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[M(en)_3]_2Sn_2Se_6(M=Mn,Zn)的制备及其热稳定性 被引量:11
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作者 陈震 王如骥 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1999年第12期1070-1075,共6页
用有机溶剂热生长技术(SolvothermalTechnique)制备过渡金属锰和锌硒化物[Mn(en)3]2Sn2Se6(Ⅰ),[Zn(en)3]2Sn2Se6(Ⅱ).用单晶X射线衍射技术对其进行晶体结构分析.[Zn(en)3]2Sn2Se6样品的热分析结果表明,该化合物的热分解分三步进行.光... 用有机溶剂热生长技术(SolvothermalTechnique)制备过渡金属锰和锌硒化物[Mn(en)3]2Sn2Se6(Ⅰ),[Zn(en)3]2Sn2Se6(Ⅱ).用单晶X射线衍射技术对其进行晶体结构分析.[Zn(en)3]2Sn2Se6样品的热分析结果表明,该化合物的热分解分三步进行.光学性质测试表明它们是半导体材料,[Mn(en)3]2Sn2Se6的能带隙为1.76eV.[Zn(en)3]2Sn2Se6的能带隙为2.49eV. 展开更多
关键词 锰硒化物 锌硒化物 金属硒化物 无机多聚物
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Characterization of Thin Films by Low Incidence X-Ray Diffraction 被引量:2
2
作者 Mirtat Bouroushian Tatjana Kosanovic 《Crystal Structure Theory and Applications》 2012年第3期35-39,共5页
Glancing Angle X-ray Diffraction (GAXRD) is introduced as a direct, non-destructive, surface-sensitive technique for analysis of thin films. The method was applied to polycrystalline thin films (namely, titanium oxide... Glancing Angle X-ray Diffraction (GAXRD) is introduced as a direct, non-destructive, surface-sensitive technique for analysis of thin films. The method was applied to polycrystalline thin films (namely, titanium oxide, zinc selenide, cadmium selenide and combinations thereof) obtained by electrochemical growth, in order to determine the composition of ultra-thin surface layers, to estimate film thickness, and perform depth profiling of multilayered heterostructures. The experimental data are treated on the basis of a simple absorption-diffraction model involving the glancing angle of X-ray incidence. 展开更多
关键词 Glancing Angle X-Ray DIFFRACTION Thin films Titanium OXIDES metal chalcogenides ELECTRODEPOSITION
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准二维金属硫属化合物类石墨烯结构的化学合成与组装 被引量:3
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作者 冯冯 冯骏 +1 位作者 吴长征 谢毅 《中国科学:化学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1576-1586,共11页
无机类石墨烯属于准二维纳米结构体系,因其具有比纯碳石墨烯本身更多的调控参数,比如带隙类型及其带隙宽度可调节等,在电子器件构筑和能量转化存储等领域有着重要的科学意义和广阔的应用前景.近年来,具有准二维特征的金属硫属化合物(met... 无机类石墨烯属于准二维纳米结构体系,因其具有比纯碳石墨烯本身更多的调控参数,比如带隙类型及其带隙宽度可调节等,在电子器件构筑和能量转化存储等领域有着重要的科学意义和广阔的应用前景.近年来,具有准二维特征的金属硫属化合物(metalchal cogenides,MCs)作为类石墨烯结构的重要材料体系受到了广泛关注.本文概述了近年来金属硫属化合物类石墨烯结构的化学制备方法及其可能的组装应用,提出了通过系列方法影响层间作用力及利用晶体各向异性等材料设计与合成策略来实现类石墨烯的化学合成,并展望了类石墨烯的组装结构在能量存储与智能传感领域的应用前景. 展开更多
关键词 类石墨烯 准二维 硫属化合物 化学合成 组装
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金属硫族簇基半导体中的Mn^(2+)发光 被引量:2
4
作者 林坚 陈德睢 +1 位作者 沈家辉 曾培勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第7期953-975,共23页
