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电子封装中电镀技术的应用 被引量：18
1
作者 李明 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 2005年第1期44-49,共6页
　功能性镀层和精密电镀技术在半导体微电子产业当中应用十分广泛,且随着半导体集成电路向高密度、轻小型化发展,各种新型功能性电镀技术将会不断涌现。举出了功能镀层及精密镀层在电子封装中的应用实例。简要介绍了BGA型封装中的电镀... 　功能性镀层和精密电镀技术在半导体微电子产业当中应用十分广泛,且随着半导体集成电路向高密度、轻小型化发展,各种新型功能性电镀技术将会不断涌现。举出了功能镀层及精密镀层在电子封装中的应用实例。简要介绍了BGA型封装中的电镀技术。系统地介绍了电子封装中所涉及的各种电子电镀技术,并阐述了IC引线框架及无铅化电镀技术方面的应用情况、存在问题及今后的发展趋势。 展开更多
关键词 电子封装 引线框架 电镀 功能镀层 精密镀层 无铅化技术
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塑料封装集成电路分层浅析及改善研究 被引量：10
2
作者 许海渐 陈洪芳 +1 位作者 朱锦辉 王毅 《电子与封装》 2012年第10期3-6,27,共5页
当环境温度、湿度发生变化时,塑料封装集成电路内部的不同物质界面会产生分层,分层导致电路回路的开路或间歇性接触不良,极大地影响IC的功能和使用寿命。封装主要材料BOM(如芯片/框架/装片胶/塑封料环氧树脂)是确定IC MSL等级和分层水... 当环境温度、湿度发生变化时,塑料封装集成电路内部的不同物质界面会产生分层,分层导致电路回路的开路或间歇性接触不良,极大地影响IC的功能和使用寿命。封装主要材料BOM(如芯片/框架/装片胶/塑封料环氧树脂)是确定IC MSL等级和分层水平的基础,封装制程的工艺设计、组装过程的控制方法、产品防范外力破坏及热电应力防护都是影响分层的因素,BOM组合需要考虑加强材料间的粘结强度及接近的热膨胀系数、设计芯片PO层减少电路表面凹凸落差、框架沟槽凸台设计、制造过程防污染/防氧化控制等,都是改善IC产品内部分层的有效思路。DOE对比试验有助于从复杂的产品制造过程中发现分层产生的根源。 展开更多
关键词 封装 BOM SAM 框架 装片胶 分层 研磨
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引线框架用Cu-Ni-Si合金的发展及研究现状 被引量：10
3
作者 张英 陆萌萌 +2 位作者 胡艳艳 刘耀 郑少锋 《上海有色金属》 CAS 2014年第4期177-182,共6页
综述了引线框架用Cu-Ni-Si合金的发展历史,阐述了Cu-Ni-Si合金的强化机制,指出时效强化是该合金的主要强化方式,形变强化和固溶强化在一定程度上影响合金的性能。归纳总结了该合金性能与Ni、Si元素的质量比值、添加微量P、Fe、Mg、Zn、C... 综述了引线框架用Cu-Ni-Si合金的发展历史,阐述了Cu-Ni-Si合金的强化机制,指出时效强化是该合金的主要强化方式,形变强化和固溶强化在一定程度上影响合金的性能。归纳总结了该合金性能与Ni、Si元素的质量比值、添加微量P、Fe、Mg、Zn、Cr等元素的种类和数量之间的关系,并分析了微量P、Fe、Mg、Zn、Cr等元素对Cu-Ni-Si合金性能改善的机理。指出了Cu-Ni-Si合金是一种很有应用前景的引线框架材料,其强度一般为600～860MPa,导电率为30～60 ％IACS。 展开更多
关键词 CU-NI-SI合金 强化机理 引线框架 发展
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LED金线键合工艺的质量控制 被引量：5
4
作者 斯芳虎 《电子质量》 2010年第3期44-45,48,共3页
文章介绍LED引线键合的工艺技术参数和要求和相关产品质量管控规范,讨论了劈刀、金线等工具和原材料对键合质量的影响。
关键词 LED发光二极管 键合金丝 键合功率 劈刀 引线支架
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稀土-Cu-Ni-Si引线框架铜合金的加工工艺与性能研究 被引量：4
5
作者 谢春晓 《东莞理工学院学报》 2009年第3期122-126,共5页
主要对添加了不同量稀土Ce的Cu-3.0Ni-0.64Si合金进行加工工艺和性能研究.最佳加工工艺为:Cu-3.0Ni-0.64Si合金热轧时,铸锭热轧开坯温度为930℃,保温时间60 min;固溶处理温度为900℃,保温时间60 min;然后经过约80%的冷变形再进行时效处... 主要对添加了不同量稀土Ce的Cu-3.0Ni-0.64Si合金进行加工工艺和性能研究.最佳加工工艺为:Cu-3.0Ni-0.64Si合金热轧时,铸锭热轧开坯温度为930℃,保温时间60 min;固溶处理温度为900℃,保温时间60 min;然后经过约80%的冷变形再进行时效处理,时效处理温度480℃,保温时间210 min.研究结果表明:添加0.06 wt%Ce的Cu-3.0Ni-0.64Si合金具有最佳综合性能:电导率最高达到48.9%IACS,抗拉强度达到733.17 MPa. 展开更多
关键词 引线框架 CU-NI-SI合金 稀土 抗拉强度 电导率
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集成电路引线框架的热性能分析 被引量：3
6
作者 孙炳华 孙海燕 孙玲 《南通大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第4期57-59,81,共4页
介绍了AutoTherm软件热分析流程,通过仿真分析了集成电路封装中引线框架的形状、厚度、材料等参数对集成电路热性能的影响,提出了设计具有良好导热性能引线框架的条件,即尽量选用导热系数大的合金材料做引线框架.
