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激光大气击穿阈值的数值分析 被引量:9
1
作者 韩晓玉 杨小丽 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1655-1659,共5页
针对大气中飞行器的等离子体隐身问题,数值计算了ns量级强激光击穿大气的阈值,讨论了一些相关条件对阈值的影响。结果表明:对于ns量级的入射激光,波长越长,大气的击穿阈值越小;气压越大,击穿阈值也越小;气体中存在的初始电子对不易产生... 针对大气中飞行器的等离子体隐身问题,数值计算了ns量级强激光击穿大气的阈值,讨论了一些相关条件对阈值的影响。结果表明:对于ns量级的入射激光,波长越长,大气的击穿阈值越小;气压越大,击穿阈值也越小;气体中存在的初始电子对不易产生光电离的长波长入射激光的击穿阈值,有明显的减少作用,但对短波长入射激光的击穿阈值几乎没有影响;脉宽越宽,激光辐照的时间越长,大气击穿的阈值越小。 展开更多
关键词 大气击穿阈值 多光子电离 级联电离 初始电子
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气体开关击穿机理的初步研究 被引量:5
2
作者 彭建昌 王颖 +4 位作者 王利民 李爽 王雪峰 林强 谢晋 《现代应用物理》 2014年第2期129-134,共6页
分析了气体开关阴极表面初始电子的产生机制及其影响因素,给出开关电场是决定发射电流密度的关键因素。根据汤逊碰撞理论,讨论了开关电场、气压和温度对汤逊第一电离系数的影响。在温度和气压保持不变时,汤逊第一电离系数随开关电场的... 分析了气体开关阴极表面初始电子的产生机制及其影响因素,给出开关电场是决定发射电流密度的关键因素。根据汤逊碰撞理论,讨论了开关电场、气压和温度对汤逊第一电离系数的影响。在温度和气压保持不变时,汤逊第一电离系数随开关电场的增大而增大。实验研究了开关输出脉冲前沿及其主要影响因素,研究结果表明,随着开关气压的增高,击穿电场增大,汤逊第一电离系数减小,输出脉冲前沿也减小;提高开关的击穿电场,是加速气体电离过程、陡化输出脉冲前沿的有效途径;在高电场条件下,碰撞电离已经不是气体电离的主要形式。 展开更多
关键词 气体开关 初始电子 气体电离 电场 脉冲前沿
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紫外促发器在金卤灯中的应用 被引量:3
3
作者 刘先德 《中国照明电器》 2013年第5期15-18,共4页
阐述紫外促发器(UV Enhancer,以下简称UVE)的特性及其与触发器和灯间的关系;同时,对UVE的装配方式对灯的触发的影响也做了阐述;介绍几种UVE的装配方法。
关键词 紫外促发器 UVE 金卤灯 初始电子
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关于第三代电致发光器件加速层的一些探讨 被引量:1
4
作者 刘勇 王平 +2 位作者 马义 楼立人 夏上达 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期292-294,共3页
通过简化的三角势垒模型计算发现在第三代电致发光器件中,CdS层确实对提供初电子有利.用计入非晶效应的MonteCarlo方法进行模拟计算,证明非晶SiO2层比ZnS层有更好的加速作用,从而有利于提高器件蓝红比.
关键词 薄膜 电致发光器件 初电子源 硫化镉 加速层
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Experimental investigation on the development characteristics of initial electrons in a gas pressurized closing switch under DC voltage
5
作者 翟戎骁 邱孟通 +4 位作者 罗维熙 丛培天 黄涛 尹佳辉 张天洋 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第4期164-169,共6页
As one of the most important elements in linear transformer driver(LTD) based systems, the gas pressurized closing switches are required to operate with a very low prefire probability during the DC-charging process to... As one of the most important elements in linear transformer driver(LTD) based systems, the gas pressurized closing switches are required to operate with a very low prefire probability during the DC-charging process to ensure reliable operation and stable output of the whole pulsed power system. The most direct and effective way to control the prefire probability is to select a suitable working coefficient. The study of the development characteristics of the initially generated electrons is useful for optimizing the working coefficient and improving the prefire characteristic of the switches. In this paper an ultraviolet pulsed laser is used to generate initial electrons inside the gap volume. A current measuring system is used to measure the time-dependent current generated by the growth of the initial