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线性变掺杂高阻漂移区LDMOS导通电阻的建模
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作者 王龙 高珊 +1 位作者 陈军宁 柯导明 《电子技术（上海）》 2011年第5期66-68,共3页
首先建立了线性变掺杂高阻漂移区LDMOS的导通电阻的模型,通过分析、计算,得出它的导通电阻的解析表达式,然后用MATLAB软件和MEDICI软件对总导通电阻和各部分电阻进行模拟。经过讨论,得出其性能优于均匀掺杂高阻漂移区LDMOS的结论。
关键词 横向扩散金属氧化物半导体 高阻漂移区 线性变掺杂 导通电阻 解析模型
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