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昆明物理研究所大面积水平推舟液相外延碲镉汞薄膜技术进展 被引量:3
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作者 孔金丞 宋林伟 +8 位作者 起文斌 姜军 丛树仁 刘燕 荣徽宇 许江明 方东 赵鹏 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2023年第2期111-122,共12页
报道了近年来昆明物理研究所在富碲水平推舟液相外延碲镉汞外延薄膜制备技术方面的进展。2019年以来,突破了Ф120 mm碲锌镉晶体定向生长技术,使碲锌镉衬底沉积相和夹杂相密度≤5×103 cm^(-2),位错腐蚀坑密度(EPD)≤4.0×10^(4)... 报道了近年来昆明物理研究所在富碲水平推舟液相外延碲镉汞外延薄膜制备技术方面的进展。2019年以来,突破了Ф120 mm碲锌镉晶体定向生长技术,使碲锌镉衬底沉积相和夹杂相密度≤5×103 cm^(-2),位错腐蚀坑密度(EPD)≤4.0×10^(4)cm^(-2),Ф120 mm(111)晶圆衬底的Zn组份分布极差≤0.36%。基于碲锌镉衬底技术的进步,液相外延碲镉汞薄膜的最大生长尺寸达到了70 mm×75 mm,薄膜位错腐蚀坑密度均值为5×10^(4)cm^(-2),X射线双晶回摆曲线半峰宽(DCRC-FWHM)≤35 arcsec,部分可控制到25 arcsec以下;50 mm×60 mm尺寸长波碲镉汞薄膜的厚度极差≤±1.25μm,室温截止波长极差≤±0.1μm,中波碲镉汞薄膜相应指标分别为≤±1μm、≤±0.05μm。材料技术的进展促进了制冷型碲镉汞探测器产能提升和成本的降低,也支撑了高性能长波/甚长波探测器、高工作温度(HOT)探测器以及2048×2048、4096×4096等甚高分辨率高性能探测器的研制。 展开更多
关键词 液相外延 碲锌镉衬底 碲镉汞薄膜
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Liquid phase epitaxy magnetic garnet films and their applications 被引量:3
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作者 Yi-Heng Rao Huai-Wu Zhang +4 位作者 Qing-Hui Yang Dai-Nan Zhang LI-Chuan Jln Bo Ma Yu-Juan Wu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第8期62-71,共10页
Liquid phase epitaxy (LPE) is a mature technology. Early experiments on single magnetic crystal films fabricated by LPE were focused mainly on thick films for microwave and magneto-optical devices. The LPE is an exc... Liquid phase epitaxy (LPE) is a mature technology. Early experiments on single magnetic crystal films fabricated by LPE were focused mainly on thick films for microwave and magneto-optical devices. The LPE is an excellent way to make a thick film, low damping magnetic garnet film and high-quality magneto-optical material. Today, the principal challenge in the applied material is to create sub-micrometer devices by using modern photolithography technique. Until now the magnetic garnet films fabricated by LPE still show the best quality even on a nanoscale (about 100 nm), which was considered to be impossible for LPE method. 展开更多
