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霍尔效应的发展及应用 被引量:9
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作者 张会云 《纺织高校基础科学学报》 CAS 2002年第1期75-79,共5页
以霍尔效应的发展历史为脉络 ,从经典霍尔效应入手 ,系统地阐述了霍尔效应的原理、整数量子霍尔效应、分数量子霍尔效应和它们在实际中的应用 。
关键词 霍尔效应 整数量子霍尔效应 分数量子霍尔效应 原理 物理学 发展 应用
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整数量子霍尔效应的问题与解答
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作者 周蓉娟 过祥龙 《物理与工程》 2003年第6期1-5,共5页
本文的目的是让学生运用学过的大学物理中的量子力学知识来解释整数量子霍尔效应 .在探究问题的过程中需要掌握薛定谔方程及其对线性谐振子的解 ,用对易算符建立相应的本征值 ,熟悉周期性边界条件 。
关键词 高等教育 物理教学 整数量子霍尔效应 量子力学 分数量子霍尔效应 霍尔电阻 二维电子系统 朗道态简并
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自旋1/2量子受激转子中Planck常数调节的整数量子霍尔效应转变的有限尺寸标度分析
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作者 张嘉龙 张龙 张富春 《中国科学院大学学报(中英文)》 CSCD 北大核心 2022年第4期561-566,共6页
量子受激转子(quantum kicked rotor,QKR)是量子混沌研究中的重要模型之一。在自旋1/2的QKR中,调节等效Planck常数可以在动力学局域化相之间实现一系列相变,其形式与整数量子霍尔效应及其平台相变相似。研究这一相变的有限尺寸标度理论... 量子受激转子(quantum kicked rotor,QKR)是量子混沌研究中的重要模型之一。在自旋1/2的QKR中,调节等效Planck常数可以在动力学局域化相之间实现一系列相变,其形式与整数量子霍尔效应及其平台相变相似。研究这一相变的有限尺寸标度理论,并将其应用于自旋1/2的QKR模型。估计出相变的临界指数为ν=2.62(9),符合整数量子霍尔效应平台转变的普适类。 展开更多
关键词 量子受激转子 整数量子霍尔效应 临界现象 有限尺寸标度
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二维三角格点系统中的拓扑陈数
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作者 郁华玲 高雨 翟章印 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2018年第5期606-612,共7页
利用紧束缚模型对二维三角周期格点中各能带的陈数分布进行研究.通过严格对角化方法得到体系能量本征值和对应的本征态,再利用Kubo公式计算出量子化的霍尔电导、态密度及各扩展态对应的陈数.在傅里叶变换下将哈密顿量转换到k空间从而得... 利用紧束缚模型对二维三角周期格点中各能带的陈数分布进行研究.通过严格对角化方法得到体系能量本征值和对应的本征态,再利用Kubo公式计算出量子化的霍尔电导、态密度及各扩展态对应的陈数.在傅里叶变换下将哈密顿量转换到k空间从而得到体系的能谱分布.研究表明:次近邻格点之间的跳跃积分t’的不同取值影响体系各能带对应的陈数分布,计算得到当t’=1/2时体系三个能带从低到高对应的陈数分布为{-4,5,-1},t’=-1/2时其对应陈数分布变化为{2,-4,2},而t’=±1/4时对应的陈数分布都为{2,-1,-1}.同时发现:能谱帯隙的宽度和对应霍尔平台的宽度一致,并且k空间的能带越平坦,其对应的在霍尔电导跳跃处的态密度峰就越高越尖锐,而该处霍尔电导跳跃就越陡峭. 展开更多
关键词 整数量子hall效应 拓扑陈数 hall电导 态密度 严格对角化方法
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自旋轨道耦合系统中的整数量子霍尔效应 被引量:1
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作者 梁滔 李铭 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期220-226,共7页
研究了Rashba自旋轨道耦合作用下的二维无限长条形样品中的电子输运,计算了样品的霍尔电导和纵向电阻,得到了完整的整数量子霍尔效应.在一定强磁场范围内,由于样品两边缘的限制,能级在大波矢范围快速上升,在小波矢范围形成平坦的朗道能... 研究了Rashba自旋轨道耦合作用下的二维无限长条形样品中的电子输运,计算了样品的霍尔电导和纵向电阻,得到了完整的整数量子霍尔效应.在一定强磁场范围内,由于样品两边缘的限制,能级在大波矢范围快速上升,在小波矢范围形成平坦的朗道能级.强磁场下自旋轨道耦合完全解除自旋简并.位于朗道能级上升和下降区域的电子形成传输电流.计算结果表明,霍尔电导呈现台阶型,平台出现在e2/h的整数倍位置,形成霍尔平台.温度对霍尔平台的电导有一定影响.在某临界温度以下,霍尔平台电导可以达到10–9以上的精度.最后分析了声子发射和吸收产生整数量子霍尔效应的纵向电阻的机制,近似计算了弛豫时间,得到了纵向电阻.结果表明,纵向电阻在霍尔平台区域为零,而在霍尔平台之间出现峰值. 展开更多
关键词 自旋轨道耦合 整数量子霍尔效应 电子输运
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二维光子拓扑绝缘体研究进展 被引量:2
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作者 刘慧 王好南 +3 位作者 谢博阳 程化 田建国 陈树琪 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期935-954,共20页
受凝聚态拓扑绝缘体研究的启发,整数量子霍尔效应、量子自旋霍尔效应、拓扑半金属、高阶拓扑绝缘体等拓扑物理相继在光学系统中实现。光子系统因能带干净,样品设计简单且制作精度高等优势,逐渐成为研究物理拓扑模型和新型拓扑效应的重... 受凝聚态拓扑绝缘体研究的启发,整数量子霍尔效应、量子自旋霍尔效应、拓扑半金属、高阶拓扑绝缘体等拓扑物理相继在光学系统中实现。光子系统因能带干净,样品设计简单且制作精度高等优势,逐渐成为研究物理拓扑模型和新型拓扑效应的重要平台。拓扑光子学提供了全新的调控光场和操控光子的方法,其拓扑保护的边界态可实现光子对材料杂质缺陷免疫的传播,这种传统光子系统不具备的理想的传输态有望驱动新型光学集成器件的变革。本文将从二维光学体系出发,简要介绍几种典型的光拓扑绝缘体的最新进展,例如光整数量子霍尔效应、光量子自旋霍尔效应、光Floquet拓扑绝缘体、拓扑安德森绝缘体和高阶拓扑绝缘体。文中重点介绍了上述几种光拓扑绝缘体的拓扑模型及其新型的拓扑现象,并在最后展望了新型光学拓扑效应及其在光学器件中的应用前景。 展开更多
关键词 光拓扑绝缘体 光整数量子霍尔效应 光量子自旋霍尔效应 光Floquet拓扑绝缘体 拓扑安德森绝缘体 高阶拓扑绝缘体 拓扑保护边缘态
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