FEL诱导半导体材料非线性光吸收 被引量：1

1

作者 江俊 李宁 +7 位作者 陈贵宾 陆卫 王明凯 杨学平 吴刚 范耀辉 李永贵 袁先漳 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1403-1407,共5页

应用北京自由电子激光 (BFEL)对典型的红外光电子材料Hg1 -xCdxTe,InSb和InAs进行了非线性光吸收研究 .利用FEL的高光子密度和皮秒量级的短脉冲宽度特性 ,研究了双光子吸收 (TPA)以及光生载流子吸收 (FCA)共同作用机理 ,从实验上直接证... 应用北京自由电子激光 (BFEL)对典型的红外光电子材料Hg1 -xCdxTe,InSb和InAs进行了非线性光吸收研究 .利用FEL的高光子密度和皮秒量级的短脉冲宽度特性 ,研究了双光子吸收 (TPA)以及光生载流子吸收 (FCA)共同作用机理 ,从实验上直接证实了在强入射能量下 ,FCA是不可忽略的光吸收过程 。 展开更多

关键词 FEL 自由电子激光 半导体材料 非线性光吸收 双光子吸收 光生载流子吸收 HG1-XCDXTE INSB InAs 碲镉汞化合物 砷化铟 锑化铟

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PIN型快速恢复二极管的研究与应用 被引量：3

2

作者 韦文生 戴瑜兴 +1 位作者 张正江 李晶 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第19期17-20,共4页

剖析了改善快速恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)反向恢复性能的发射率控制及少子寿命控制的实施方案。探究了间接带隙半导体硅FRD与SiGe、GaN、SiC等直接带隙半导体FRD的反向恢复性能,介绍了SiC的欧姆接触技术。比较了硅FRD与碳化... 剖析了改善快速恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)反向恢复性能的发射率控制及少子寿命控制的实施方案。探究了间接带隙半导体硅FRD与SiGe、GaN、SiC等直接带隙半导体FRD的反向恢复性能,介绍了SiC的欧姆接触技术。比较了硅FRD与碳化硅FRD的实际应用效果,发现前者的反向及动态特性均落后于后者的性能,后者特别适合于高频、高电压、大功率技术领域的应用。 展开更多

关键词 快速恢复二极管发射率控制 少子寿命控制 硅碳化硅

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Hg_(1-x)Cd_xTe的稳态光电导响应和瞬态响应分布研究 被引量：1

3

作者 茅文英 褚君浩 +2 位作者 李言谨 王子孟 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期352-358,共7页

研究了Hg_(1-x)Cd_xTe的稳态光电导响应和瞬态响应的均匀性,用可调谐连续Pb_(1-x)Sn_xTe激光测量稳态光电导,用GaAs/GaAlAs脉冲激光激发瞬态光电导.将两束激光会聚成直径约250μm的光斑,使两光斑恰位于光导型地Hg_(1-x)Cd_xTe样品前表... 研究了Hg_(1-x)Cd_xTe的稳态光电导响应和瞬态响应的均匀性,用可调谐连续Pb_(1-x)Sn_xTe激光测量稳态光电导,用GaAs/GaAlAs脉冲激光激发瞬态光电导.将两束激光会聚成直径约250μm的光斑,使两光斑恰位于光导型地Hg_(1-x)Cd_xTe样品前表面的同一点上,测量了样品光电导响应分布和相应光生载流子寿命分布.实验表明,稳态光电导响应分布的均匀性大大低于光生载流子寿命分布的均匀性,并对结果进行了讨论. 展开更多

关键词 光电导响应 瞬态响应 光生载流子寿命 HGCDTE

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单光子计数法对光生载流子寿命的测量与分析

4

作者 黄文波 王剑斌 +1 位作者 刘力千 傅伟文 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2021年第8期65-68,共4页