electrons so as to study the development characteristics of the electrons under different working coefficients. Experimental results show that the development characteristics of the initial electrons are influenced obviously by the working coefficient. With the increase of the working coefficient, the development degree of the electrons increases consequently. At the same times, there is a threshold of working coefficient which produces the effect of ionization on electrons. The range of the threshold has a slow growth but remains close to 65% with the gas pressure increase. When the working coefficient increases further, γ processes are starting to be generated inside the gap volume. In addition, an optimal working coefficient beneficial for improving the prefire characteristic is indicated and further tested. 展开更多
关键词 gas switch working coefficient prefire initial electron
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衰亡等离子体中产生离子输运初始电子温度效应的临界电子数密度判据 被引量:1
6
作者 陈坚 李静 +2 位作者 李和平 姜东君 周明胜 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期729-736,共8页
在无外加激励源存在的条件下,不同的等离子体初始参数对衰亡等离子体特性,特别是其内部粒子输运特性的影响会表现出与准稳态等离子体条件下不同的物理规律。为此以激光共振电离所产生的等离子体为研究对象,采用理论分析与粒子模拟相结... 在无外加激励源存在的条件下,不同的等离子体初始参数对衰亡等离子体特性,特别是其内部粒子输运特性的影响会表现出与准稳态等离子体条件下不同的物理规律。为此以激光共振电离所产生的等离子体为研究对象,采用理论分析与粒子模拟相结合的手段,研究了在平行板直流电场作用下衰亡等离子体中带电粒子的输运特性,着重分析了初始电子温度对离子输运特性的影响规律,建立了产生离子输运初始电子温度效应的临界电子数密度判据。研究结果表明:衰亡等离子体在外加直流电场作用下的粒子输运特性会受到初始电子温度和电子数密度、外加电压幅值以及极板间距等多个因素的影响。在外加直流电压与极板间距保持不变的情况下,存在1个临界的电子数密度。当等离子体初始电子数密度低于这一临界数密度值时,初始电子温度将无法影响等离子体衰亡过程中的离子通量;而当初始电子数密度高于这一临界值时,离子衰亡时间将随着初始电子温度的升高而显著缩短。该研究结果在一定程度上揭示了等离子体衰亡过程中初始电子温度和电子数密度对带电粒子输运特性的耦合作用机制,也为实际应用中以提高离子引出效率为目标的关键等离子体初始参数和引出区域结构与工作参数等的调控提供了理论上的指导。 展开更多
关键词 衰亡等离子体 粒子输运 初始电子温度 临界电子数密度 粒子模拟
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Monte Carlo Modeling and Verification of 6 MV Linear Accelerator
7
作者 Shixiong Lu Haijun Deng 《World Journal of Engineering and Technology》 2022年第2期213-223,共11页
Purpose: To model the ELEKTA COMPACT accelerator head by using EGSnrc/BEAMnrc/DOSXYZnrc and to validatethe simulation according to the depth-dose and lateral profiles of different radiation fields measured by the... Purpose: To model the ELEKTA COMPACT accelerator head by using EGSnrc/BEAMnrc/DOSXYZnrc and to validatethe simulation according to the depth-dose and lateral profiles of different radiation fields measured by the water phantom. Methods: IBA Blue Water Phantom2 and CC13 Ionization Chamber were used to measure the depth-dose curves at 10 cm × 10 cm field and profile curves at 10 cm depth underwater. In BEAMnrc, the main components of accelerator head and the initial electron beam are established based on the specifications file, and the phase space file containing the photon beam information is generated. In DOXYZnrc, phase space files were used to irradiate a homogeneous water phantom of the same size