锰离子相对稳定的发光特性及锰掺杂荧光粉的成功使得人们对锰离子发光的研究热情不减。本文综述了Mn^(2+)掺杂金属硫族簇基半导体中团簇结构、组分关联的Mn^(2+)发光特性。金属硫族簇基半导体具有原子级的精确结构,为探究Mn^(2+)发光的... 锰离子相对稳定的发光特性及锰掺杂荧光粉的成功使得人们对锰离子发光的研究热情不减。本文综述了Mn^(2+)掺杂金属硫族簇基半导体中团簇结构、组分关联的Mn^(2+)发光特性。金属硫族簇基半导体具有原子级的精确结构,为探究Mn^(2+)发光的精确“构效关系”提供了理想模型。在Mn^(2+)掺杂的金属硫族簇基半导体中,Mn^(2+)附近键长和团簇组装方式的差异决定了Mn^(2+)配位场强的变化,进而影响Mn^(2+)发光波长的变化。在Mn^(2+)掺杂的金属硫族纳米团簇中,Mn^(2+)的聚集形式和聚集体中Mn^(2+)的数量决定了Mn-Mn耦合相互作用的大小,直接影响Mn^(2+)发光效率、寿命及激发特性。 展开更多
关键词 金属硫族化合物 锰掺杂 半导体
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金属硫属化合物纳米材料制备方法的研究进展 被引量:1
5
作者 吕朝霞 刘淑萍 《化学工程师》 CAS 2006年第9期50-52,共3页
金属硫属化合物纳米材料是目前一类非常有发展前途的新材料。本文对金属硫属化合物纳米材料制备方法进行介绍和评述,并提出了它的发展方向。
关键词 金属硫属化合物 纳米材料 制备方法 评述 发展方向
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半导体纳米材料Zn(en)_3Se,ZnSe及其光学性能研究 被引量:1
6
作者 李国强 陈日耀 +1 位作者 郑曦 陈震 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1324-1327,共4页
以有机溶剂热技术制备片状Zn(en)3Se(en为乙二胺)纳米材料,DTGI、R、XRD分析结果表明该化合物中乙二胺与中心离子Zn2+通过配位键相结合;以制得的纳米Zn(en)3Se为母体,在氮气氛中煅烧至980℃,热分解制得棒状纳米ZnSe;以TEM、ED初步研究... 以有机溶剂热技术制备片状Zn(en)3Se(en为乙二胺)纳米材料,DTGI、R、XRD分析结果表明该化合物中乙二胺与中心离子Zn2+通过配位键相结合;以制得的纳米Zn(en)3Se为母体,在氮气氛中煅烧至980℃,热分解制得棒状纳米ZnSe;以TEM、ED初步研究了两者的形貌、结构;以提拉法分别将Zn(en)3Se、ZnSe纳米材料涂布在ITO导电玻璃上,制得纳米颗粒/ITO复合膜,并研究其光学特性。结果表明,Zn(en)3Se属立方晶系,呈片状结构;ZnSe属六方纤锌矿型,棒直径在40nm左右;可能的生长机理是乙二胺作为模板分子,首先嵌入到ZnSe无机结构框架中,接着受热分解逃逸出无机框架形成一维纳米棒。PL分析表明Zn(en)3Se的荧光红移至448nm处。 展开更多
关键词 一维纳米材料 溶剂热法 金属硫族化合物 半导体 光致发光
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Biotoxicity of CdS/CdSe Core-Shell Nano-Structures
7
作者 Sreenu Bhanoth Anuraj S. Kshirsagar +2 位作者 Pawan K. Khanna Aakriti Tyagi Anita K. Verma 《Advances in Nanoparticles》 2016年第1期1-8,共8页
The cytotoxicity of hydrophobic QDs CdS/CdSe was tested assigning MTT assay on Human Embryonic Kidney cells (HEK-293), breast cancer cells (MCF-7) and Enrichlish Ascitices Cells (EAC). Approximately 65% bio-toxicity w... The cytotoxicity of hydrophobic QDs CdS/CdSe was tested assigning MTT assay on Human Embryonic Kidney cells (HEK-293), breast cancer cells (MCF-7) and Enrichlish Ascitices Cells (EAC). Approximately 65% bio-toxicity was observed in MCF-7 for the core-shell QDs. These QDs may also find effective applications in other optoelectronic devices. CdS/CdSe core-shell hetrostructure quantum dots (QDs) were generated by chemical reaction between the respective chalcogens and cadmium metal salt. Sulphur powder was utilized for CdS core preparation while selenium was extracted from an organoselenium compound to impart CdSe shell layer at a temperature between 150℃ - 200℃. So-prepared core-shell QDs showed good optical properties. The particle size was found to be in the range of 3 - 4 nm with spherical morphology and cubic crystal structure. 展开更多
关键词 Quantum Dots metal chalcogenides Bio-Toxicity Cell Lines
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Structure of Nb/Ta layered ternary tellurides containing first row transition metal atoms
8
作者 黄金陵 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 2000年第4期337-347,共11页
