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单晶硅中替位碳含量的常/低温红外光谱对比研究
被引量：
3
1
作者
李愿杰
李智伟
《东方电气评论》
2013年第4期12-15,共4页
对不同单晶硅片中的替位碳含量进行了常温/低温(<15K)红外光谱测试。通过对比研究发现,在所有实验样品中,除一个碳含量高的样品相对偏差较大以外,其余样品的相对偏差都很小,均在±0.06ppma以内。实验证明低温(<15K)红外光谱...
对不同单晶硅片中的替位碳含量进行了常温/低温(<15K)红外光谱测试。通过对比研究发现,在所有实验样品中,除一个碳含量高的样品相对偏差较大以外,其余样品的相对偏差都很小,均在±0.06ppma以内。实验证明低温(<15K)红外光谱可以替代常温红外光谱完成杂质碳含量的检测,低温红外光谱的一次扫描即可同时完成碳、硼、磷杂质的含量检测。本文为多晶硅生产中的杂质含量分析提供了一种快速、高效的检测模式,避免了设备的重复和资源的浪费。
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关键词
单晶硅
替位碳含量
低温红外光谱
下载PDF
职称材料
题名
单晶硅中替位碳含量的常/低温红外光谱对比研究
被引量：
3
1
作者
李愿杰
李智伟
机构
东方电气集团中央研究院
乐电天威硅业科技有限责任公司
出处
《东方电气评论》
2013年第4期12-15,共4页
文摘
对不同单晶硅片中的替位碳含量进行了常温/低温(<15K)红外光谱测试。通过对比研究发现,在所有实验样品中,除一个碳含量高的样品相对偏差较大以外,其余样品的相对偏差都很小,均在±0.06ppma以内。实验证明低温(<15K)红外光谱可以替代常温红外光谱完成杂质碳含量的检测,低温红外光谱的一次扫描即可同时完成碳、硼、磷杂质的含量检测。本文为多晶硅生产中的杂质含量分析提供了一种快速、高效的检测模式,避免了设备的重复和资源的浪费。
关键词
单晶硅
替位碳含量
低温红外光谱
Keywords
mono-crystalline
silicon：
substitutional
carbon
concentration
low
temperature
infi
＇
ared
spectroscopy
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
O657.33 [理学—分析化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
单晶硅中替位碳含量的常/低温红外光谱对比研究
李愿杰
李智伟
《东方电气评论》
2013
3
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