关键词 AutoTherm 引线框架 热分析
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芯片电子封装翘曲非线性有限元分析 被引量：1
7
作者 褚春勤 郑百林 贺鹏飞 《计算机辅助工程》 2007年第1期10-12,共3页
针对芯片电子封装翘曲主要是由各种部件材料性能与几何尺寸不匹配,以及封装过程中温度分布不均匀性引起的问题,在只考虑材料属性的前提下,将不同的基板材料和环氧模塑封装材料(Epoxy Molding Compound,EMC)进行组合,运用有限元软件MSC P... 针对芯片电子封装翘曲主要是由各种部件材料性能与几何尺寸不匹配,以及封装过程中温度分布不均匀性引起的问题,在只考虑材料属性的前提下,将不同的基板材料和环氧模塑封装材料(Epoxy Molding Compound,EMC)进行组合,运用有限元软件MSC Patran/Nastran研究不同组合工况对封装翘曲的影响.研究表明,当封装材料与基板材料的属性相差较大时,会发生大的向上翘曲;当两者材料属性相差较小时,向上的翘曲值较小;但当两者材料属性过于趋近时,会发生向下翘曲的情况. 展开更多
关键词 芯片电子封装 翘曲 材料属性 基板 环氧成型化合物 MSC PATRAN MSC NASTRAN
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C194铜合金引线框架材料的形变热处理 被引量：6
8
作者 林高用 张振峰 +1 位作者 周佳 黄电源 《金属热处理》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期16-19,共4页
研究了形变热处理对C194铜合金引线框架材料组织和性能的影响。C194铜合金板坯经固溶处理后进行冷轧变形,然后分别在550℃和450℃进行两次时效处理,并在两次时效间再对合金实施不同程度的冷轧变形。结果表明,随着两次时效间的冷轧变形率... 研究了形变热处理对C194铜合金引线框架材料组织和性能的影响。C194铜合金板坯经固溶处理后进行冷轧变形,然后分别在550℃和450℃进行两次时效处理,并在两次时效间再对合金实施不同程度的冷轧变形。结果表明,随着两次时效间的冷轧变形率从0%到80%变化,合金内的位错密度升高,γ-Fe相充分均匀析出;当这种冷轧变形率达到70%时,C194铜合金获得最佳的综合性能,抗拉强度提高到440MPa,电导率提高到72.7%IACS。 展开更多
关键词 C194铜合金 引线框架材料 形变热处理
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国外引线框架材料发展概况 被引量：3
9
作者 韩庆康 《上海钢研》 1994年第2期48-56,共9页
本文简单介绍了国外使用的主要引线框架材料及其近年来的新开发。
关键词 引线框架材料 集成电路
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FCOL封装芯片热应力及影响因素分析 被引量：6
10
作者 陶鑫 王珺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第10期803-807,共5页
引线框架上倒装芯片(FCOL)封装常用于I/O数量少的功率芯片封装。由于FCOL封装中铜引线框架和硅芯片的热膨胀系数差异大,热载荷作用下热失配应力导致与焊点相连的芯片表面微结构发生失效破坏。采用有限元分析(FEA)法对一款FCOL器件封装... 引线框架上倒装芯片(FCOL)封装常用于I/O数量少的功率芯片封装。由于FCOL封装中铜引线框架和硅芯片的热膨胀系数差异大,热载荷作用下热失配应力导致与焊点相连的芯片表面微结构发生失效破坏。采用有限元分析(FEA)法对一款FCOL器件封装回流中热应力进行仿真,通过对比高应力位置与芯片失效位置验证了仿真模型的准确性。进而针对FCOL器件中多种因素对芯片应力的影响进行了参数化分析,发现芯片厚度和焊点爬锡的形状的不同对芯片上应力有较大影响,研究结果有助于FCOL器件的封装可靠性设计。 展开更多
关键词 引线框架上倒装芯片(FCOL) 有限元分析(FEA)法 参数化分析 热应力 爬锡
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提高铜带耐热性能的工艺控制方法分析 被引量：2
11
作者 李珣 邓集松 +1 位作者 付汉林 陈建宁 《有色金属加工》 CAS 2014年第2期25-29,共5页