关键词 liquid phase epitaxy lpe magnetic garnet MAGNETO-OPTICAL SPINTRONICS magnonics
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CdZnTe中富碲沉积相缺陷引起的液相外延HgCdTe薄膜表面缺陷 被引量:4
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作者 张阳 吴军 +2 位作者 木胜 左大凡 李东升 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期728-733,共6页
为了研究液相外延碲镉汞薄膜表面缺陷形成机制,采用光刻工艺结合化学腐蚀方法在碲锌镉衬底表面实现了网格化,研究了碲锌镉近表面富碲沉积相与外延薄膜表面缺陷的关系.结果表明:衬底近表面富碲沉积相会导致碲镉汞薄膜表面孔洞、类针形凹... 为了研究液相外延碲镉汞薄膜表面缺陷形成机制,采用光刻工艺结合化学腐蚀方法在碲锌镉衬底表面实现了网格化,研究了碲锌镉近表面富碲沉积相与外延薄膜表面缺陷的关系.结果表明:衬底近表面富碲沉积相会导致碲镉汞薄膜表面孔洞、类针形凹陷坑缺陷以及三角形凹陷坑聚集区;在液相外延过程中,高温碲镉汞熔液与CdZnTe衬底间的回熔作用可以减少与富碲沉积相相关的表面缺陷,薄膜表面缺陷与衬底表面富碲沉积相的匹配度与回熔深度负相关;回熔过程以及富碲沉积相形态、深度影响HgCdTe薄膜表面缺陷形态和分布. 展开更多
关键词 富碲沉积相 液相外延 碲镉汞 碲锌镉 表面缺陷
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大尺寸碲镉汞材料研究现状与趋势 被引量:2
4
作者 李燕兰 高达 +4 位作者 李震 王丹 王丛 谭振 孙浩 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2022年第8期1204-1210,共7页
随着大面阵红外探测器技术研究越来越深入,大尺寸红外探测器材料技术成为制约红外探测器技术发展的重要环节。本文介绍了Sofradir公司、Teledyne公司、Raytheon公司、AIM公司红外探测器材料研究的现状,从生长方式、衬底选择等方向分析... 随着大面阵红外探测器技术研究越来越深入,大尺寸红外探测器材料技术成为制约红外探测器技术发展的重要环节。本文介绍了Sofradir公司、Teledyne公司、Raytheon公司、AIM公司红外探测器材料研究的现状,从生长方式、衬底选择等方向分析大尺寸碲镉汞材料研究现状与趋势。 展开更多
关键词 碲镉汞 大尺寸 分子束外延 液相外延
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高功率1.55μm半导体激光器 被引量:3
5
作者 黎荣晖 赵英杰 +1 位作者 晏长岭 钟景昌 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期90-92,共3页
1 .55μm半导体激光器有很多突出的优点 ,但普通的双异质结激光器功率小 ,且对温度很敏感。本文将大光腔结构形式引入 1.55μmGaInAsP/InP半导体激光器中 ,用液相外延技术研制成功了脉冲峰值功率超过 2W的 1.55μmGaInAsP/InP半导体激... 1 .55μm半导体激光器有很多突出的优点 ,但普通的双异质结激光器功率小 ,且对温度很敏感。本文将大光腔结构形式引入 1.55μmGaInAsP/InP半导体激光器中 ,用液相外延技术研制成功了脉冲峰值功率超过 2W的 1.55μmGaInAsP/InP半导体激光器。普通双异质结构激光器特征温度T0 为 50~ 70K[1] ;而本文研制的大光腔结构为 10 0~ 140K。激光器的寿命超过 10 0 展开更多
关键词 半导体激光器 大光腔结构 液相外延 HIGH POWER 1.55μm SEMICONDUCTOR LASER LI Ronghui ZHAO Yingjie Yan Changling Zhong Jingchang
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用液相外延法生长3~7μm波段InAs/InAs_(1-y)Sb_y及其光学和电学性质 被引量:2
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作者 高玉竹 龚秀英 +2 位作者 Makino T Yamaguchi T Rowell N L 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期286-290,共5页
