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题名超低k介质材料低损伤等离子体去胶工艺进展
被引量：1
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作者
吴元伟
韩传余
赵玲利
王守国
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机构
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2011年第11期733-738,共6页
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基金
国家科技02重大专项基金资助项目(2009ZX0203008)
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文摘
介绍了三类常见的低k介质材料,并对空气隙(k=1)的发展进行了探讨;讨论了引起等离子体损伤的机理和传统的O2等离子体去胶工艺面临的困难;最后综述了近年来国际上提出的低损伤等离子体去胶工艺的研究进展。人们已经开发出一些对低k材料进行硅化处理的工艺,可以部分修复在刻蚀和去胶处理过程中被消耗掉的有机官能团。基于金属硬掩膜层和新型等离子体化学的集成方案将会展示出颇具前景的结果。
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关键词
等离子体去胶
多孔超低k介质
空气隙
等离子体损伤
损伤修复
金属硬掩膜(mhm)
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Keywords
plasma stripping
porous ultralow-k dielectric
air gap
plasma damage
damage restoration
metal hard mask（mhm）
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名40nm一体化刻蚀工艺技术研究
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作者
盖晨光
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机构
上海华力微电子有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期589-595,共7页
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基金
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02501)
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文摘
用金属硬掩模层(MHM)进行一体化(AIO)刻蚀的工艺是40 nm节点后道工序的关键工艺技术。阐述了40 nm低功耗芯片工艺研发过程中,一体化刻蚀工艺开发所遇到的诸多工艺难题,并对其产生的机理进行了深入分析。结合工艺设备与工艺特性,进行了刻蚀实验并对刻蚀工艺条件进行了优化,使用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品形貌进行了观测,采用电迁移测试结构对通孔样品的可靠性进行了测试,结果表明,氮化钛厚度、沟槽剖面形貌和顶部缺口形貌得到优化,双大马士革凹槽形貌、通孔剖面形貌以及通孔底部完整性得到较好控制,解决了氟化钛残留问题,有效解决了一体化刻蚀的工艺难题。
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关键词
一体化刻蚀
金属硬掩模层
双大马士革
后道工艺(BEOL)
沟槽刻蚀
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Keywords
AIO etch
metal hard mask （mhm）
dual-damascene
back end of line （BEOL）
trench etch
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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