A summary of research on the structure of Nb/Ta layered tellurides in the past period is reported. 14 compounds, which have been structurally characterized by X-ray diffraction work, are presented according to their s... A summary of research on the structure of Nb/Ta layered tellurides in the past period is reported. 14 compounds, which have been structurally characterized by X-ray diffraction work, are presented according to their structural features. The first two compounds, Nb2CrTe4 and Nb2Cu1.48Te4, are characterized in that the ternary atoms are inserted in the different layers from the Nb atoms. While in the other compounds, both kinds of metal atoms are inserted in the same layer. The six compounds with formula M2M′2Te4(M = Nb/Ta; M′ = Ni, Co, Fe) are characterized in that their structure can be described as construction by using cluster units 'M2M′2Te10' as building blocks. In the two metal-rich compounds, TaCo2Te2 and TaNi2Te2, Ta atom has a distorted mono-capped pentagonal prism configuration. The structure of TaFeTe3, TaNi2Te3 and NbNi2.34Te3can be described as building by the arrangement of double octahedral chains (DOC). In this connection, a selenide Ta2Ni2Se5 is also included by using the second type of DOC arrangement as the basis to build the structure. 展开更多
关键词 crystal STRUCTURE metal chalcogenides TERNARY TELLURIDES LAYERED structure.
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Li_3S和Li_2S高压结构与超导电性的第一性原理计算
9
作者 陈洪斌 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期374-377,共4页
采用第一性原理方法研究Li_3S和Li_2S在0~50 GPa下的晶体结构、电子性质与超导电性.结果表明:当压力高于16 GPa时,Li_3S由Li_2S和Li单质合成,其高压相变序列为P63/m→P63/mmc→Pm-3m;Li_3S呈金属性,但其电声相互作用较弱,不是超导体;... 采用第一性原理方法研究Li_3S和Li_2S在0~50 GPa下的晶体结构、电子性质与超导电性.结果表明:当压力高于16 GPa时,Li_3S由Li_2S和Li单质合成,其高压相变序列为P63/m→P63/mmc→Pm-3m;Li_3S呈金属性,但其电声相互作用较弱,不是超导体;预测的Li2S的高压相变序列与已有结果相符,在50 GPa下的Li_2S仍未实现金属化. 展开更多
关键词 金属硫化物 高压 超导电性 第一性原理
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多元金属硫族化合物的合成和结构表征 被引量:6
10
作者 刘艳玲 王平 +3 位作者 舒桂明 吴念祖 傅爱华 郭洪猷 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期458-463,共6页
介绍新近发展起来的反应性熔盐法及其在多元金属硫族化合物中温固相合成中的应用,并讨论了这类化合物的结构特征、低维性和热力学介稳性.
关键词 金属硫族化合物 反应性熔盐法 合成 晶体结构
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Recent advances in optoelectronic properties and applications of two-dimensional metal chalcogenides 被引量:9
11
作者 夏从新 李京波 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2016年第5期1-9,共9页
