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大功率半导体激光器性能改善的研究
被引量：
6
1
作者
孔真真
崔碧峰
+3 位作者
黄欣竹
李莎
房天啸
郝帅
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2017年第7期229-234,共6页
电流的侧向限制对半导体激光器具有重要意义,在半导体激光器有源区加入侧向限制结构一方面可以实现侧向限制,另一方面可以在一定范围内降低阈值电流密度。但是常规的侧向限制方法无论是侧向波导结构还是浅隔离槽结构都无法高效地抑制电...
电流的侧向限制对半导体激光器具有重要意义,在半导体激光器有源区加入侧向限制结构一方面可以实现侧向限制,另一方面可以在一定范围内降低阈值电流密度。但是常规的侧向限制方法无论是侧向波导结构还是浅隔离槽结构都无法高效地抑制电流的侧向扩展。设计了新型的深隔离槽结构,利用Comsol软件仿真模拟侧向限制,发现深度超过外延层厚度的深隔离槽结构能更有效地提高电流的注入效率。在工艺中利用感应耦合等离子体刻蚀在距离脊型台两侧100μm的位置刻蚀深度为4μm的深隔离槽。实验结果表明,工作电流为5A时,腔长4mm具有深隔离槽结构的半导体激光器芯片输出功率为3.6 W,阈值电流为0.3 A,阈值电流密度为78.95A/cm2。结果表明新型深隔离槽结构可以有效抑制电流的侧向扩展。
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关键词
激光器
大功率半导体激光器
侧向限制
Comsol仿真
低阈值电流密度
原文传递
题名
大功率半导体激光器性能改善的研究
被引量：
6
1
作者
孔真真
崔碧峰
黄欣竹
李莎
房天啸
郝帅
机构
北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2017年第7期229-234,共6页
基金
国家自然科学基金(11204009)
北京市自然科学基金(4142005)
北京市教委创新能力提升计划(TJSHG201310005001)
文摘
电流的侧向限制对半导体激光器具有重要意义,在半导体激光器有源区加入侧向限制结构一方面可以实现侧向限制,另一方面可以在一定范围内降低阈值电流密度。但是常规的侧向限制方法无论是侧向波导结构还是浅隔离槽结构都无法高效地抑制电流的侧向扩展。设计了新型的深隔离槽结构,利用Comsol软件仿真模拟侧向限制,发现深度超过外延层厚度的深隔离槽结构能更有效地提高电流的注入效率。在工艺中利用感应耦合等离子体刻蚀在距离脊型台两侧100μm的位置刻蚀深度为4μm的深隔离槽。实验结果表明,工作电流为5A时,腔长4mm具有深隔离槽结构的半导体激光器芯片输出功率为3.6 W,阈值电流为0.3 A,阈值电流密度为78.95A/cm2。结果表明新型深隔离槽结构可以有效抑制电流的侧向扩展。
关键词
激光器
大功率半导体激光器
侧向限制
Comsol仿真
低阈值电流密度
Keywords
lasers
high
power
semiconductor
lasers
lateral
confinement
Comsol
simulation
low
threshold
current
density
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
大功率半导体激光器性能改善的研究
孔真真
崔碧峰
黄欣竹
李莎
房天啸
郝帅
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2017
6
原文传递
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