as the IBA water phantom, and the simulated percentage depth dose curves and lateral profiles were outputted. The accuracy of the model was evaluated by mean square error (MSE) compared with the measured data. PDD curves are used to determine the energy of the initial electron beam. Dose profile curves are used to adjust the flattening filter. The penumbra on lateral profiles is used to adjust the full-width half-maximum (FWHM) of the electron source. Result: The electron energy of 5.8 MeV was considered the best match after comparing the PDD curves of 5.6 - 6.2 MeV electron beams. The flattening filter can only be adjusted by trial. In the final result, the maximum fluctuation of profile curve within 80% of the maximum field size is less than 3%, which meets the requirements of field flatness. The optimum FWHM for different fields is not consistent due to the Transmission penumbra. But a match can be approached by adjusting the FWHM every 10 cm field size. 展开更多
关键词 EGSnrc/BEAMnrc/DOSXYZnrc Linear Accelerator initial electron Beam PDD Lateral Profiles
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短脉冲激光辐照下熔融石英薄膜的损伤机理 被引量:1
8
作者 黄才华 薛亦渝 +3 位作者 夏志林 赵元安 杨芳芳 郭培涛 《武汉理工大学学报(信息与管理工程版)》 CAS 2008年第6期905-908,共4页
激光诱导薄膜损伤过程中,雪崩离化(AI)和多光子离化(MPI)的性质和作用到目前仍然存在争议。基于STUART等人的电子密度演化方程,运用数值模拟方法,研究了脉宽为τ∈[0.01,5]ps范围内单脉冲激光作用下熔融石英薄膜中电子密度演化过程;讨... 激光诱导薄膜损伤过程中,雪崩离化(AI)和多光子离化(MPI)的性质和作用到目前仍然存在争议。基于STUART等人的电子密度演化方程,运用数值模拟方法,研究了脉宽为τ∈[0.01,5]ps范围内单脉冲激光作用下熔融石英薄膜中电子密度演化过程;讨论了初始电子密度、激光脉冲宽度对阈值功率密度和阈值能量的影响;分析了初始电子密度、激光脉冲宽度对多光子离化及雪崩离化的影响。研究结果表明,在所研究的脉宽范围内,对于熔融石英光学薄膜、飞秒激光诱导损伤以雪崩离化为主导,多光子离化的影响随着脉宽的降低而增强,雪崩离化所需种子电子主要来源于多光子离化。 展开更多
关键词 激光诱导损伤 多光子离化 雪崩离化 初始电子密度 损伤阈值能量
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光学薄膜激光诱导损伤机理研究(英文) 被引量:1
9
作者 黄才华 薛亦渝 +2 位作者 夏志林 赵元安 杨芳芳 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期532-535,共4页
基于电子密度演化模型,借助数值方法,研究了飞秒激光作用下光学薄膜内的电子密度演化过程,讨论了初始电子密度Ni和激光脉冲宽度τ对光学薄膜激光损伤阈值Fth的影响,分析了激光诱导薄膜损伤过程中MPI和AI的性质和作用.研究结果表明,对应... 基于电子密度演化模型,借助数值方法,研究了飞秒激光作用下光学薄膜内的电子密度演化过程,讨论了初始电子密度Ni和激光脉冲宽度τ对光学薄膜激光损伤阈值Fth的影响,分析了激光诱导薄膜损伤过程中MPI和AI的性质和作用.研究结果表明,对应于一定的脉宽,存在一个临界初始电子密度,当Ni低于这一临界密度时,Fth不受Ni影响;当Ni高于临界密度时,Fth随Ni增加而降低.临界初始电子密度随着脉宽的减小而增加。对于FS和BBS介质薄膜,Fth随脉宽的增加而升高。初始电子密度Ni对BBS中的MPI和AI基本没有影响;同样Ni对FS中的AI基本不产生影响,但当Ni>1011cm-3时,FS中MPI电子密度随Ni增加而降低.在所研究的脉宽范围τ∈[0.01,5]ps,AI是FS介质激光诱导损伤的主要机制.而对于BBS,当脉宽τ∈[0.03,5]ps,AI是激光诱导损伤的主要机制;当脉宽τ∈[0.01,0.03]ps,MPI在激光诱导损伤中占主导地位. 展开更多
关键词 激光物理 激光诱导损伤 飞秒激光脉冲 多光子离化 雪崩离化 初始电子密度
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医用加速器电子治疗模式的BEAM程序分析 被引量:1
10
作者 张洁熹 李泉凤 +2 位作者 陈怀璧 郭冰琪 关发达 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期667-672,共6页
医用电子直线加速器XHA9在水模体中的实测曲线显示出其标称能量低、表面剂量偏高等现象。为寻求解决途径,用蒙特卡罗程序BEAM对XHA9 7 MeV电子治疗模式E7建立了初始电子束模型,并计算了水模中的百分深度剂量(PDD)曲线,分析了各部件产生... 医用电子直线加速器XHA9在水模体中的实测曲线显示出其标称能量低、表面剂量偏高等现象。为寻求解决途径,用蒙特卡罗程序BEAM对XHA9 7 MeV电子治疗模式E7建立了初始电子束模型,并计算了水模中的百分深度剂量(PDD)曲线,分析了各部件产生的电子对治疗电子束的贡献,确定限光筒产生的大量低能电子是导致出现标称能量低、表面剂量偏高等现象的主要原因。通过修改限光筒、散射箔等部件,分步优化了治疗头结构。模拟计算结果表明:优化方案提高了加速器的标称能量,降低了表面剂量和轫致辐射剂量,使剂量均匀性得到明显改善。 展开更多
