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p型晶体硅异质结太阳电池光电特性模拟研究 被引量：8
1
作者 程雪梅 孟凡英 +2 位作者 汪建强 李祥 黄建华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1474-1479,共6页
利用AFORS-HET软件模拟以p型晶体硅为衬底的异质结太阳电池的特性。太阳电池的基本结构为:TCO/n-a-Si∶H/i-a-Si∶H/p-c-Si/Ag,通过改变电池材料的特征参量,分析电池输出特性随相关参量变化的规律。结果表明,与ITO相比,以ZnO为透明导电... 利用AFORS-HET软件模拟以p型晶体硅为衬底的异质结太阳电池的特性。太阳电池的基本结构为:TCO/n-a-Si∶H/i-a-Si∶H/p-c-Si/Ag,通过改变电池材料的特征参量,分析电池输出特性随相关参量变化的规律。结果表明,与ITO相比,以ZnO为透明导电极的电池在短波光和可见光波段光谱响应更强,短路电流密度和电池效率更高。此外,在所建立的电池模型中,限定掺杂型非晶硅层的厚度为10nm,改变本征非晶硅层厚度,模拟研究找到了电池的短路电流、开路电压、填充因子及光电转换效率随本征层厚度变化的规律和最优值,通过模拟研究发现有背场的双面电池比无背场电池的开路电压增加4.8%,最高转换效率达21.25%。 展开更多
关键词 透明导电氧化物薄膜(TCO) 本征非晶硅 异质结太阳电池 AFORS—HET模拟仿真
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用于HIT太阳能电池的本征非晶硅薄膜 被引量：1
2
作者 宋佩珂 曾祥斌 +1 位作者 张锐 赵伯芳 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A04期1492-1494,共3页
带本征薄层的异质结（HIT）太阳能电池要求本征非晶硅薄膜具有生长速率低，暗电导大，光学带隙宽的特点。采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）制备符合HIT太阳能电池要求的本征非晶硅薄膜，并通过分析薄膜的透射光谱，采用Tauc法计算... 带本征薄层的异质结（HIT）太阳能电池要求本征非晶硅薄膜具有生长速率低，暗电导大，光学带隙宽的特点。采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）制备符合HIT太阳能电池要求的本征非晶硅薄膜，并通过分析薄膜的透射光谱，采用Tauc法计算了薄膜的光学带隙，为约1．87eV，衬底温度为180℃，放电功率为80W时获得的薄膜性能最佳。 展开更多
关键词 本征非晶硅薄膜 HIT PECVD
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本征氢化非晶硅薄膜厚度对其钝化性能和HIT太阳电池电性能的影响
3
作者 杜敬良 张会学 +3 位作者 姜利凯 勾宪芳 刘海涛 王丽婷 《太阳能》 2023年第11期25-32,共8页
以异质结(HIT)太阳电池的本征氢化非晶硅薄膜为研究对象,该HIT太阳电池采用n型硅片作为晶硅衬底,其n型电子传输层(下文简称为“n面”)为入光侧,p型空穴传输层(下文简称为“p面”)为背光侧。首先研究了n面和p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度... 以异质结(HIT)太阳电池的本征氢化非晶硅薄膜为研究对象,该HIT太阳电池采用n型硅片作为晶硅衬底,其n型电子传输层(下文简称为“n面”)为入光侧,p型空穴传输层(下文简称为“p面”)为背光侧。首先研究了n面和p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度对膜层钝化性能和光透过率的影响,然后进一步研究了n面和p面本征氢化非晶硅薄膜不同厚度匹配设计对HIT太阳电池电性能的影响,并选出了最优厚度匹配方案。研究结果表明:1)n面本征氢化非晶硅薄膜的厚度越薄,n面非晶硅膜层的光透过率越高,但钝化效果会变差;当厚度达到5 nm时,硅片的少子寿命趋于稳定。2)在n面本征氢化非晶硅薄膜厚度一定的情况下,随着p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度变厚,硅片的少子寿命先快速增加,当厚度达到9 nm时,硅片的少子寿命趋于稳定;当厚度大于9 nm时,制备的HIT太阳电池的短路电流和填充因子均下降,表明其串联电阻增大,导致光电转换效率降低。3)当n面和p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度分别为5、9 nm时,n面的钝化效果和光透过率匹配较好,p面的钝化效果和电阻率匹配最优,即为最优厚度匹配方案;此方案制备得到的HIT太阳电池的光电转换效率达到最高,为24.59%。 展开更多
关键词 异质结太阳电池 板式PECVD设备 本征氢化非晶硅薄膜 钝化 少子寿命 光透过率 电性能
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