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同步辐射背反射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的小角晶界和微管
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作者 姜守振 黄先荣 +6 位作者 胡小波 李娟 陈秀芳 王英民 宁丽娜 徐现刚 蒋民华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1985-1987,1990,共4页
利用同步辐射X射线形貌术对升华法生长的6H-SiC(0001)晶片中的小角晶界与微管缺陷进行了研究。小角晶界在同步辐射中的形貌成直线沿〈11-00〉方向分布。根据螺位错附近的应变场和衍射几何,模拟了基本Burgers矢量大小的螺位错在同步辐射... 利用同步辐射X射线形貌术对升华法生长的6H-SiC(0001)晶片中的小角晶界与微管缺陷进行了研究。小角晶界在同步辐射中的形貌成直线沿〈11-00〉方向分布。根据螺位错附近的应变场和衍射几何,模拟了基本Burgers矢量大小的螺位错在同步辐射形貌像中的衍衬像,模拟结果与实验结果符合较好。据此指认了基本螺位错,并确定了微管Burgers矢量的大小。 展开更多
关键词 同步辐射背反射白光形貌术 小角度晶界 微管 sic 升华法
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