Since two-dimensional (2D) graphene was fabricated successfully, many kinds of graphene-like 2D materials have attracted extensive attention. Among them, the studies of 2D metal chalcogenides have become the focus o... Since two-dimensional (2D) graphene was fabricated successfully, many kinds of graphene-like 2D materials have attracted extensive attention. Among them, the studies of 2D metal chalcogenides have become the focus of intense research due to their unique physical properties and promising applications. Here, we review significant recent advances in optoelectronic properties and applications of 2D metal chalcogenides. This review highlights the recent progress of synthesis, characterization and isolation of single and few layer metal chalco- genides nanosheets. Moreover, we also focus on the recent important progress of electronic, optical properties and optoelectronic devices of 2D metal chalcogenides. Additionally, the theoretical model and understanding on the band structures, optical properties and related physical mechanism are also reviewed. Finally, we give some per- sonal perspectives on potential research problems in the optoelectronic characteristics of 2D metal chalcogenides and related device applications. 展开更多
关键词 2D metal chalcogenides SEMICONDUCTOR optoelectronic applications
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Li-O_(2)电池过渡金属硫族化合物催化剂最新研究进展
12
作者 李业冰 赵兰玲 +4 位作者 王俊 张一鸣 窦一川 李瑞丰 刘峣 《铜业工程》 CAS 2024年第1期129-147,共19页
环境污染和能源枯竭等问题对开发新的储能和转换装置提出了更高的需求。具有超高能量密度的Li-O_(2)电池有望成为替代传统化石能源极具潜力的候选。但Li-O_(2)电池滞后的反应动力学带来的实际能量密度低、稳定性不佳及倍率性能差等问题... 环境污染和能源枯竭等问题对开发新的储能和转换装置提出了更高的需求。具有超高能量密度的Li-O_(2)电池有望成为替代传统化石能源极具潜力的候选。但Li-O_(2)电池滞后的反应动力学带来的实际能量密度低、稳定性不佳及倍率性能差等问题制约了其应用,因此迫切需要开发高效电催化剂来提高其滞后的反应动力学。过渡金属硫族化合物由于其类石墨烯结构特点以及本身优异的催化活性吸引了研究人员的广泛研究。本文介绍了过渡金属硫族化合物材料在非水系Li-O_(2)电池催化剂方面的最新研究进展,包括过渡金属硫化物、硒化物、碲化物以及双过渡金属硫族化合物催化剂对Li-O_(2)电池催化性能提高的影响,阐述了对过渡金属硫族化合物材料进行结构设计构建、相调控以及表面改性的方法,建立了其微观结构与氧还原和氧析出催化活性的联系,最后对过渡金属硫族化合物材料在Li-O_(2)电池中的进一步应用进行了展望。 展开更多
关键词 Li-O_(2)电池 电催化 正极催化剂 过渡金属硫族化合物 微观结构调控
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自支撑NiSe/CoCr-LDH双功能电催化剂的制备及其裂解海水性能研究
13
作者 何作明 蒲睿熙 +1 位作者 贺文 刘韵丹 《湘潭大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第3期35-44,共10页
硒化镍(NiSe)得益于其优异的电催化性能,如:高导电性、丰富的晶相及电子结构、合成方式多样便捷等,成为大多数电催化水分解研究者的首选材料.在探究电催化活性的过程中,NiSe不可避免地存在活性低、稳定性差等问题.这意味着:一方面,需要... 硒化镍(NiSe)得益于其优异的电催化性能,如:高导电性、丰富的晶相及电子结构、合成方式多样便捷等,成为大多数电催化水分解研究者的首选材料.在探究电催化活性的过程中,NiSe不可避免地存在活性低、稳定性差等问题.这意味着:一方面,需要额外提供更高的能量才可以实现水的分解,大大降低了电催化水分解的效率;另一方面,较差的稳定性难以应用于电催化电解海水,无法解决未来实现能量转换的关键问题.为了提高NiSe的稳定性及电催化活性以实现高效长期电解海水,该文将钴铬层状双金属氢氧化物(CoCr-LDH)通过电沉积的方式覆盖在NiSe表面,对NiSe进行保护的同时,与其构成异质结构,显著降低了电催化析氢析氧所需的能量,所制备的生长在泡沫镍上的NiSe和CoCr-LDH异质结构(NiSe/CoCr-LDH/NF)应用于模拟碱性海水环境下的全解水系统,仅需要提供1.59 V电压,电流密度即可达到40 mA·cm^(-2),稳定工作16 h且无氯气产生,实现绿色高效的电解海水.该文为制备高效稳定电催化剂提供了新思路. 展开更多
关键词 过渡金属硫族化合物 层状双金属氢氧化物 双功能 电催化水分解 碱性模拟海水
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过渡金属(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)掺杂GeSe的高温铁磁半导体薄膜
14
作者 李德仁 张析 +2 位作者 何文杰 彭勇 向钢 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第1期279-288,共10页
