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LPCVD制备多晶Si薄膜的工艺和性能分析 被引量：1
1
作者 胡佳宝 何晓雄 杨旭 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1496-1499,1540,共5页
文章利用低压化学气相沉积法(LPCVD),在单晶Si衬底上制备多晶Si薄膜。利用原子力显微镜观察薄膜厚度和镀膜温度对多晶Si薄膜表面形貌的影响,并利用XRD研究退火温度对多晶Si薄膜结晶性能的影响。结果表明:镀膜温度越高、薄膜越厚,薄膜的... 文章利用低压化学气相沉积法(LPCVD),在单晶Si衬底上制备多晶Si薄膜。利用原子力显微镜观察薄膜厚度和镀膜温度对多晶Si薄膜表面形貌的影响,并利用XRD研究退火温度对多晶Si薄膜结晶性能的影响。结果表明:镀膜温度越高、薄膜越厚,薄膜的晶粒尺寸越大;退火温度越高,薄膜的结晶越好。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 低压化学气相沉积 表面形貌 X射线衍射
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