 ,对有聚焦极的垂直双门结构的场发射阵列进行了轴对称三维模拟计算 ,得到发射微尖附近的电位和电子轨迹分布图。分别讨论了聚焦极电位、聚焦极孔径以及栅极电位对发射电子束的影响。聚焦极电位相对栅极越负 ,聚焦作用越... 采用有限差分法 ,对有聚焦极的垂直双门结构的场发射阵列进行了轴对称三维模拟计算 ,得到发射微尖附近的电位和电子轨迹分布图。分别讨论了聚焦极电位、聚焦极孔径以及栅极电位对发射电子束的影响。聚焦极电位相对栅极越负 ,聚焦作用越强。减小聚焦极孔径对大发散角的电子有影响 ,但对聚焦作用的影响不如改变电位明显。栅极电位基本上不影响电子的轨迹 ,仅改变了发射电子的多少。 展开更多

关键词 有限差分 聚焦场发射阵列 电子运动轨迹

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GaAs微尖阵列的制备与场发射性能 被引量：1

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作者 孙晓娟 胡礼中 +4 位作者 宋航 李志明 蒋红 缪国庆 黎大兵 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期901-904,共4页

利用选择液相外延的方法制备GaAs微尖阵列,通过扫描电子显微镜对微尖形貌进行了表征,并对此微尖阵列进行了场发射性能测试。结果表明,选择液相外延法制备的GaAs微尖呈金字塔状,两对面夹角为71°;微尖高度由生长窗口的尺寸决定,对底... 利用选择液相外延的方法制备GaAs微尖阵列,通过扫描电子显微镜对微尖形貌进行了表征,并对此微尖阵列进行了场发射性能测试。结果表明,选择液相外延法制备的GaAs微尖呈金字塔状,两对面夹角为71°;微尖高度由生长窗口的尺寸决定,对底边为60μm的微尖,其高度约为42μm。此微尖阵列排列规则,具有场发射特性,开启电场约为5.1V/μm。发射电流稳定,当电场由8.0V/μm增加到11.9V/μm,发射电流由6μA增到74μA,在发射时间超过3h的情况下,电流波动不超过3%。另外,GaAs微尖阵列场发射的F-N曲线不为直线,分析表明是表面态和场渗透共同作用的结果。这对GaAs微尖阵列在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的意义。 展开更多

关键词 微尖阵列 场发射 砷化镓 液相外延

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提高抗激光烧蚀能力的表面尖形微结构器件 被引量：1

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作者 张新宇 汤庆乐 +1 位作者 张智 裴先登 《微细加工技术》 2001年第2期67-70,共4页

讨论了光刻热熔成形工艺灰度掩模技术结合离子束蚀刻制作面阵尖形微结构器件的问题 ,分析了几种凸尖及凹尖结构抗入射激光烧蚀的能力强于平面端面同质器件的原因 ,所作的若干分析结果可用于这类器件的实际制作和应用。

关键词 尖形微结构 离子束蚀刻 抗激光烧蚀 能力 微结构器件

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面阵硅场发射阵列的离子束刻蚀 被引量：1

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作者 张新宇 赵兴荣 +1 位作者 易新建 张智 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1998年第5期88-90,共3页

利用光刻热熔法及氩离子束刻蚀技术制作１２８×１２８元面阵硅场发射器件，采用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和表面探针等测试手段分析所制成的面阵硅微尖阵列和硅微台（微环尖）阵列的表面微结构形貌特点．所制成的面阵硅微尖和硅微... 利用光刻热熔法及氩离子束刻蚀技术制作１２８×１２８元面阵硅场发射器件，采用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和表面探针等测试手段分析所制成的面阵硅微尖阵列和硅微台（微环尖）阵列的表面微结构形貌特点．所制成的面阵硅微尖和硅微台（微环尖）器件的图形整齐均匀，达到了预定的各项指标的要求．实验表明，所采用的器件制作方法有较大的实用价值． 展开更多

关键词 场发射 硅微尖阵列 硅微台阵列 离子束刻蚀

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多孔钨微尖阵列阴极及其电子发射特性

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作者 阴生毅 卢志鹏 +2 位作者 任峰 李阳 王宇 《真空电子技术》 2018年第3期37-41,共5页

为适应高频器件对低温高发射阴极的需求,发展了一种新型的多孔钨微尖阵列阴极,并对其发射特性进行了测试和分析。新阴极特征为,采用激光熔刻技术在多孔钨基体表面构造出规则排列的微尖阵列,基体内部孔隙浸渍含钪高活性发射物质,经高温... 为适应高频器件对低温高发射阴极的需求,发展了一种新型的多孔钨微尖阵列阴极,并对其发射特性进行了测试和分析。新阴极特征为,采用激光熔刻技术在多孔钨基体表面构造出规则排列的微尖阵列,基体内部孔隙浸渍含钪高活性发射物质,经高温激活之后用作低温发射阴极。二极管测试表明,在850和650℃阴极脉冲发射电流达到57.02和8.23A/cm2。分析认为,阴极属于场发射电子占主导地位的热辅助场发射阴极。 展开更多

关键词 多孔钨 微尖阵列 钪 场发射

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一种聚合物微锥阵列的制作工艺研究

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作者 童杏林 罗梦泽 +1 位作者 姜德生 刘忠明 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期41-43,共3页

采用微加工工艺制备出一种聚合物微锥阵列。利用扫描电子显微镜(SEM)分析了在Si(100)衬底上通过微加工所获得的孔洞阵列和采用聚合物填充该孔洞所获得微锥阵列的形貌。研究表明:Si(100)衬底上倒金字塔孔洞阵列轮廓分明,内壁平滑;该聚合... 采用微加工工艺制备出一种聚合物微锥阵列。利用扫描电子显微镜(SEM)分析了在Si(100)衬底上通过微加工所获得的孔洞阵列和采用聚合物填充该孔洞所获得微锥阵列的形貌。研究表明:Si(100)衬底上倒金字塔孔洞阵列轮廓分明,内壁平滑;该聚合物微锥呈类圆锥的形貌,可用作制备场致发射微锥阵列的衬底材料。 展开更多

关键词 微制造 聚合物 微锥阵列

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