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基于不同位置掺硼直拉单晶硅片的PERC电池的原位光衰及电注入复原 被引量：1
1
作者 丁思琪 覃诚 +1 位作者 杨宸 艾斌 《中山大学学报（自然科学版）（中英文）》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期115-123,共9页
将1根商业化太阳能级掺硼直拉单晶硅(Cz-Si,Czochralski silicon)棒,从头至尾间隔一定距离切割出5组硅片,采用标准工业化工艺流程将它们制成钝化发射极和背面电池(PERC,passivated emitter and rear cell),然后对其进行了暗退火(200℃,3... 将1根商业化太阳能级掺硼直拉单晶硅(Cz-Si,Czochralski silicon)棒,从头至尾间隔一定距离切割出5组硅片,采用标准工业化工艺流程将它们制成钝化发射极和背面电池(PERC,passivated emitter and rear cell),然后对其进行了暗退火(200℃,30 min)→第1次光衰(45℃,1 sun,12 h)→电注入复原(175℃,18 A,30 min)→第2次光衰(45℃,1 sun,12 h)处理,并对其在处理过程中的性能变化进行了跟踪测试。结果表明,所制备的PERC电池的光衰(LID,light induced degradation)和复原(regeneration)由B-O缺陷的光衰和复原反应起主导作用,而Fe-B对的分解起次要作用。第1次光衰时7.03%~9.69%的效率相对降级率,由B-O缺陷引起的光衰和Fe-B对的分解共同造成;而第2次光衰时0.43%~0.81%的效率相对降级率,由Fe-B对的分解单独造成。电注入复原能够完全钝化PERC电池内部的B-O缺陷,且钝化后的B-O缺陷在第2次光衰条件下是稳定的。由硅棒中部硅片制成的PERC电池具有更高的效率和开路电压以及更低的相对衰减率。此外,光衰和复原处理只影响PERC电池在中长波段的光谱响应。 展开更多
关键词 PERC电池 光致衰减 电注入复原 B-O缺陷
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利用正交实验法探究掺硼p型单晶硅PERC电池的电致复原最优条件 被引量：5
2
作者 梁润雄 艾斌 +5 位作者 金井升 叶家兴 张卫民 庞毅聪 何溢懿 沈辉 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期81-89,共9页
为了减小掺硼p型单晶硅PERC电池的光衰,利用正交实验方法对其电注入复原处理条件进行了最优化研究。采用VS-6821M型太阳电池I-V特性测试仪测量PERC电池在复原处理前后及随后12 h光衰过程中效率的变化,以光衰12 h后的效率与复原处理前的... 为了减小掺硼p型单晶硅PERC电池的光衰,利用正交实验方法对其电注入复原处理条件进行了最优化研究。采用VS-6821M型太阳电池I-V特性测试仪测量PERC电池在复原处理前后及随后12 h光衰过程中效率的变化,以光衰12 h后的效率与复原处理前的效率的比值作为衡量复原处理工艺优劣的指标。三水平正交实验结果表明,不论是否考虑交互作用,在所研究的参数范围(10~30 min,140~200℃,6~18 A),电注入复原处理最优条件均为30 min,170℃,18 A。在此基础上,利用五水平正交实验进一步将电注入复原处理的最优条件优化为30 min,175℃,18 A。经最优化条件复原处理的电池相对于复原处理前的初始效率有1%~2%的增益,且电池效率在1 Sun光强、45℃、12 h光衰过程中基本保持稳定,12 h光衰后的效率比初始效率也有约1%的增益。 展开更多
关键词 掺硼直拉单晶硅 PERC电池 光衰 复原 正交实验方法
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掺硼p型晶体硅太阳电池B-O缺陷致光衰及其抑制的研究进展 被引量：4
3
作者 艾斌 邓幼俊 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期1-7,共7页
掺硼p型晶体硅太阳电池一直牢牢占据着光伏市场的主导地位,但硼-氧(B-O)缺陷引起的光衰(LID:Light induced degradation)极大地限制了它的发展。最新的对太阳电池加热同时注入少数载流子的B-O缺陷"复原"(regeneration)技术有... 掺硼p型晶体硅太阳电池一直牢牢占据着光伏市场的主导地位,但硼-氧(B-O)缺陷引起的光衰(LID:Light induced degradation)极大地限制了它的发展。最新的对太阳电池加热同时注入少数载流子的B-O缺陷"复原"(regeneration)技术有望彻底解决掺硼p型晶体硅太阳电池的LID问题。鉴于掺硼p型晶体硅太阳电池LID及其抑制措施的研究对提高晶体硅太阳电池性能表现的长期稳定性有重要作用,回顾了近年在掺硼p型晶体硅太阳电池LID及其抑制措施方面的研究进展,并对最新发展出的B-O缺陷"复原"技术给予了重点介绍。 展开更多
