期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
光敏器件的γ辐照损伤
1
作者 李世清 张能立 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第12期728-730,共3页
研究了光敏二极管和三极管经反应堆γ辐照后(辐照剂量为10~4、10~5 和10~6Gy(Si))引起的损伤。结果表明,γ辐照使光敏器件的光电流 I_p、电流放大倍数β和光电响应时间t减小,暗电流I_d增加,结电容C基本不变。被辐照器件放置180d 后,又经... 研究了光敏二极管和三极管经反应堆γ辐照后(辐照剂量为10~4、10~5 和10~6Gy(Si))引起的损伤。结果表明,γ辐照使光敏器件的光电流 I_p、电流放大倍数β和光电响应时间t减小,暗电流I_d增加,结电容C基本不变。被辐照器件放置180d 后,又经180℃温度退火72h,所测光电参数并未得到复原。这说明γ辐照除造成瞬时损伤外,还会引起部分永久性损伤。 展开更多
关键词 光敏器件 放射损伤 Γ辐射
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部