具有高温铁磁性的IV族金属硫族化物磁性半导体薄膜是半导体自旋电子器件所需要的重要材料.本文采用固体源化学气相沉积法制备了一系列过渡金属元素(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂GeSe的多晶半导体薄膜样品.磁性测量表明,Mn,Fe和Co掺杂的GeS... 具有高温铁磁性的IV族金属硫族化物磁性半导体薄膜是半导体自旋电子器件所需要的重要材料.本文采用固体源化学气相沉积法制备了一系列过渡金属元素(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂GeSe的多晶半导体薄膜样品.磁性测量表明,Mn,Fe和Co掺杂的GeSe薄膜表现出较强的铁磁性,居里温度(TC)分别高达277,255和243 K,而V,Cr和Ni掺杂GeSe的多晶薄膜表现出较弱的铁磁性.磁电输运测量表明,Mn,Fe和Co掺杂GeSe的多晶薄膜具有相对较高的空穴浓度,在300 K下高达~1020cm^(-3).基于实验和计算结果的进一步分析表明,Mn,Fe和Co掺杂GeSe的多晶薄膜中的强铁磁性归因于载流子增强的Ruderman-KittelKasuya-Yosida相互作用.我们的研究结果展示了过渡金属掺杂GeSe的磁性半导体薄膜的丰富多样性,并为相关基础研究和器件应用提供了一个新平台. 展开更多
关键词 半导体薄膜 多晶薄膜 化学气相沉积法 过渡金属元素 过渡金属掺杂 铁磁半导体 空穴浓度 磁性测量
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铜钱状二硫化钒的制备及储钠性能研究 被引量:6
15
作者 李攀 刘建 +2 位作者 孙惟袆 陶占良 陈军 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2018年第4期286-291,共6页
钠离子电池因地壳中丰富的钠资源以及金属钠与金属锂之间具有相似的物化性质等特点,成为后锂时代电池的候选者之一,然而较大的钠离子半径影响了其体系的动力学性能及离子迁移速率,因此寻找合适的电极材料成为其发展的关键.二硫化钒作为... 钠离子电池因地壳中丰富的钠资源以及金属钠与金属锂之间具有相似的物化性质等特点,成为后锂时代电池的候选者之一,然而较大的钠离子半径影响了其体系的动力学性能及离子迁移速率,因此寻找合适的电极材料成为其发展的关键.二硫化钒作为过渡金属硫属化合物,具有类石墨烯的层状结构,为钠离子的储存提供了足够的空间,同时其出色的导电性能也为其作为高性能钠离子电池的电极材料提供了保证.利用水热法与超声剥离法,可控制备出三种堆叠密度不同的铜钱状二硫化钒(VS2-Long、VS_2-Middle、VS_2-Short),并将其用于储钠性能研究.结果表明,堆叠程度最低的VS_2-Short因其形貌结构特点而拥有较多的活性位点及较高结构稳定性,在100 mA·g^(-1)的电流密度下,循环300圈后容量高达410 mAh·g^(-1);电流密度为2000 mA·g^(-1),可逆容量仍高达333 mAh·g^(-1).此外,还研究了二硫化钒作为钠离子电池电极材料的储能机制,通过非原位X射线粉末衍射(XRD)及透射电子显微镜(TEM)观测发现:放电过程中,电压在2.5~1.0 V发生嵌钠反应生成NaxVS_2,之后逐渐开始转化反应生成Na_2S和V;充电时Na_2S和V转化生成NaxVS_2,并最终脱钠生成VS_2,即在0.2~2.5 V间VS_2表现为嵌入转化的储钠机制. 展开更多
关键词 钠离子电池 过渡金属硫属化合物 二硫化钒 电极材料
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基于应力调控的二维过渡金属硫族化合物光学性质分析
16
作者 李室昆 王强 《集成电路应用》 2024年第2期208-209,共2页
阐述应力对二维过渡金属硫族化合物光学性质的调控效应,分析晶格畸变对其的影响,以及应力引起的晶格畸变和相应的光学性质变化,为设计和制备特定光学性能的二维材料提供指导。
关键词 应力调控 二维过渡金属硫族化合物 光学性质
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基于二维过渡金属硫属化合物的气体传感器研究进展
17
作者 吴家隐 陈浩东 +1 位作者 梁同乐 刘志发 《长江信息通信》 2024年第6期4-8,共5页
电化学传感器通过检测电学参数的变化来识别气体,从而实现气体的实时在线监测。由于其便捷性以及可接入物联网的特性,电化学传感器正逐渐成为气体传感器领域的重要发展方向。近几年,随着二硫化钼、二硫化锡、硫化亚锡以及硒化锡等二维... 电化学传感器通过检测电学参数的变化来识别气体,从而实现气体的实时在线监测。由于其便捷性以及可接入物联网的特性,电化学传感器正逐渐成为气体传感器领域的重要发展方向。近几年,随着二硫化钼、二硫化锡、硫化亚锡以及硒化锡等二维过渡金属硫属化合物的兴起,越来越多的报道证明了二维过渡金属硫属化合物具有制作电气体传感器敏感元件的潜力。二维过渡金属硫属化合物表面与气体分子的接触面大,且具有半导体特性。总结了近些年二维过渡金属硫属化合物的最新研究进展,介绍二维过渡金属硫属化合物与气体分子的反应机理及其优势和特点,最后对二维过渡金属硫属化合物在气体传感器中的应用进行了展望。 展开更多
关键词 二维过渡金属硫属化合物 气体传感 二硫化钼 二硫化锡 硫化亚锡 硒化锡
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过渡金属硫族化合物中电荷密度波和超导电性的调控
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作者 曾令勇 李宽 +4 位作者 何溢懿 黄彦昊 张超 余沛峰 罗惠霞 《材料研究与应用》 CAS 2023年第3期455-468,共14页
过渡金属硫族化合物(Transition metal chalcogenides,TMCs)因具有丰富的晶体结构和不寻常的电子特性呈现出有趣的物理现象,引起了人们的持续关注。重点介绍了过渡金属二硫化物(Transition metal dichalcogenides,TMDCs)中电荷密度波(Ch... 过渡金属硫族化合物(Transition metal chalcogenides,TMCs)因具有丰富的晶体结构和不寻常的电子特性呈现出有趣的物理现象,引起了人们的持续关注。重点介绍了过渡金属二硫化物(Transition metal dichalcogenides,TMDCs)中电荷密度波(Charge density wave,CDW)和超导电性(Superconductivity,SC)的最新重要发现,系统分析和比较了TMDCs的晶体和能带结构,总结了掺杂和高压对TMDCs中CDW和SC的调控规律,探讨了TMDCs中CDW和SC之间的关系,展望了未来研究方向和机遇。 展开更多