关键词 晶体硅太阳电池 硼-氧缺陷 光衰 复原
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高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭和组件光衰的影响
4
作者 牛晓龙 乔松 +3 位作者 张莉沫 夏新中 高文宽 倪建雄 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期836-841,共6页
研究了预烧结和未烧结的两种高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭少子寿命、氧浓度以及相应光伏组件光致衰减(LID)率的影响。采用含有预烧结隔离层的坩埚和未烧结隔离层的坩埚分别进行多晶硅铸锭实验并测试硅锭及相应光伏组件的性能。结果显示,... 研究了预烧结和未烧结的两种高纯SiO_2隔离层对多晶硅锭少子寿命、氧浓度以及相应光伏组件光致衰减(LID)率的影响。采用含有预烧结隔离层的坩埚和未烧结隔离层的坩埚分别进行多晶硅铸锭实验并测试硅锭及相应光伏组件的性能。结果显示,两种隔离层对铁杂质都具有阻挡作用,预烧结的隔离层有利于降低硅锭中的氧浓度,其对应的硅锭中氧浓度和组件光致衰减率均为最低,而未经烧结的隔离层并未体现出这一作用。通过两种隔离层的SEM图像可以发现,经过预烧结工艺的隔离层结构更为致密;而未经烧结的隔离层中孔隙较多,可能容易引起硅熔体与隔离层或者坩埚进行反应,将较多的氧杂质引入到硅锭中,从而造成氧含量的增加并引起组件较高的光致衰减率。 展开更多
关键词 高纯SiO2隔离层 多晶硅铸锭 杂质 氧浓度 光致衰减(lid)
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掺硼直拉单晶硅棒不同位置硅片制备的PERC电池光衰及复原
5
作者 袁帅 艾斌 +8 位作者 张卫民 庞毅聪 何溢懿 杨锦 吴浩彬 叶雄新 杨江海 孙小菩 梁学勤 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期93-101,共9页
为了探究产业化发射极和背面钝化电池(Passivated Emitter and Rear Cells,简称PERC电池)光衰以及复原随硅片在硅棒位置的变化规律,将一根产业化掺硼直拉单晶硅棒从头至尾每隔一定距离进行切割得到6组硅片。在测量了硼、氧、碳、过渡金... 为了探究产业化发射极和背面钝化电池(Passivated Emitter and Rear Cells,简称PERC电池)光衰以及复原随硅片在硅棒位置的变化规律,将一根产业化掺硼直拉单晶硅棒从头至尾每隔一定距离进行切割得到6组硅片。在测量了硼、氧、碳、过渡金属杂质含量以及少子寿命之后,采用标准化工业过程将它们制成PERC电池。然后,使用太阳电池I-V特性测试仪测量在45℃、1 sun、12 h光衰→100℃、1 sun、24 h复原→45℃、1 sun、12 h再光衰实验中各参数随时间的变化。结果表明,尾部硅片制备的PERC电池的效率、开路电压和短路电流具有最高的复原上升幅度,在第二次光衰时其不仅效率最高而且最初光衰的幅度也较小,这说明100℃、1 sun光强、24 h的复原条件足以让PERC电池内部的硼氧缺陷近乎完全失活。第二次光衰时效率在初始阶段的小幅光衰可归因于未达到复原状态的硼氧缺陷所致,也证明了达到复原状态的硼氧缺陷具有很好的抗光衰性能。 展开更多
关键词 掺硼直拉单晶硅 PERC电池 光致衰减 复原
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晶体硅光伏电池初始光致衰减测试方法研究
6
作者 裴会川 冯亚彬 +2 位作者 金浩 张昕宇 李宁 《信息技术与标准化》 2017年第8期54-56,65,共4页
介绍我国主导的国际标准提案IEC 60904-11《光伏器件第11部分:晶体硅光伏电池初始光致衰减测试方法》的推进过程,重点研究提案当前版本(CD稿)主要技术内容,包括光致衰减辐照强度、电池控制温度、光致衰减测试程序(最大输出功率测量、初... 介绍我国主导的国际标准提案IEC 60904-11《光伏器件第11部分:晶体硅光伏电池初始光致衰减测试方法》的推进过程,重点研究提案当前版本(CD稿)主要技术内容,包括光致衰减辐照强度、电池控制温度、光致衰减测试程序(最大输出功率测量、初始辐照量、测试终止条件)等。 展开更多
关键词 光伏电池 光致衰减 IEC 60904-11 测试方法 国际标准提案
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