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题名本征微晶硅薄膜孵化层的深入研究
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作者
张旭营
卢景霄
陈永生
高海波
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机构
郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
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出处
《真空》
CAS
北大核心
2011年第4期69-72,共4页
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基金
国家重点基础研究发展规划(973)项目(No.2006CB202601)
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文摘
采用VHF-PECVD技术沉积微晶硅薄膜,获得较高的生长速度,但是薄膜质量较差,这与初始生长过程中生成厚的非晶孵化层关系密切。本研究表明,孵化层的厚度与硅烷浓度、功率密切相关:低的硅烷浓度,能保证成膜过程中氢原子打破弱键的几率,逐层生长现象明显;大的馈入功率,能保证更多氢原子参与成膜反应,减少悬键缺陷。这两方面的优化,最终把孵化层降低到26.55 nm。
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关键词
VHF—PECVD
本征微晶硅
孵化层
逐层生长
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Keywords
VHF-PECVD
μc-Si：H film
incubation layer
layer by layer growth mechanism
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分类号
O756
[理学—晶体学]
O469
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