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题名温度场的分布对多晶硅酸腐蚀绒面形貌的影响
被引量：2
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作者
徐华天
冯仕猛
单以洪
雷刚
鞠雪梅
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机构
上海交通大学物理系
上海空间电源研究所
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出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期233-238,共6页
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基金
上海航天基金(HTJ10-30)资助课题
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文摘
通过热传导方程,根据不同的边界条件,分别计算了多晶硅酸腐蚀反应时腐蚀坑周围的温度场分布。模拟计算表明:如在酸腐蚀液中采用制冷措施,使酸腐蚀液本体温度维持在15℃,会使硅表面腐蚀坑底部与腐蚀坑开口温度差变大,有利于绒面获得开口小深度大的陷阱坑;如不控制酸液温度,则会导致腐蚀坑底部与坑开口温度差较小,从而使硅片表面产生深度浅、开口大的陷阱坑。在不同的温度下对多晶表面进行酸腐蚀制绒,样品表面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,低温下绒面腐蚀坑密度大、深度大且开口小,与模拟分析结果基本相符。
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关键词
表面光学
多晶硅
表面结构
陷光效应
温度场
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Keywords
optics at： surfaces
multi-crystalline silicon
surface structure
light trap effect
temperature distribution
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分类号
TM914.4
[电气工程—电力电子与电力传动]
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