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超薄膜Si外延生长过程的动力学蒙特卡罗模拟
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作者 陈书汉 《广东第二师范学院学报》 2011年第5期40-45,共6页
建立超薄膜Si外延生长的晶格-动力学蒙特卡罗模型,并应用该模型模拟了Si原子在Si(111)基底上外延生长的过程.系统研究了沉积时间、基片温度对于薄膜初始生长形貌的影响,如影响粒子的扩散与凝聚、岛的生长等微观过程.
关键词 硅薄膜 动力学蒙特卡罗 温度 覆盖率
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