以铜带为研究对象,从微合金化和加工工艺两大途径改善其耐热性能。着重介绍现阶段散热器带和引线框架带耐热性能改善的工艺控制方法和手段,并结合大量提高铜带耐热性能的工艺实践,深入分析铜带合金化和基于合金化的加工工艺这两个途径... 以铜带为研究对象,从微合金化和加工工艺两大途径改善其耐热性能。着重介绍现阶段散热器带和引线框架带耐热性能改善的工艺控制方法和手段,并结合大量提高铜带耐热性能的工艺实践,深入分析铜带合金化和基于合金化的加工工艺这两个途径对铜带耐热性能改善的原理和应用,最后对比Cu-Sn和Cu-Fe系方法工艺特点,提出散热器用铜带生产工艺新途径。 展开更多
关键词 耐热(抗软化)性能 微合金化 加工工艺 引线框架带 散热器带
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铸态C72500合金组织与性能分析
12
作者 齐亮 柳瑞清 《铜业工程》 CAS 2005年第4期49-51,共3页
本文研究了C72500铸态铜合金引线框架材料的微观组织和性能,得出抗拉强度达到250MPa,延伸率 为16．851％,断面收缩率达到8．75％。说明铸态的C72500合金具有良好的抗拉性能和良好的塑性,在显微组织中 发现有大量的第二相颗粒Ni4Sn。合... 本文研究了C72500铸态铜合金引线框架材料的微观组织和性能,得出抗拉强度达到250MPa,延伸率 为16．851％,断面收缩率达到8．75％。说明铸态的C72500合金具有良好的抗拉性能和良好的塑性,在显微组织中 发现有大量的第二相颗粒Ni4Sn。合金的导电率只有11％IACS。 展开更多
关键词 引线框架材料 铸造 铜合金
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大气熔炼的KFC铜合金加工工艺及性能研究 被引量：1
13
作者 齐亮 《南方金属》 CAS 2007年第5期14-16,共3页
对大气熔炼下的铸锭进行轧制和热处理工艺研究,探讨KFC合金的力学性能和导电性能,并且对其微观组织进行了分析,得到性能优良的合金带材.
关键词 引线框架材料 固溶处理 铜合金 KFC
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10-SIP引线框架冲切模具设计及工艺
14
作者 邱菊 《模具技术》 2009年第1期18-20,共3页
对电子产品中IC的精密冲裁模具进行了分析,根据电子产品生产线的要求,对模具设计进行适度的更正,介绍了IC冲切模的设计要点,对模具中的重要零部件的生产工艺进行了分析。
关键词 引线框架 精密冲裁 磨削
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铸态C72500合金组织与性能分析
15
作者 柳瑞清 齐亮 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2006年第1期23-24,共2页
研究了C72500铸态铜合金引线框架材料的微观组织和性能。其抗拉强度可达250 MPa左右,伸长率16.851%,断面收缩率8.75%。说明铸态的C72500合金具有良好的抗拉性能和塑性。在显微组织中发现有大量的第二相颗粒Ni4Sn。合金的导电率只有11%I... 研究了C72500铸态铜合金引线框架材料的微观组织和性能。其抗拉强度可达250 MPa左右,伸长率16.851%,断面收缩率8.75%。说明铸态的C72500合金具有良好的抗拉性能和塑性。在显微组织中发现有大量的第二相颗粒Ni4Sn。合金的导电率只有11%IACS。 展开更多
关键词 引线框架材料 铸造 铜合金
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Cu-Ni-Si系引线框架用铜合金成分设计 被引量：58
16
作者 曹育文 马莒生 +3 位作者 唐祥云 王碧文 王世民 李红 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期723-727,共5页
研究了合金元素对ＣｕＮｉＳｉ 系列引线框架用铜合金性能的影响。发现合金中时效析出物具有与δＮｉ２Ｓｉ 相似的晶体结构，Ｎｉ 及Ｓｉ 元素含量对材料硬度和电导率有很大影响。当Ｎｉ 及Ｓｉ 元素含量增大时， 由于析出物数... 研究了合金元素对ＣｕＮｉＳｉ 系列引线框架用铜合金性能的影响。发现合金中时效析出物具有与δＮｉ２Ｓｉ 相似的晶体结构，Ｎｉ 及Ｓｉ 元素含量对材料硬度和电导率有很大影响。当Ｎｉ 及Ｓｉ 元素含量增大时， 由于析出物数量增多， 材料硬度增加； 当Ｎｉ 与Ｓｉ 原子数之比小于２ 时， 材料电导率明显下降，这是由于过剩Ｓｉ 元素以固溶原子形式存在， 强烈损害材料电导率的结果。加入Ｚｎ 元素后， 保温过程中Ｚｎ 元素在合金与ＳｎＰｂ 共晶焊料界面处偏聚， 阻碍脆性金属间化合物层的形成， 在４２５ Ｋ 保温１ ０００ ｈ后， 铜合金与焊料间结合良好。 展开更多
