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氮化硅陶瓷的低温常压烧结及其力学性能 被引量：4
1
作者 李家亮 陈斐 牛金叶 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1309-1313,共5页
本文采用氧化镁(MgO)和磷酸铝(AlPO4)为烧结助剂,利用常压烧结工艺于1600℃制备了以α相为主相的氮化硅(Si3N4)陶瓷材料。利用XRD和SEM等对其物相组成和显微结构进行了表征,并分析烧结助剂含量对材料致密度的影响,研究氮化硅陶瓷的致密... 本文采用氧化镁(MgO)和磷酸铝(AlPO4)为烧结助剂,利用常压烧结工艺于1600℃制备了以α相为主相的氮化硅(Si3N4)陶瓷材料。利用XRD和SEM等对其物相组成和显微结构进行了表征,并分析烧结助剂含量对材料致密度的影响,研究氮化硅陶瓷的致密度与其力学性能之间的关系。结果表明:当AlPO4含量为20wt%～30wt%时,氮化硅陶瓷的致密度可达90%以上,抗弯强度为250～320 MPa。AlPO4在Si3N4陶瓷烧结中对提高其致密度与力学性能起到了重要的作用。 展开更多
关键词 氮化硅陶瓷 低温常压烧结 AlPO4
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LiAlO2为烧结助剂低温无压烧结制备致密Si3N4陶瓷 被引量：1
2
作者 郭昂 王战民 +1 位作者 赵世贤 李凌锋 《耐火材料》 CAS 北大核心 2020年第3期191-195,共5页
以高α相含量的Si3N4粉体为主要原料,LiAlO2作为烧结助剂,在1650℃无压烧结制备Si3N4陶瓷。研究LiAlO2烧结助剂含量(质量分数分别为6%、9%、12%、15%、18%)及保温时间(1、4、7、10 h)对Si3N4陶瓷试样的线收缩率、质量损失率、相对密度... 以高α相含量的Si3N4粉体为主要原料,LiAlO2作为烧结助剂,在1650℃无压烧结制备Si3N4陶瓷。研究LiAlO2烧结助剂含量(质量分数分别为6%、9%、12%、15%、18%)及保温时间(1、4、7、10 h)对Si3N4陶瓷试样的线收缩率、质量损失率、相对密度、相组成以及显微结构的影响。结果表明:LiAlO2能够显著降低Si3N4陶瓷的致密化温度。随着LiAlO2含量的增加,试样的相对密度先增大后减小,烧结助剂含量为12%(w)时相对密度达到97%以上。而β-Si3N4转化率随着LiAlO2含量的增加而升高。LiAlO2含量为12%(w),保温时间为4 h时,试样的相对密度达到最高。随着保温时间继续延长,相对密度略有降低。但β-Si3N4转化率则随着保温时间延长而不断升高。 展开更多
关键词 SI3N4陶瓷 低温无压烧结 LiAlO2助烧剂 致密化 β-Si3N4转化率
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Y_2O_3-Al_2O_3-SiO_2添加剂在低温烧结SiC中的作用 被引量：10
3
作者 朱玉梅 李志宏 靳正国 《陶瓷学报》 CAS 1999年第2期99-103,共5页
本文探讨了Ｙ２Ｏ３ － Ａｌ２Ｏ３ 添加剂在低温无压烧结ＳｉＣ 中的作用以及在Ｙ２Ｏ３ － Ａｌ２Ｏ３ 添加剂中引入ＳｉＯ２ 的作用及机理，从而阐明了通过多项合理、有效复合添加降低ＳｉＣ
关键词 低温 无压烧结 复合添加剂 碳化硅 助剂 陶瓷
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亚微米银焊膏的低温无压烧结性能研究
4
作者 李欣 汪智威 《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期974-981,共8页
烧结银焊膏具备高导热、高导电、低弹性模量和高可靠性等优异性能,可以最大程度地发挥出SiC和GaN器件的潜能,因此具有广阔的应用前景.为了降低银焊膏的制备成本,同时改善银焊膏的烧结性能,使用球形和片状两种亚微米银颗粒制备了3种烧结... 烧结银焊膏具备高导热、高导电、低弹性模量和高可靠性等优异性能,可以最大程度地发挥出SiC和GaN器件的潜能,因此具有广阔的应用前景.为了降低银焊膏的制备成本,同时改善银焊膏的烧结性能,使用球形和片状两种亚微米银颗粒制备了3种烧结银焊膏,通过分析银焊膏在200~250℃低温无压烧结后的电阻率、剪切强度和微观形貌,研究了不同形貌亚微米银颗粒及混合颗粒的低温无压烧结性能.研究表明:球形银颗粒制备的银焊膏在250℃烧结后,具有52.4 MPa的高剪切强度,同时其电阻率仅为6.28×10^(-8)Ω·m;银片制备的银焊膏烧结后的剪切强度始终较低且电阻率始终较大,在250℃烧结后,剪切强度为21.5 MPa,电阻率为15.54×10^(-8)Ω·m,这归因于银片的径向尺寸较大、振实密度较低和银片层层堆叠的烧结结构;混合颗粒的银焊膏展现出了在更低温度下烧结的潜力,在200℃烧结后,剪切强度为28.2 MPa,电阻率为7.77×10^(-8)Ω·m,这得益于银片可促进所选有机组分更早地去除和混合颗粒具有更高的初始堆积密度.本文研究成果有助于亚微米银颗粒焊膏的成熟稳定制备,也为低温无压烧结的高性能银焊膏的研发提供了新的思路. 展开更多
关键词 低温无压烧结 亚微米银颗粒 银片 芯片连接
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利用传统电炉低温烧结致密Si_(3)N_(4)陶瓷 被引量：1
5
作者 李凌锋 赵世贤 +3 位作者 郭昂 司瑶晨 王战民 王刚 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期67-72,共6页
Si_(3)N_(4)陶瓷具有高硬度、高耐磨以及高抗弯强度等优异特性,常常被应用于冶金、化工以及航空航天等现代化领域。Si_(3)N_(4)的强共价键使其难以致密化,因此热压烧结和气压烧结是目前制备致密Si_(3)N_(4)陶瓷最常见的方法。然而极高... Si_(3)N_(4)陶瓷具有高硬度、高耐磨以及高抗弯强度等优异特性,常常被应用于冶金、化工以及航空航天等现代化领域。Si_(3)N_(4)的强共价键使其难以致密化,因此热压烧结和气压烧结是目前制备致密Si_(3)N_(4)陶瓷最常见的方法。然而极高的烧结温度以及较大的N_(2)压力需求等极其苛刻的制备条件限制了致密Si_(3)N_(4)陶瓷的基础探索研究和工业化生产应用。因此,本工作提出设计以传统空气电炉作为烧结装置,通过埋碳低温制备致密Si_(3)N_(4)陶瓷,研究该工艺条件下实验用坩埚、填埋Si_(3)N_(4)粉体以及烧结试样的物相变化和微观结构,结果表明:(1)Si_(3)N_(4)的分解使得坩埚表层生成不规则的SiC纤维堆积,较低的氧分压使所埋Si_(3)N_(4)粉体经烧结后仍存在较多Si_(3)N_(4)和少量Si_(2)N_(2)O;(2)烧结后的试样仅表面存在少量Si_(2)N_(2)O,而试样内部并未出现Si_(2)N_(2)O相;(3)1650℃低温烧结后试样致密度达到98%以上,显微组织均匀,且具有良好的性能。 展开更多
关键词 Si_(3)N_(4)陶瓷 低温无压烧结 致密化 相变化 性能
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