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低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
1
作者
宋书林
陈诺夫
+3 位作者
周剑平
李艳丽
杨少延
刘志凯
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期258-261,共4页
室温条件下 ,用离子束外延设备制备 ( Ga,Gd,As)样品 ,X射线衍射 ( XRD)结果表明除了 Ga As衬底峰 ,没有发现其他新相的衍射峰。俄歇电子能谱 ( AES)分析了样品中元素随深度的变化 ,不同样品中元素的分布有着不同的特点。并运用原子力...
室温条件下 ,用离子束外延设备制备 ( Ga,Gd,As)样品 ,X射线衍射 ( XRD)结果表明除了 Ga As衬底峰 ,没有发现其他新相的衍射峰。俄歇电子能谱 ( AES)分析了样品中元素随深度的变化 ,不同样品中元素的分布有着不同的特点。并运用原子力显微镜 ( AFM)研究了样品表面的形貌特点 ,表明样品表面的粗糙度与 Gd注入过程中在样品表面沉积的多少有关。运用交变梯度磁强计 ( AGM)对薄膜进行磁性分析 ,结果表明有的样品在室温条件下出现铁磁性 ,但金属钆本身具有室温铁磁性 ,因而需要进一步分析。
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关键词
镓、钆、砷薄膜
低能离子束系统
砷化镓衬底
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职称材料
低能强流离子束装置计算机控制系统
被引量：
2
2
作者
马瑞刚
李康宁
+5 位作者
崔宝群
姜冲
李立强
马鹰俊
唐兵
李爱玲
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期461-464,共4页
为实现低能强流离子束装置自动化,提高抗干扰能力和稳定度,研究开发了低能强流离子束装置计算机控制系统。该控制系统采用西门子S7-300PLC,下位机使用STEP7 V5组态软件进行编程,控制界面用Lab Windows/CVI 6.0编制,控制位于3个不同电位...
为实现低能强流离子束装置自动化,提高抗干扰能力和稳定度,研究开发了低能强流离子束装置计算机控制系统。该控制系统采用西门子S7-300PLC,下位机使用STEP7 V5组态软件进行编程,控制界面用Lab Windows/CVI 6.0编制,控制位于3个不同电位的离子束系统。文章描述了控制系统的总体结构、硬件选取和软件实现的功能,讨论了系统在调试过程中抑制干扰的方法。
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关键词
低能强流离子束系统
计算机控制
连锁保护
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职称材料
低能离子束原位研究系统的建立及其应用
3
作者
邓宗武
郭伟民
+1 位作者
刘焕明
曹立礼
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1999年第5期321-325,335,共6页
介绍一套具有质量分辨能力的低能离子束原位研究系统及其性能。在该系统中 ,低能离子束能量可调范围为 5～ 2 0 0eV ,束流为 1～ 6 μA ;在 10 0eV的能量下 ,束流密度可达 10 0 μA/cm2 ;离子束能量降至 10eV时 ,束流密度为 10～ 2 0 μ...
介绍一套具有质量分辨能力的低能离子束原位研究系统及其性能。在该系统中 ,低能离子束能量可调范围为 5～ 2 0 0eV ,束流为 1～ 6 μA ;在 10 0eV的能量下 ,束流密度可达 10 0 μA/cm2 ;离子束能量降至 10eV时 ,束流密度为 10～ 2 0 μA/cm2 。能量分散为± 0 5eV。离子的质量和能量分别由四极质谱仪和筒镜能量分析器表征 ,离子束束流和束流密度分布用两个法拉第杯进行测量。WienFilter的质量分辨率为 4 0。系统上装有XPS ,UPS ,LEED等分析仪器 。
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关键词
低能
离子束
原位研究系统
费米能级
磷化铟
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职称材料
题名
低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
1
作者
宋书林
陈诺夫
周剑平
李艳丽
杨少延
刘志凯
机构
中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室
中国科学院力学研究所国家微重力实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期258-261,共4页
基金
国家自然科学基金 60 1760 0 1
国家重大基础研究计划项目 G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5共同资助
文摘
室温条件下 ,用离子束外延设备制备 ( Ga,Gd,As)样品 ,X射线衍射 ( XRD)结果表明除了 Ga As衬底峰 ,没有发现其他新相的衍射峰。俄歇电子能谱 ( AES)分析了样品中元素随深度的变化 ,不同样品中元素的分布有着不同的特点。并运用原子力显微镜 ( AFM)研究了样品表面的形貌特点 ,表明样品表面的粗糙度与 Gd注入过程中在样品表面沉积的多少有关。运用交变梯度磁强计 ( AGM)对薄膜进行磁性分析 ,结果表明有的样品在室温条件下出现铁磁性 ,但金属钆本身具有室温铁磁性 ,因而需要进一步分析。
关键词
镓、钆、砷薄膜
低能离子束系统
砷化镓衬底
Keywords
(Ga,
Gd,
As)
film
low
energy
ion
beam
system
GaAs
substrate
分类号
TN304.7 [电子电信—物理电子学]
TN304.054
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职称材料
题名
低能强流离子束装置计算机控制系统
被引量：
2
2
作者
马瑞刚
李康宁
崔宝群
姜冲
李立强
马鹰俊
唐兵
李爱玲
机构
中国原子能科学研究院核物理研究所
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期461-464,共4页
文摘
为实现低能强流离子束装置自动化,提高抗干扰能力和稳定度,研究开发了低能强流离子束装置计算机控制系统。该控制系统采用西门子S7-300PLC,下位机使用STEP7 V5组态软件进行编程,控制界面用Lab Windows/CVI 6.0编制,控制位于3个不同电位的离子束系统。文章描述了控制系统的总体结构、硬件选取和软件实现的功能,讨论了系统在调试过程中抑制干扰的方法。
关键词
低能强流离子束系统
计算机控制
连锁保护
Keywords
low
-
energy
ion
beam
system
computer
control
chain
protect
ion
分类号
TL503.6 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
低能离子束原位研究系统的建立及其应用
3
作者
邓宗武
郭伟民
刘焕明
曹立礼
机构
清华大学化学系
香港中文大学化学系
香港中文大学物理系
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1999年第5期321-325,335,共6页
文摘
介绍一套具有质量分辨能力的低能离子束原位研究系统及其性能。在该系统中 ,低能离子束能量可调范围为 5～ 2 0 0eV ,束流为 1～ 6 μA ;在 10 0eV的能量下 ,束流密度可达 10 0 μA/cm2 ;离子束能量降至 10eV时 ,束流密度为 10～ 2 0 μA/cm2 。能量分散为± 0 5eV。离子的质量和能量分别由四极质谱仪和筒镜能量分析器表征 ,离子束束流和束流密度分布用两个法拉第杯进行测量。WienFilter的质量分辨率为 4 0。系统上装有XPS ,UPS ,LEED等分析仪器 。
关键词
低能
离子束
原位研究系统
费米能级
磷化铟
Keywords
low
energy
ion
beam
,In
situ
experimental
system
,Fermi
level,InP
分类号
O562.4 [理学—原子与分子物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
宋书林
陈诺夫
周剑平
李艳丽
杨少延
刘志凯
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
下载PDF
职称材料
2
低能强流离子束装置计算机控制系统
马瑞刚
李康宁
崔宝群
姜冲
李立强
马鹰俊
唐兵
李爱玲
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
下载PDF
职称材料
3
低能离子束原位研究系统的建立及其应用
邓宗武
郭伟民
刘焕明
曹立礼
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1999
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
统计分析
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