用液相外延(LPE)法在InAs衬底上生长了3~7μm波段的InAs1-ySby外延层,研究了外延多层的组份与禁带宽度和晶格常数的关系。用光学显微镜、傅立叶变换红外(FTIR)透射、光荧光(PL)谱测试以及偏振光椭圆仪研究了外延材料的光学特性。电学... 用液相外延(LPE)法在InAs衬底上生长了3~7μm波段的InAs1-ySby外延层,研究了外延多层的组份与禁带宽度和晶格常数的关系。用光学显微镜、傅立叶变换红外(FTIR)透射、光荧光(PL)谱测试以及偏振光椭圆仪研究了外延材料的光学特性。电学性质是将计算值与实测有效霍尔(Hall)参数的厚度关系拟合得到的。结果表明,本文生长的材料在中红外光伏型探测器上具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 InAs/InAsSb 液相外延(lpe) 光学性质 电学性质
原文传递
过冷度对液相外延HgCdTe薄膜厚度均匀性的影响 被引量:2
7
作者 陆骏 李东升 +5 位作者 吴军 万志远 宋林伟 李沛 张阳 孔金丞 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期165-170,共6页
探索了一种准确测量过冷度的实验方法,并在此基础上,利用光学显微镜、傅里叶红外透射光谱仪、台阶仪、白光干涉仪等测试手段分析了过冷度对Hg Cd Te薄膜厚度均匀性的影响.研究结果表明,过冷度小于2℃,薄膜容易出现中心凹陷、四周凸起的... 探索了一种准确测量过冷度的实验方法,并在此基础上,利用光学显微镜、傅里叶红外透射光谱仪、台阶仪、白光干涉仪等测试手段分析了过冷度对Hg Cd Te薄膜厚度均匀性的影响.研究结果表明,过冷度小于2℃,薄膜容易出现中心凹陷、四周凸起的现象;过冷度大于3℃,薄膜中心将会明显凸起,出现宽度为毫米级的周期性起伏,并伴随有crosshatch线产生.当过冷度为2. 5℃时,薄膜厚度极差可缩小至0. 5μm,0. 5 mm×0. 5 mm范围内薄膜相对于衬底的粗糙度增加量为9. 07 nm. 展开更多
关键词 碲镉汞 过冷度 厚度均匀性 液相外延
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MCT液相外延薄膜的生长和特性 被引量:2
8
作者 王跃 汤志杰 +1 位作者 庄维莎 何景福 《红外技术》 CSCD 1991年第1期6-10,共5页
用开管水平液相外延系统从富Te溶剂中生长了不同x值的MCT薄膜。经X射线衍射、Hall电学参数、红外光谱、扫描电镜、X射线能谱仪和电子通道花样分析测试,结果表明:外延薄膜表面平整,光学参数较好,纵向、横向组份均匀,晶体结构完整,电学参... 用开管水平液相外延系统从富Te溶剂中生长了不同x值的MCT薄膜。经X射线衍射、Hall电学参数、红外光谱、扫描电镜、X射线能谱仪和电子通道花样分析测试,结果表明:外延薄膜表面平整,光学参数较好,纵向、横向组份均匀,晶体结构完整,电学参数较好,外延膜质量优良。短波材料(n型):载流子浓度3.54×10^(14)cm^(-3),迁移率1.63×10~4cm^2V^(-1)s^(-1);中波材料(n型):载流子浓度9.95×10^(14)cm^(-3),迁移率为1.76×10~4cm^2V^(-1)s^(-1);原生长波材料(n型):载流子浓度为2.15×10^(15)cm^(-3),迁移率2.00×10~4cm^2V^(-1)s^(-1)。 展开更多
关键词 液相外延 薄膜生长 碲镉汞 MTC膜
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Bismuth-Substituted Yttrium Iron Garnet Film/Crystal Composite for Faraday Rotators
9
作者 黄敏 徐志成 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第S1期150-154,共5页
The novel bismuth-substituted rare earth iron garnet films were grown by the modified liquid phase epitaxy (LPE) technique for use as a 45° faraday rotator in optical isolators. First,single crystals of Y_3Fe_5O_... The novel bismuth-substituted rare earth iron garnet films were grown by the modified liquid phase epitaxy (LPE) technique for use as a 45° faraday rotator