关键词 过渡金属硫族化合物 超导材料 电荷密度波 化学掺杂 压力调控 能带结构
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二维界面修饰对全无机CsPbBr_(3)薄膜光电性能的调控
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作者 周青伟 吴凡 +3 位作者 罗芳 黄先燕 郭楚才 朱志宏 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第6期294-303,共10页
全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池中的电荷传输层与钙钛矿层界面的载流子复合是制约其光电转换效率进一步提升的关键因素。文中采用带隙和带边可调控的二维过渡金属硫族化合物(MoS_(2)、MoSe_(2)、WS_(2)和WSe_(2))材料作为电子传输层和... 全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池中的电荷传输层与钙钛矿层界面的载流子复合是制约其光电转换效率进一步提升的关键因素。文中采用带隙和带边可调控的二维过渡金属硫族化合物(MoS_(2)、MoSe_(2)、WS_(2)和WSe_(2))材料作为电子传输层和钙钛矿层之间的界面修饰材料和载流子传输材料,利用晶格匹配的范德华外延生长高质量的钙钛矿薄膜,同时通过界面能级补偿和势垒消减,降低钙钛矿层与电子传输层之间的界面电荷损失,促进全无机CsPbBr3钙钛矿太阳能电池器件中载流子的提取与传输,使器件光电转换效率由初始的7.94%提高到10.02%,同时开路电压从1.474 V提升至1.567 V。该研究为制备高质量的钙钛矿薄膜同时实现界面能级匹配的高性能光电器件提供了一条新途径。 展开更多
关键词 太阳能电池 光电性能 二维界面修饰 钙钛矿 过渡金属硫族化合物
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Flexible and stretchable photodetectors and gas sensors for wearable healthcare based on solution-processable metal chalcogenides 被引量:2
20
作者 Qi Yan Liang Gao +1 位作者 Jiang Tang Huan Liu 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2019年第11期39-47,共9页
Wearable smart sensors are considered to be the new generation of personal portable devices for health monitoring.By attaching to the skin surface,these sensors are closely related to body signals(such as heart rate,b... Wearable smart sensors are considered to be the new generation of personal portable devices for health monitoring.By attaching to the skin surface,these sensors are closely related to body signals(such as heart rate,blood oxygen saturation,breath markers,etc.)and ambient signals(such as ultraviolet radiation,inflammable and explosive,toxic and harmful gases),thus providing new opportunities for human activity monitoring and personal telemedicine care.Here we focus on photodetectors and gas sensors built from metal chalcogenide,which have made great progress in recent years.Firstly,we present an overview of healthcare applications based on photodetectors and gas sensors,and discuss the requirement associated with these applications in detail.We then discuss advantages and properties of solution-processable metal chalcogenides,followed by some recent achievements in health monitoring with photodetectors and gas sensors based on metal chalcogenides.Last we present further research directions and challenges to develop an integrated wearable platform for monitoring human activity and personal healthcare. 展开更多
关键词 solution-processable metal chalcogenides gas sensor PHOTODETECTOR healthcare
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