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飞秒激光对P型碲镉汞打孔的形貌和PN结特性研究 被引量:4
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作者 周松敏 查访星 +4 位作者 郭青天 殷菲 李茂森 马洪良 张波 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期337-341,共5页
激光束诱导电流(LBIC)检测实验表明,飞秒激光刻蚀P型碲镉汞形成的孔洞结构具有PN结特性.实验研究了激光刻蚀功率、激光聚焦透镜数值孔径等参数对刻蚀孔形貌的影响,发现在较低的激光功率范围内,孔径与激光功率基本呈线性关系.刻蚀孔反型... 激光束诱导电流(LBIC)检测实验表明,飞秒激光刻蚀P型碲镉汞形成的孔洞结构具有PN结特性.实验研究了激光刻蚀功率、激光聚焦透镜数值孔径等参数对刻蚀孔形貌的影响,发现在较低的激光功率范围内,孔径与激光功率基本呈线性关系.刻蚀孔反型层的厚度也与激光功率基本呈线性关系,但不同激光功率刻蚀所形成孔结构的LBIC信号强度的改变不大.另外,还研究了刻蚀激光在材料中聚焦深度对刻蚀孔LBIC信号的影响,发现该因素的影响并不明显. 展开更多
关键词 碲镉汞 PN结 激光束诱导电流 飞秒激光打孔
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激光束诱导电流法提取HgCdTe光伏探测器的电子扩散长度 被引量:3
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作者 殷菲 胡伟达 +5 位作者 全知觉 张波 胡晓宁 李志锋 陈效双 陆卫 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期7884-7890,共7页
由于得到HgCdTe扩散长度Lp的标准测试结构会损伤p-n结单元,实验中广泛采用激光束诱导电流(LBIC)提取的等效扩散长度L来代替Lp.本文通过二维数值模拟,分析了等效扩散长度L和扩散长度Lp的关系.二者的比例关系为L/Lp=1.1,该基本关系不受器... 由于得到HgCdTe扩散长度Lp的标准测试结构会损伤p-n结单元,实验中广泛采用激光束诱导电流(LBIC)提取的等效扩散长度L来代替Lp.本文通过二维数值模拟,分析了等效扩散长度L和扩散长度Lp的关系.二者的比例关系为L/Lp=1.1,该基本关系不受器件的关键参数如掺杂浓度、载流子寿命、载流子迁移率等的影响.最后将激光束诱导电流实验所获得的等效扩散长度L进行除1.1因子的修正,给出了实际HgCdTe光伏器件中的电子扩散长度. 展开更多
关键词 碲镉汞 激光束诱导电流 扩散长度
原文传递
AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用(英文) 被引量:2
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作者 李永富 唐恒敬 +5 位作者 朱耀明 李淘 殷豪 李天信 李雪 龚海梅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期401-405,共5页
为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜(AFM)及扫描电容显微镜(SCM)获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束... 为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜(AFM)及扫描电容显微镜(SCM)获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束诱导电流(LBIC)技术研究了带有保护环结构的InGaAs探测器的光响应特性.研究表明,无保护环结构的探测器的LBIC信号可以用指数衰减函数描述,而带有保护环结构的探测器的LBIC信号则遵从高斯分布.引入保护环结构后,器件光敏元的扩大量会随着保护环-光敏元间距的减小而线性减小.在器件设计中,比较合适的保护环-光敏元间距应介于7~12μm之间. 展开更多
关键词 扫描电容显微镜(SCM) 激光束诱导电流(lbic) 光生载流子扩散 保护环 INP/INGAAS
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HgCdTe器件中载流子扩散长度的硼离子注入效应研究 被引量:1
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作者 陈贵宾 全知觉 +1 位作者 王少伟 陆卫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期595-598,共4页
报道了非直接接触、高分辨率的激光束诱导电流谱表征技术在检测半导体材料、器件工艺中的应用.研究结果表明:p型HgCdTe薄膜经硼离子注入后形成的n型区面积大于实际的离子注入区域;对不同注入剂量系列单元不同区域载流子扩散长度进行了提... 报道了非直接接触、高分辨率的激光束诱导电流谱表征技术在检测半导体材料、器件工艺中的应用.研究结果表明:p型HgCdTe薄膜经硼离子注入后形成的n型区面积大于实际的离子注入区域;对不同注入剂量系列单元不同区域载流子扩散长度进行了提取,表明n区载流子扩散长度随硼离子注入剂量增加而减小. 展开更多
关键词 离子注入 P-N结 激光束诱导电流谱(lbic) 扩散长度
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碲镉汞激光线刻蚀研究
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作者 张赫 蒋鸿儒 潘晨博 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2021年第10期1359-1362,共4页
飞秒激光对碲镉汞(HgCdTe)材料刻蚀形成PN结。文章进行了飞秒激光刻蚀试验,使用1 kHz飞秒激光在P型HgCdTe上刻蚀形成线刻蚀区域,并采用激光束诱导电流(laser beam induced current,LBIC)技术对刻蚀区域进行光电流性质探测。试验结果表明... 飞秒激光对碲镉汞(HgCdTe)材料刻蚀形成PN结。文章进行了飞秒激光刻蚀试验,使用1 kHz飞秒激光在P型HgCdTe上刻蚀形成线刻蚀区域,并采用激光束诱导电流(laser beam induced current,LBIC)技术对刻蚀区域进行光电流性质探测。试验结果表明,LBIC扫描信号的峰形表现出明显的方向性,刻线两侧的光电流信号存在明显差异。 展开更多
关键词 碲镉汞(HgCdTe) PN结 激光束诱导电流(lbic) 飞秒激光打孔 脉冲时间
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Effect of transient space-charge perturbation on carrier transport in high-resistance CdZnTe semiconductor
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作者 Yu Guo Gang-Qiang Zha +3 位作者 Ying-Rui Li Ting-Ting Tan Hao Zhu Sen Wu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第11期304-307,共4页
The polarization effect introduced by electric field deformation is the most important bottleneck of CdZnTe detector in x-ray imaging. Currently, most of studies focus on electric field deformation caused by trapped c... The polarization effect introduced by electric field deformation is the most important bottleneck of CdZnTe detector in x-ray imaging. Currently, most of studies focus on electric field deformation caused by trapped carriers;the perturbation of electric field due to drifting carriers has been rarely reported. In this study, the effect of transient space-charge perturbation on carrier transport in a CdZnTe semiconductor is evaluated by using the laser-beam-induced current(LBIC) technique.Cusps appear in the current curves of CdZnTe detectors with different carrier transport performances under intense excitation, indicating the deformation of electric field. The current signals under different excitations are compared. The results suggest that with the increase of excitation, the amplitude of cusp increases and the electron transient time gradually decreases. The distortion in electric field is independent of carrier transport performance of detector. Transient space-charge perturbation is responsible for the pulse shape and affects the carrier transport process. 展开更多
关键词 CDZNTE TRANSIENT SPACE-CHARGE PERTURBATION laser-beam-induced current(lbic) technique carrier transport
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