in optical isolators. First,single crystals of Y_3Fe_5O_(12) (YIG),with a lattice constant of 1.2378 nm,were grown by means of the Czochralski method. Using YIG instead of the conventional non-magnetic garnet of Gd_3Ga_5O_(12) (GGG) as a substrate,a film of BiYbIG was grown by means of the LPE method from Bi_2O_3-B_2O_3 fluxes. The structural,magnetic and magneto-optical properties of BiYbIG LPE film/YIG crystal composite were investigated using X-ray diffraction (XRD),electron probe microanalysis (EPMA),vibrating sample magnetometry (VMS) and near-infrared transmission spectrometry. The saturation magnetization 4π M _s was estimated to be about 1200 G. The Faraday rotation spectrum was measured by the method of rotating analyzer ellipsometry (RAE) with the wavelength varied from 800 to 1700 nm. The resultant Bi_(0.37)Yb_(2.63)Fe_5O_(12) LPE film/YIG crystal composite shows an increased Faraday rotation coefficient due to doping Bi (3+) ions on the dodecahedral sites of the magnetic garnet without increasing absorption loss,therefore a good magneto-optic figure of merit,defined by the ratio of Faraday rotation and optical absorption loss,can achieved of 21.5 and 30.2 °/dB at 1300 and 1550 nm wavelengths respectively at room temperature. Since Yb (3+) ions and Y (3+) ions provide the opposite contributes to the wideband and temperature characteristics of Faraday rotation,the values of Faraday rotation wavelength and temperature coefficients are reduced to 0.06%/nm and 0 007 °·℃ (-1) at 1550 nm wavelength,respectively. 展开更多
关键词 optical materials liquid phase epitaxy (lpe) magneto-optical properties rare earths
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台湾LED/OLED光电材料与组件技术的发展
10
作者 陈泽澎 林晋声 《中国材料进展》 CAS CSCD 2010年第12期52-58,共7页
台湾发光二极管(Light Emitting Diode,LED)的产量已达到世界第一,产值则居世界第二。将回顾台湾发光二极管产业的发展历史,并探讨产业界及研发单位在发光二极管效率提升与质量改善方面的一些重要技术发展历程。有机电激发光(OLED)组件... 台湾发光二极管(Light Emitting Diode,LED)的产量已达到世界第一,产值则居世界第二。将回顾台湾发光二极管产业的发展历史,并探讨产业界及研发单位在发光二极管效率提升与质量改善方面的一些重要技术发展历程。有机电激发光(OLED)组件的发展过程,除了显示器的应用发展优势之外,固态照明也是台湾近期的研发重点之一,文中将探讨磷光有机材料、组件结构技术的开发及OLED的发展趋势。 展开更多
