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一种新型的正胶剥离技术及其应用 被引量：2
1
作者 信思树 普朝光 +1 位作者 杨明珠 杨培志 《红外技术》 CSCD 北大核心 2006年第2期105-107,共3页
介绍了在金属微细图形化制作中常用的两种方法：刻蚀和剥离,并比较了两者的优劣。开发了一种新型的正胶剥离技术,着重解决了传统的正胶剥离技术中所存在的较为严重的“二次污染”问题,提高了其剥离精度,达到2μm。最后介绍了新型的正胶... 介绍了在金属微细图形化制作中常用的两种方法：刻蚀和剥离,并比较了两者的优劣。开发了一种新型的正胶剥离技术,着重解决了传统的正胶剥离技术中所存在的较为严重的“二次污染”问题,提高了其剥离精度,达到2μm。最后介绍了新型的正胶剥离技术在实际工作中的应用。 展开更多
关键词 正胶 剥离技术 金属微细图形化 二次污染
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外延层剥离技术(ELO)制备GaAs薄膜太阳电池
2
作者 许军 刘海港 +2 位作者 王帅 高伟 孙强 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期33-34,共2页
通过外延层剥离技术获得GaAs薄膜太阳电池样品,实验对比了正向和反向外延结构方法,解释了现有技术条件下,采用新颖的反向外延结构制备GaAs薄膜太阳电池的原因。对样品进行了光电转换性能测试,并对实验结果进行了讨论。
关键词 MOCVD技术 外延层剥离技术 掩模工艺
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对我国男子优秀跳高运动员起跳技术的三维运动学分析 被引量：17
3
作者 宋广林 闫之朴 《体育学刊》 CAS 北大核心 2005年第6期115-118,共4页
采用两台SONY高速摄像机对我国部分男子优秀背越式跳高运动员进行赛场同步拍摄,运用爱捷运动录像反馈系统进行解析。结果表明:在起跳开始瞬间,身体重心的垂直速度较低;起跳腿的髋、膝、踝3关节蹬伸不充分,摆动腿的摆动速度和高度较低,... 采用两台SONY高速摄像机对我国部分男子优秀背越式跳高运动员进行赛场同步拍摄,运用爱捷运动录像反馈系统进行解析。结果表明:在起跳开始瞬间,身体重心的垂直速度较低;起跳腿的髋、膝、踝3关节蹬伸不充分,摆动腿的摆动速度和高度较低,助跑水平速度未能合理地转化为起跳的垂直速度。起跳的垂直速度是影响我国男子跳高运动员成绩的主要因素。 展开更多
关键词 跳高起跳技术 三维运动学 男子跳高运动员 中国
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MEDLL辅助的GNSS/INS系统欺骗信号辨识方法 被引量：9
4
作者 许睿 丁梦羽 +1 位作者 孟骞 刘建业 《中国惯性技术学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第2期223-230,共8页
受欺骗的卫星导航信息与惯导系统组合滤波,会导致错误的惯性器件误差修正量,最终组合导航系统也会被欺骗干扰影响。针对这一问题,提出了一种基于MEDLL算法的改进的GNSS/INS组合导航模式,能够实现欺骗信号的辨识和抑制,保证组合导航信息... 受欺骗的卫星导航信息与惯导系统组合滤波,会导致错误的惯性器件误差修正量,最终组合导航系统也会被欺骗干扰影响。针对这一问题,提出了一种基于MEDLL算法的改进的GNSS/INS组合导航模式,能够实现欺骗信号的辨识和抑制,保证组合导航信息的可靠性。GNSS接收机通过MEDLL算法同时估计接收的全部卫星信号参数,当欺骗干扰存在时,MEDLL算法可同时估计出两路信号参数,并判定欺骗干扰存在;MEDLL估计的信号参数生成两组输出伪距信息与惯导系统定位信息提供的参考伪距进行比较,实现欺骗信号的辨识。在200次实验测试中,对于牵引速率大于2 m/s的牵引式欺骗信号,4 s内成功辨识的次数为200次。同时,与传统的GNSS/INS组合导航系统相比,提出的MEDLL辅助的组合导航模式能够有效减小欺骗信号的影响,定位结果稳定在真实位置附近。 展开更多
关键词 卫星导航系统 牵引式欺骗干扰 信号估计与辨识 MEDLL 惯性导航系统 抗欺骗技术
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H型结构垂直腔面发射激光器 被引量：3
5
作者 李雪梅 刘颖 +5 位作者 姜秀英 王之岭 赵永生 杜国同 武胜利 王立军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期18-20,共3页
报道了一种结构新颖的Ｈ型垂直腔面发射激光器。器件是由钨丝掩膜一次质子轰击和选择腐蚀相结合制备的，实验已实现在脉宽为２０μｓ，占空比为１１０的脉冲电流条件下的室温激射。
关键词 腔面发射激光器 钨丝掩膜 激光器
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2×25.4mm GaN LED外延膜的激光剥离及其衬底的重复利用
6
作者 黄瑾 郑清洪 刘宝林 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1493-1496,共4页
利用激光剥离技术实现直径为50.8mm GaNLED外延膜的大面积完整剥离。激光剥离后的原子力显微镜(AFM)扫描和X射线双晶衍射谱(XRD)表明剥离前后外延膜的质量并未明显改变。并报道了在剥离掉后的蓝宝石(α-Al2O3)衬底上MOCVD外延生长InGaN/... 利用激光剥离技术实现直径为50.8mm GaNLED外延膜的大面积完整剥离。激光剥离后的原子力显微镜(AFM)扫描和X射线双晶衍射谱(XRD)表明剥离前后外延膜的质量并未明显改变。并报道了在剥离掉后的蓝宝石(α-Al2O3)衬底上MOCVD外延生长InGaN/GaN多量子阱(MQW′s)LED器件结构,通过光致发光谱(PL)和XRD谱对比分析了在相同条件下剥离掉后衬底与常规衬底上生长的GaNLED外延膜晶体质量。 展开更多
关键词 GAN 激光剥离 蓝宝石衬底抛光
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