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CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷高介电性的起因机制 被引量：4
1
作者 郝文涛 张家良 +2 位作者 谭永强 郑鹏 王春雷 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1058-1062,共5页
为了探索CaCu3Ti4O12(CCTO)高介电性的起因机制,利用固相反应工艺制备了CCTO陶瓷样品,对其电学性质进行了研究.在40 Hz～100 MHz测量范围内,其室温下的介电频谱在1 MHz附近呈现一个类Debye型弛豫,而高温介电频谱分别在1 kHz以下和1 MHz... 为了探索CaCu3Ti4O12(CCTO)高介电性的起因机制,利用固相反应工艺制备了CCTO陶瓷样品,对其电学性质进行了研究.在40 Hz～100 MHz测量范围内,其室温下的介电频谱在1 MHz附近呈现一个类Debye型弛豫,而高温介电频谱分别在1 kHz以下和1 MHz附近呈现两个类Debye型弛豫.抛除表面层的同一个样品分别溅射金电极和烧渗银电极后升温测量其介电频谱,发现低频介电弛豫对电极的金属类型高度敏感,而高频介电弛豫与电极的金属类型无关,与材料微观结构存在着密切的关系.因此推断:CCTO低频介电弛豫起源于样品与电极之间的耗尽层效应,而高频介电弛豫起源于高阻态的晶界与半导化的晶粒形成内部阻挡层电容效应. 展开更多
关键词 高介电材料 耗尽层效应 内阻挡层电容效应 元素变价
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La掺杂对(In_(0.5)Nb_(0.5))_(0.10)Ti_(0.90)O_(2)陶瓷微观结构和介电性能的影响
2
作者 张翠玲 陈建宾 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期182-187,共6页
In和Nb共掺杂TiO_(2)(INTO)陶瓷在100 kHz以下的巨大介电常数源于内部势垒层电容效应。根据这种电容效应,通过增加晶界对介电性能的贡献来降低其低频介电损耗。因此,将La掺杂到INTO陶瓷中,通过细化晶粒并增加晶界数量来降低陶瓷制备过... In和Nb共掺杂TiO_(2)(INTO)陶瓷在100 kHz以下的巨大介电常数源于内部势垒层电容效应。根据这种电容效应,通过增加晶界对介电性能的贡献来降低其低频介电损耗。因此,将La掺杂到INTO陶瓷中,通过细化晶粒并增加晶界数量来降低陶瓷制备过程中的能耗。结果表明,La掺杂减小了INTO陶瓷的晶粒尺寸,增加了陶瓷中晶界的数量,并且陶瓷中析出LaNbTiO_(6)二次相,在陶瓷晶粒之间形成高阻态的相界,降低陶瓷的低频介电损耗,优化了陶瓷介电常数的频率稳定性。 展开更多
关键词 共掺杂TiO_(2)陶瓷 内阻挡层电容效应 低频介电损耗 晶界数量 相界
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NaCu_3Ti_3NbO_(12)和NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的巨介电性质及NaCu_3Ti_3SbO_(12)陶瓷的低介电损耗特性
3
作者 郝文涛 徐攀攀 +2 位作者 张家良 曹恩思 彭华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期62-66,共5页
利用传统的固相反应工艺制备了NaCu3Ti3NbO12和NaCu3Ti3SbO12陶瓷,对它们的介电性质和晶格结构进行了研究。结果显示,两种陶瓷都存在低频介电常数高于7×103的巨介电行为;在室温或者更低温度下,两种陶瓷的介电频谱(40 Hz^110 MHz)... 利用传统的固相反应工艺制备了NaCu3Ti3NbO12和NaCu3Ti3SbO12陶瓷,对它们的介电性质和晶格结构进行了研究。结果显示,两种陶瓷都存在低频介电常数高于7×103的巨介电行为;在室温或者更低温度下,两种陶瓷的介电频谱(40 Hz^110 MHz)的实部只出现一个介电弛豫,而更高温度下的介电频谱的实部则会有两个介电弛豫;XRD结果显示两种陶瓷中都含有少量的CuO第二相。这些实验结果能用CCTO陶瓷中的内阻挡层电容效应解释。NaCu3Ti3SbO12陶瓷的室温介电损耗在40 Hz到7 kHz的宽频率范围内低于0.05,并且其1 kHz的介电损耗在-50~80℃的宽温度范围内低于0.05,这对于实际应用有重要意义。 展开更多
关键词 NaCu3Ti3NbO12 NaCu3Ti3SbO12 巨介电性质 内阻挡层电容效应
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