关键词 发光二极管 磷砷化镓 磷化铝镓铟 氮化铝镓铟 液相磊晶成长 有机金属气相磊晶成长 有机电激发光组件
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过冷度对Ⅲ-Ⅴ族五元系化合物AlGaInPAs LPE生长的影响
11
作者 徐自亮 徐万劲 +2 位作者 李力 杨澄清 刘弘度 《北京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期600-603,共4页
计算了Ⅲ-Ⅴ族五元系化合物AlGaInPAs与GaAs晶格匹配时的等能隙曲线以及液相外延生长AlGaInPAs/GaAs所用母液中Al的分凝系数。实验证明,由于Al的分凝,使过冷度对Al-GaInPAs外延层的固相组... 计算了Ⅲ-Ⅴ族五元系化合物AlGaInPAs与GaAs晶格匹配时的等能隙曲线以及液相外延生长AlGaInPAs/GaAs所用母液中Al的分凝系数。实验证明,由于Al的分凝,使过冷度对Al-GaInPAs外延层的固相组分有显著影响,但对外延层的其他性质没有影响。 展开更多
关键词 五元系 AlGaInPAs 半导体 化合物 lpe
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砷化镓液相外延片均匀性的研究
12
作者 王林海 袁炳辉 付浚 《河北工学院学报》 1994年第1期65-69,共5页
介绍了在GaAs液相外延过程中,通过改变源溶液的配比及处理方法、外延生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件,制做出厚度均匀、掺杂浓度分布均匀的GaAs外延片,并确定了比较好的生长工艺条件.这对生长高质量的GaAs... 介绍了在GaAs液相外延过程中,通过改变源溶液的配比及处理方法、外延生长温度、降温速率、石墨舟的结构等工艺条件,制做出厚度均匀、掺杂浓度分布均匀的GaAs外延片,并确定了比较好的生长工艺条件.这对生长高质量的GaAs外延片及制做参数一致性好、可靠性高的化合物半导体器件有一定实际意义. 展开更多
关键词 液相外廷 均匀性 生长温度
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液相外延长波碲镉汞薄膜化学机械抛光工艺研究
13
作者 王静宇 宋林伟 +4 位作者 孔金丞 吴军 洪雁 张阳 李东升 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期925-930,共6页
基于碲镉汞液相外延材料表面固有的宏观缺陷,采用化学机械抛光(CMP)方法对材料表面进行抛光平坦化,利用光学显微镜、白光干涉仪、激光共聚焦显微镜等分析方法对化学机械抛光前、后的材料表面进行分析表征。研究结果表明,化学机械抛光工... 基于碲镉汞液相外延材料表面固有的宏观缺陷,采用化学机械抛光(CMP)方法对材料表面进行抛光平坦化,利用光学显微镜、白光干涉仪、激光共聚焦显微镜等分析方法对化学机械抛光前、后的材料表面进行分析表征。研究结果表明,化学机械抛光工艺能有效去除外延材料表面固有的竖纹、花纹、斜纹等宏观缺陷,同时可明显改善外延材料表面平整度及粗糙度,0.5 mm×0.5 mm范围内薄膜表面平整度值降低到20 nm以下,粗糙度值降低到4 nm以下,提高了碲镉汞外延材料表面质量。化学机械抛光后的长波材料经标准器件工艺制备出的焦平面器件可达到较好长波器件水平。 展开更多
关键词 碲镉汞(MCT) 化学机械抛光(CMP) 液相外延 粗糙度 平整度
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液相外延用碲镉汞母液晶锭的组分均匀性
14
作者 陈建才 孔金丞 马庆华 《红外》 CAS 2011年第3期19-22,共4页
开展了液相外延用碲镉汞母液晶锭的合成工艺优化研究。通过优化合成温度、合成时间、摇炉速率和淬火工艺,有效提高了碲镉汞晶锭的纵向组分均匀性。用改进工艺后合成的碲镉汞母液晶锭生长了28个外延薄膜样品,其组分平均偏差为0.95%,满足... 开展了液相外延用碲镉汞母液晶锭的合成工艺优化研究。通过优化合成温度、合成时间、摇炉速率和淬火工艺,有效提高了碲镉汞晶锭的纵向组分均匀性。用改进工艺后合成的碲镉汞母液晶锭生长了28个外延薄膜样品,其组分平均偏差为0.95%,满足第二代红外焦平面探测器研制对探测器材料组分均匀性的要求。 展开更多
关键词 液相外延 碲镉汞母液 组分均匀性
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p型掺杂晶体硅的低温液相(001)外延生长研究 被引量:1
15
作者 张范 肖志刚 周浪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2078-2083,共6页