采用单光子计数法(Time Correlated Single Photon Counting,TCSPC)测量了MEH-PPV和CdS共混薄膜退火处理前后受到超短脉冲激光激发及光生载流子的瞬态衰减过程,得到了MEH-PPV:CdS共混薄膜材料的光生载流子寿命。分析表明,退火处理后MEH-... 采用单光子计数法(Time Correlated Single Photon Counting,TCSPC)测量了MEH-PPV和CdS共混薄膜退火处理前后受到超短脉冲激光激发及光生载流子的瞬态衰减过程,得到了MEH-PPV:CdS共混薄膜材料的光生载流子寿命。分析表明,退火处理后MEH-PPV:CdS共混薄膜材料的光生载流子寿命更长,相应的光伏器件(结构为ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV:CdS/Al的有机薄膜光伏器件)也具有较高的光电转换效率。 展开更多

关键词 光生载流子寿命 单光子计数法 瞬态荧光光谱 有机薄膜光伏器件

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准平衡模型下脉冲MOS电容器的瞬态特性

5

作者 张秀森 《杭州大学学报（自然科学版）》 CSCD 1992年第4期385-389,共5页

本文给出了描写脉冲MOS电容器的瞬态特性的微分方程.产生区宽度采用准平衡模型来计算,反型少子的非稳态产生的影响已被计及,文中给出了用Runge-Kutta方法得到的I-t和C-t瞬态特性曲线,并进行了详细讨论.

关键词 半导体 MOS电容器 瞬态特性

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硅锭中少子寿命的计算公式

6

作者 陈学全 罗耀煌 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期330-334,共5页

论述了用现有的光电导衰减法测单晶硅锭中少子寿命计算公式存在的问题。对此提出了相应的改进公式。用改进公式算出的值与实验测得的数据基本一致。

关键词 硅锭 少子寿命 硅 计算

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硅系太阳电池表面钝化技术比较 被引量：1

7

作者 王涛 王正志 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期506-508,共3页

通过对硅片的少数载流子有效寿命、硅太阳电池的反射损失和光谱响应这三个方面的研究,比较了目前主要的硅太阳电池表面钝化技术,对这些钝化技术的优缺点进行了分析和评价。从上述三个方面的比较可以看出,RTO/SiNx堆叠钝化技术在提高硅... 通过对硅片的少数载流子有效寿命、硅太阳电池的反射损失和光谱响应这三个方面的研究,比较了目前主要的硅太阳电池表面钝化技术,对这些钝化技术的优缺点进行了分析和评价。从上述三个方面的比较可以看出,RTO/SiNx堆叠钝化技术在提高硅太阳电池性能上是最优的,具有良好的应用前景。 展开更多

关键词 钝化 少数载流子有效寿命 光谱响应

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电子辐照高阻NTD FZ Si中缺陷态的退火特性 被引量：2

8

作者 董友梅 戴培英 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期200-206,共7页

报导了电子辐照高阻NTD－FZ－Si中缺陷态的退火特性。分别采用真空和N2气保护下进行等时、等温退火，测量了它们的DLTS港和相应的少数载流子寿命，对两种退火气氛的实验结果进行了分析讨论。

关键词 电子辐照 DLTS 退火 少数载流子寿命 硅 缺陷

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用开路电压法测晶体硅太阳电池少子寿命的研究

9

作者 彭银生 陈庭金 《海南大学学报（自然科学版）》 CAS 2005年第2期133-139,共7页

根据太阳电池的工作原理,详细论述了用脉冲光源照射n/p结太阳电池瞬间时,由于光电压,即开路电压的建立,将有电子从n区通过n/p结向p区边界注入,这些注入p区的过剩电子(少子)在运动中复合所需的时间,我们定义为少子寿命.理论上给出了注入... 根据太阳电池的工作原理,详细论述了用脉冲光源照射n/p结太阳电池瞬间时,由于光电压,即开路电压的建立,将有电子从n区通过n/p结向p区边界注入,这些注入p区的过剩电子(少子)在运动中复合所需的时间,我们定义为少子寿命.理论上给出了注入p区的电子复合带来的开路电压与寿命的关系式(Voc(t)),同时也研究了n/p结势垒电容放电对Voc(t)的影响.因此建议使用开路电压随时间的衰减关系式(Voc(t))测量少子寿命的方法. 展开更多

