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污秽条件下避雷器的内部温升研究 被引量:21
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作者 张搏宇 李光范 +3 位作者 张翠霞 宋继军 陈立栋 苏宁 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期2065-2072,共8页
金属氧化物避雷器(MOA)在污秽条件下的内部温升及其热稳定性是研究避雷器耐污能力的重要方面。为此,以GB 11032—2010附录O中的污秽试验方法为基础,同时参考IEEE Std C 62.11—1999,试验比较了不同盐密、不同支架高度等情况下进行人工... 金属氧化物避雷器(MOA)在污秽条件下的内部温升及其热稳定性是研究避雷器耐污能力的重要方面。为此,以GB 11032—2010附录O中的污秽试验方法为基础,同时参考IEEE Std C 62.11—1999,试验比较了不同盐密、不同支架高度等情况下进行人工污秽试验时避雷器的内部温升情况,同时还比较了复合外套及瓷外套避雷器的耐污能力及雾湿润条件对避雷器耐污能力的影响等。试验结果表明,仅监测底部阻性电流不能准确反映避雷器的内部热稳定性;考虑雾湿润进行污秽试验时内部温升较高且分散性小。最后提出了一个改进的污秽试验方法,主要增加了雾湿润条件和实时监测内部温度两个条件。 展开更多
关键词 金属氧化物避雷器(MOA) 污秽试验 内部温升 热稳定性 泄漏电流 试验方法
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GaN基SBD功率器件研究进展 被引量:6
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作者 李迪 贾利芳 +3 位作者 何志 樊中朝 王晓东 杨富华 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第5期277-285,296,共10页
作为第三代宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)功率器件具有耐高温、耐高压和导通电阻小等优良特性,在功率器件方面具有显著的优势。概述了基于功率应用的GaN SBD功率器件的研究进展。根据器件结构,介绍了基于材料特性的GaN ... 作为第三代宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)功率器件具有耐高温、耐高压和导通电阻小等优良特性,在功率器件方面具有显著的优势。概述了基于功率应用的GaN SBD功率器件的研究进展。根据器件结构,介绍了基于材料特性的GaN SBD和基于AlGaN/GaN异质结界面特性的GaN异质结SBD。根据器件结构对开启电压的影响,对不同阳极结构器件进行了详细的介绍。阐述了不同的肖特基金属的电学特性和热稳定性。分析了表面处理,包括表面清洗、表面等离子体处理和表面钝化对器件漏电流的影响。介绍了终端保护技术,尤其是场板技术对击穿电压的影响。最后探讨了GaN基SBD功率器件未来的发展趋势。 展开更多
关键词 氮化镓 肖特基势垒二极管(SBD) 功率器件 肖特基金属 漏电流 等离子体处理
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基于AlN和GaN形核层的AlGaN/GaN HEMT外延材料和器件对比
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作者 高楠 房玉龙 +8 位作者 尹甲运 刘沛 王波 张志荣 郭艳敏 顾国栋 王元刚 冯志红 蔡树军 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期902-907,共6页
使用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上分别采用AlN和GaN作为形核层生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料,并进行了器件制备和性能分析。通过原子力显微镜(AFM)、高分辨率X射线双晶衍射仪(HR-XRD)和二次离... 使用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上分别采用AlN和GaN作为形核层生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料,并进行了器件制备和性能分析。通过原子力显微镜(AFM)、高分辨率X射线双晶衍射仪(HR-XRD)和二次离子质谱仪(SIMS)等仪器对两种样品进行了对比分析,结果表明采用AlN形核层的GaN外延材料具有更低的位错密度,且缓冲层中氧元素的拖尾现象得到有效地抑制。器件直流特性显示,与基于GaN形核层的器件相比,基于AlN形核层的器件泄漏电流低3个数量级。脉冲I-V测试发现基于GaN形核层的HEMT器件受缓冲层陷阱影响较大,而基于AlN形核层的HEMT器件缓冲层陷阱作用不明显。 展开更多
关键词 金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 形核层 泄漏电流 陷阱 高电子迁移率晶体管(HEMT)
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大型变电站直流巡检系统方案设计中应注意的问题
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作者 罗镭燃 《贵州电力技术》 2011年第1期33-37,共5页
分析了大型变电站直流绝缘巡检系统中存在的整体绝缘降低、绝缘均等下降的动作死区、“泄漏电流法”的固有缺陷等等问题,结合实际运行经验,提出了根本的解决办法。
关键词 直流绝缘巡检系统 低内阻平衡桥 误跳闸 动作死区 泄漏电流法 乒乓原理 超低频小信号
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