为寻求以低成本制备n型太阳电池的pn结,进行了Al-17.6wt%Si合金熔体中(001)n型单晶硅衬底上液相外延生长p型掺杂硅实验。所用方法为垂直浸渍法,实验了过冷恒温生长与回熔处理后连续冷却生长两种模式,过程中体系以流动高纯氩保护。对所... 为寻求以低成本制备n型太阳电池的pn结,进行了Al-17.6wt%Si合金熔体中(001)n型单晶硅衬底上液相外延生长p型掺杂硅实验。所用方法为垂直浸渍法,实验了过冷恒温生长与回熔处理后连续冷却生长两种模式,过程中体系以流动高纯氩保护。对所得外延生长晶体结构、形貌及所得pn结开路电压进行了分析和测定。结果显示,合金熔体中硅晶体(001)液相外延生长能够实现,但一般呈离散分布的金字塔型岛状生长;只有衬底回熔处理后原位连续降温生长模式可获得连续外延薄膜,之后在其上出现岛状生长,呈现Stranski-Krastanov生长模式。所得连续外延薄膜形成的pn结开路电压比恒温生长所得的提升约100 m V;连续外延薄膜形成后期出现的岛状生长使开路电压明显下降;生长速度提高会使连续降温外延生长pn结开路电压略有降低。 展开更多
关键词 低温液相外延(lpe) 铝-硅熔体 P-N结
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对Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池结构的一点新看法
16
作者 鞠定德 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期87-89,共3页
用液相外延技术制备p-Ga_(1-x)Al_x/p-GaAs/n-GaAs结构的太阳电池,并获得AM1效率20.2%,AM0效率16%~17%.现已用研制出的GaAs电池单片,组装成组件,安装在我国1994年2月8日发射的实践4号卫星上作挂片实验.作者对此结构太阳电池提出一点新... 用液相外延技术制备p-Ga_(1-x)Al_x/p-GaAs/n-GaAs结构的太阳电池,并获得AM1效率20.2%,AM0效率16%~17%.现已用研制出的GaAs电池单片,组装成组件,安装在我国1994年2月8日发射的实践4号卫星上作挂片实验.作者对此结构太阳电池提出一点新看法,同时提出北场GaAs太阳电池构想. 展开更多
关键词 液相外延 太阳能电池 电池 制造
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用于DLTS测试的MOS结构
17
作者 陈诺夫 《河北工学院学报》 1992年第2期95-100,共6页
本文采用阳极氧化工艺制备AlGaAs/GaAs自身氧化膜,进而制成MOS结构。对氧化膜的组分和稳定性,以及MOS结构的C—V特性进行了实际测量和理论分析。实验结果表明:经氮气退火后的氧化膜的电学性质稳定。本文得出了适合于深能级瞬态谱测试的... 本文采用阳极氧化工艺制备AlGaAs/GaAs自身氧化膜,进而制成MOS结构。对氧化膜的组分和稳定性,以及MOS结构的C—V特性进行了实际测量和理论分析。实验结果表明:经氮气退火后的氧化膜的电学性质稳定。本文得出了适合于深能级瞬态谱测试的MOS结构,及采用MOS结构进行DLTS测试的测试条件。 展开更多
关键词 深能级 MOS结构 DLTS 测试 半导体
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InGaAs/InGaAsP/InP长波长雪崩光电二极管研究 被引量:1
18
作者 李锋 王树堂 +6 位作者 曾靖 樊爱香 夏彩虹 孙捷 胡春阳 白金花 陈心敏 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期67-72,共6页
研制了高速、高效、低噪声的InGaAs/InGaAsP/InP长波长(1.0~1.7μm)台面型雪崩光电二极管(φ=75μm),器件采用分离的吸收区、雪崩区和能隙过渡区的SAGM结构。研究了器件最佳结构参数设置、在InP上匹配生长InGaAs、InGa AsP及其厚度和... 研制了高速、高效、低噪声的InGaAs/InGaAsP/InP长波长(1.0~1.7μm)台面型雪崩光电二极管(φ=75μm),器件采用分离的吸收区、雪崩区和能隙过渡区的SAGM结构。研究了器件最佳结构参数设置、在InP上匹配生长InGaAs、InGa AsP及其厚度和载流子浓度的控制问题。器件最大倍增因子大于50,灵敏度大于0.70μA/μW,暗电流I_D的典型值约为20nA(V_r=0.9V_B)。 展开更多
关键词 光电二极管 雪崩倍增管 耗尽层
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