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一种低噪声、高电源抑制的低压降稳压器
被引量：
1
1
作者
李景虎
王永生
喻明艳
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期284-288,共5页
实现了一种低噪声、高电源抑制(PSR)的低压降线性稳压器。设计了一个新型的低温度系数高电源抑制的带隙基准源,这个基准源可以为稳压电路提供参考电压。采用带有低通滤波器的预调制电路来降低稳压器的输出噪声和高频电源行波干扰。测试...
实现了一种低噪声、高电源抑制(PSR)的低压降线性稳压器。设计了一个新型的低温度系数高电源抑制的带隙基准源,这个基准源可以为稳压电路提供参考电压。采用带有低通滤波器的预调制电路来降低稳压器的输出噪声和高频电源行波干扰。测试结果表明,该稳压器的线性调整率为0.57mV/V,负载调整率为0.1mV/mA,100kHz下的交流电源抑制为-60dB。在10Hz～1MHz频率范围内,仿真得到的总输出噪声只有4μVrmss。该稳压器采用上华CSMC0.6μm、5V混合信号CMOS工艺设计,有效芯片面积为600μm×560μm。
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关键词
电源抑制
低压降稳压器
预调制电路
带隙基准源
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职称材料
一种用于LDO稳压器的共享预稳压电路
被引量：
1
2
作者
李景虎
张兴宝
喻明艳
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期411-416,共6页
提出了一种用于LDO稳压器的共享预稳压电路。该共享预稳压电路中包含一个电源抑制减法电路以提高基准源的电源抑制,应用电流负反馈结构以降低基准源的温度系数和电源抑制随工艺阈值电压变化的敏感度,还可以降低LDO稳压器的输出噪声。仿...
提出了一种用于LDO稳压器的共享预稳压电路。该共享预稳压电路中包含一个电源抑制减法电路以提高基准源的电源抑制,应用电流负反馈结构以降低基准源的温度系数和电源抑制随工艺阈值电压变化的敏感度,还可以降低LDO稳压器的输出噪声。仿真结果表明在阈值电压发生±20%变化的情况下,基准源的温度系数变化只有0.11×10-6/℃,电源抑制变化为7 dB,在10 Hz～100 kHz频率范围内LDO稳压器总输出均方根噪声只有13μV。测试结果表明,该基准源的低频电源抑制为-68 dB,LDO稳压器的线性调整率和负载调整率分别为4 mV/V和0.04 mV/mA。应用该共享预稳压电路的LDO稳压器采用CSMC 0.6μm混合信号CMOS工艺设计,芯片面积为600μm×400μm,功耗为1.5 mW。
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关键词
共享预稳压电路
低压降稳压器
带隙基准源
电源抑制
温度系数
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职称材料
题名
一种低噪声、高电源抑制的低压降稳压器
被引量：
1
1
作者
李景虎
王永生
喻明艳
机构
哈尔滨工业大学微电子中心
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期284-288,共5页
文摘
实现了一种低噪声、高电源抑制(PSR)的低压降线性稳压器。设计了一个新型的低温度系数高电源抑制的带隙基准源,这个基准源可以为稳压电路提供参考电压。采用带有低通滤波器的预调制电路来降低稳压器的输出噪声和高频电源行波干扰。测试结果表明,该稳压器的线性调整率为0.57mV/V,负载调整率为0.1mV/mA,100kHz下的交流电源抑制为-60dB。在10Hz～1MHz频率范围内,仿真得到的总输出噪声只有4μVrmss。该稳压器采用上华CSMC0.6μm、5V混合信号CMOS工艺设计,有效芯片面积为600μm×560μm。
关键词
电源抑制
低压降稳压器
预调制电路
带隙基准源
Keywords
power
supply
rejection
low
droupout
regulator
pre-
regulator
bandgap
reference
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种用于LDO稳压器的共享预稳压电路
被引量：
1
2
作者
李景虎
张兴宝
喻明艳
机构
哈尔滨工业大学(威海)国际微电子中心
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期411-416,共6页
基金
哈工大科研创新基金(HIT.NSRIF.201004)
哈工大(威海)博士启动基金(HIF(wh)XB200910)
文摘
提出了一种用于LDO稳压器的共享预稳压电路。该共享预稳压电路中包含一个电源抑制减法电路以提高基准源的电源抑制,应用电流负反馈结构以降低基准源的温度系数和电源抑制随工艺阈值电压变化的敏感度,还可以降低LDO稳压器的输出噪声。仿真结果表明在阈值电压发生±20%变化的情况下,基准源的温度系数变化只有0.11×10-6/℃,电源抑制变化为7 dB,在10 Hz～100 kHz频率范围内LDO稳压器总输出均方根噪声只有13μV。测试结果表明,该基准源的低频电源抑制为-68 dB,LDO稳压器的线性调整率和负载调整率分别为4 mV/V和0.04 mV/mA。应用该共享预稳压电路的LDO稳压器采用CSMC 0.6μm混合信号CMOS工艺设计,芯片面积为600μm×400μm,功耗为1.5 mW。
关键词
共享预稳压电路
低压降稳压器
带隙基准源
电源抑制
温度系数
Keywords
sharing
pre-
regulator
low
droupout
regulator
（LDO）
bandgap
reference
power
supply
rejection（PSR）
temperature
coefficient（TC）
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TM44 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种低噪声、高电源抑制的低压降稳压器
李景虎
王永生
喻明艳
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
下载PDF
职称材料
2
一种用于LDO稳压器的共享预稳压电路
李景虎
张兴宝
喻明艳
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
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职称材料
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