关键词 少子寿命 晶体硅太阳电池 开路电压法 n/p 工作原理 脉冲光源 势垒电容 关系式 光电压 注入 P区 电子 复合带 时间 电对

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氧本征吸除低温退火工艺的研究和改进 被引量：1

10

作者 郑国祥 闵靖 周寿通 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期177-181,共5页

讨论了硅片中氧沉淀形成的机理，推荐一种本征吸除的改进技术，用以增强吸除效果。在本征吸除工艺的低温退火中，用连续的线性升温退火代替常规的恒温退火。采用改进的本征吸除工艺后，可增加硅片表面ＭＯＳ结构少子产生寿命和降低Ｐ＋... 讨论了硅片中氧沉淀形成的机理，推荐一种本征吸除的改进技术，用以增强吸除效果。在本征吸除工艺的低温退火中，用连续的线性升温退火代替常规的恒温退火。采用改进的本征吸除工艺后，可增加硅片表面ＭＯＳ结构少子产生寿命和降低Ｐ＋Ｎ结二极管的反向电流。 展开更多

关键词 氧本征吸除 低温退火 硅片

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电子辐照高阻区熔N型NTD硅中缺陷态的退火特性

11

作者 戴培英 董友梅 司怀吉 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2001年第1期50-52,共3页

报导了经电子辐照后的高阻 (4 5～ 70Ω·cm)NTD FZ Si p+nn+结的N Si中缺陷态在氮气保护下的等时、等温退火特性 ,而且获得了主要缺陷态能极E3、E4 的激活能和频率因子。

关键词 电子辐照 等温退火 中子嬗变掺杂 NTD硅 半导体材料

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IGBT模型参数提取方法研究

12

作者 张伟 王孟平 《河南科学》 2014年第10期2021-2024,共4页

基于绝缘栅双极性晶体管简化等效电路,对影响IGBT输出外部信号的四个相关内部参数:栅极电容、跨导、剩余截流子寿命、栅漏极有效导电面积,进行了讨论并提出了推导方法.

关键词 绝缘栅双极性晶体管 栅极电容 跨导 剩余截流子寿命 栅漏极有效导电面积

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射频功率对Si薄膜微观结构及电学性能的影响

13

作者 郝娟 蒋百灵 +2 位作者 杨超 董丹 张彤晖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期2835-2839,共5页

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同射频功率的Si薄膜,并对其进行真空退火处理。研究了射频功率和退火处理对薄膜微观结构和电学性能的影响,并总结了不同电场环境对薄膜原子排列有序度的影响规律。结果表明:随射频功率的... 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同射频功率的Si薄膜,并对其进行真空退火处理。研究了射频功率和退火处理对薄膜微观结构和电学性能的影响,并总结了不同电场环境对薄膜原子排列有序度的影响规律。结果表明:随射频功率的增加,Si薄膜的非晶结构无实质改变,但其少子寿命明显增强;经800℃真空退火处理后,Si薄膜的微观结构均由非晶态转变为晶态,晶化程度达60%以上,且少子寿命达到20μs以上。 展开更多

关键词 SI薄膜 射频功率 微观结构 少子寿命

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高阻NTD-FZ-Si-P^+n结电子辐照缺陷能级N_2气氛的退火特性

14

作者 董友梅 戴培英 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期105-110,共6页

报导了高阻（８１～１１０Ω·ｃｍ）ＮＴＤＦＺＳｉＰ＋ｎ结中电子辐照缺陷态的退火特性。在Ｎ２气氛保护下进行等时、等温退火，测量了它们的ＤＬＴＳ谱和相应的少数载流子寿命，并对结果进行了分析讨论。

关键词 电子辐照 退火 少数载流子寿命 缺陷 P-N结

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