关键词 引线框架 铜合金 硬度 电导率 钎焊 合金设计
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引线框架铜合金材料研究及开发进展 被引量：52
17
作者 赵谢群 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期777-781,共5页
综述了引线框架用高强高导铜合金的种类、特性要求与目前国内外的研究重点 ,总结了高强高导铜合金的开发趋势 ,展望了其应用在IC封装业的市场前景。
关键词 集成电路封装 引线框架 铜合金 高强度 高电导率
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引线框架用铜合金C194的组织性能研究 被引量：33
18
作者 涂思京 闫晓东 谢水生 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期199-201,共3页
通过对国内某A企业和德国威兰德公司C194合金铜带的析出物颗粒分析 ,发现A企业的C194合金的主要析出物有α Fe和Fe3P ,而威兰德公司的C194合金的主要析出物为α Fe ,α Fe是C194合金的强化相。由于P显著降低材料的导电、导热性能 ,对材... 通过对国内某A企业和德国威兰德公司C194合金铜带的析出物颗粒分析 ,发现A企业的C194合金的主要析出物有α Fe和Fe3P ,而威兰德公司的C194合金的主要析出物为α Fe ,α Fe是C194合金的强化相。由于P显著降低材料的导电、导热性能 ,对材料综合性能不利 ,因此在实际生产中应严格控制P的含量 。 展开更多
关键词 引线框架 铜合金 C194合金 析出强化 强化相
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Cu-Ni-Si基引线框架合金的组织和性能 被引量：30
19
作者 汪黎 孙扬善 +2 位作者 付小琴 薛烽 陈曦 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期729-732,共4页
设计了4种不同成分的引线框架铜合金,通过对比其硬度、强度、导电性以及软化温度等,分析了合金中P,Ni,Si,Cr合金元素对合金各性能的影响.研究结果表明:采用合理的热处理工艺可以使Cu-3Ni-0.6Si基合金在时效过程中析出尺寸在20～40 nm之... 设计了4种不同成分的引线框架铜合金,通过对比其硬度、强度、导电性以及软化温度等,分析了合金中P,Ni,Si,Cr合金元素对合金各性能的影响.研究结果表明:采用合理的热处理工艺可以使Cu-3Ni-0.6Si基合金在时效过程中析出尺寸在20～40 nm之间的δ-Ni2Si颗粒,使合金的强度和导电率达到良好的匹配;微量的P能有效地提高合金的强度、硬度和弹性模量,同时使Ni2Si析出颗粒的弥散度提高,尺寸减小,但会降低合金的导电率;少量的Cr能有效提高合金的强度和软化温度. 展开更多
关键词 引线框架 铜合金 Ni2Si
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铜基引线框架材料研究进展 被引量：25
20
作者 范莉 刘平 +2 位作者 贾淑果 田保红 张毅 《材料开发与应用》 CAS 2008年第4期101-107,共7页
引线框架是集成电路中极为关键的部件之一,其主要功能是支撑芯片、散失工作热量和连接外部电路等。铜合金以其优良的性能成为重要的引线框架材料。本文综述了铜基引线框架的国内外研究现状,并重点介绍了在Cu-Ni-Si合金中加入微量合金元... 引线框架是集成电路中极为关键的部件之一,其主要功能是支撑芯片、散失工作热量和连接外部电路等。铜合金以其优良的性能成为重要的引线框架材料。本文综述了铜基引线框架的国内外研究现状,并重点介绍了在Cu-Ni-Si合金中加入微量合金元素P、Cr、Ag的微合金化研究成果。 展开更多
关键词 集成电路 引线框架 Cu—Ni—Si合金
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