关键词 BEAM程序 初始电子束模型 百分深度剂量曲线 治疗头结构优化 限光筒
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准分子激光器中的X光预电离研究
11
作者 王又青 安承武 李再光 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期193-196,共4页
对于准分子激光器这样的高气压脉冲放电器件,为保证放电的均匀性,预电离是必不可少的。本文详细介绍了X光预电离的产生机理及实验装置,并进行了深入的实验研究及理论分析,对实际工作有较大的参考意义。
关键词 高气压脉冲放电 X光预电离 准分子激光器
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基于局域场近似的氮气正电晕放电仿真
12
作者 涂鸣麟 沈书林 方洋洋 《电力学报》 2018年第5期434-438,462,共6页
在研究正电晕放电问题时,大部分学者建立数值模型时引入电子能量方程,而加入电子能量方程之后需要包含比较全面的粒子间相互反应,这样大大降低了计算效率。研究在纯氮气中建立了基于局域场近似的正电晕放电二维仿真模型。通过仿真得到... 在研究正电晕放电问题时,大部分学者建立数值模型时引入电子能量方程,而加入电子能量方程之后需要包含比较全面的粒子间相互反应,这样大大降低了计算效率。研究在纯氮气中建立了基于局域场近似的正电晕放电二维仿真模型。通过仿真得到的电子密度分布以及空间场强分布可以用经典的流注理论解释;改变初始电子浓度大小、外施电压以及棒电极形状得到的结论符合实验规律。证明了在粒子反应相对较少的气体如氮气中采用局域场近似进行的仿真能够很好地满足物理客观事实。至于反应复杂的混合气体电晕放电是否也能使用局域场近似还需要进一步验证。 展开更多
关键词 局域场近似 正电晕 初始电子浓度 棒电极形状
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X光预电离源实验研究
13
作者 王又青 李再光 《激光技术》 CAS CSCD 1996年第5期265-266,共2页
对于准分子激光器这样的高压气体脉冲放电器件,为保证放电的均匀性,预电离是必不可少的。本文介绍了X光预电离的产生机理及实验装置,并进行了详细的实验研究及理论分析,对实际工作有较大的参考意义。
关键词 气体脉冲放电 X光预电脑 准分子激光器
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初始种子电子团对短空气间隙流注放电行为的影响 被引量:3
14
作者 王成江 涂鸣麟 +2 位作者 方洋洋 沈书林 李亚莎 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2019年第1期57-62,共6页
流注放电过程中初始种子电子团的形成数量及位置具有随机性,为揭示初始种子电子团对流注放电行为的影响,建立流体动力学-化学反应混合模型,数值仿真大气压下棒-板间隙为5 mm的流注放电过程。模型包括电子、正负离子连续性方程、电子平... 流注放电过程中初始种子电子团的形成数量及位置具有随机性,为揭示初始种子电子团对流注放电行为的影响,建立流体动力学-化学反应混合模型,数值仿真大气压下棒-板间隙为5 mm的流注放电过程。模型包括电子、正负离子连续性方程、电子平均能量方程和电场的泊松方程以及23种粒子间化学反应。分别在模型中对密度峰值和分布位置预设置3个不同数值,研究初始种子电子团密度峰值和分布位置对空气间隙流注放电行为的影响。结果表明:初始种子电子团密度峰值的增加只会加速流注的形成,不会影响流注的时空变化规律;而分布位置的改变会影响流注的时空发展特性,初始位置与棒电极的距离越远,形成的流注到达板电极的时间愈短。 展开更多
关键词 初始种子电子团 流体动力学-化学反应模型 流注放电 空气间隙放电
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GaAs中电子自旋极化的浓度依赖研究 被引量:2
15
作者 滕利华 《科学技术与工程》 2010年第18期4366-4369,共4页
采用时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱,研究本征GaAs中导带底附近电子初始自旋极化和自旋弛豫动力学。发现电子初始自旋极化度小于通常认为的0.5,并随光注入载流子浓度的增大而减小。假设右旋圆偏振光激发到导带的自旋取向,向上与向下电... 采用时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱,研究本征GaAs中导带底附近电子初始自旋极化和自旋弛豫动力学。发现电子初始自旋极化度小于通常认为的0.5,并随光注入载流子浓度的增大而减小。假设右旋圆偏振光激发到导带的自旋取向,向上与向下电子浓度之比为1:3,理论计算的电子初始自旋极化度随载流子浓度变化关系与实验结果很好的符合。计算结果同时表明,带隙重整化效应对电子初始自旋极化度有较大影响,但电子初始自旋极化度小于0.5的现象并非起源于带隙重整化效应。 展开更多
关键词 圆偏振光抽运-探测光谱 电子初始自旋极化度 GAAS
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电子初始能量对双向流二极管空间电荷限制流密度的影响 被引量:1
16
作者 石磊 张嘉生 +1 位作者 邱爱慈 何小平 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期357-359,共3页
从理论上研究了阴极发射电子初始能量对一维平面非相对论性双向流二极管内空间电荷限制电子、离子流密度的影响 ,并与阴极发射电子初始能量为 0情况下的空间电荷限制电子。
关键词 空间电荷限制电流 二极管 双向流 电子初始能量
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GaAs导带中电子自旋极化的能量演化
17
作者 滕利华 牟丽君 《科学技术与工程》 2011年第32期7884-7887,共4页
考虑自旋极化依赖的带隙重整化效应,分别计算了常温与10 K的低温下GaAs导带中光注入电子自旋极化度的能量演化。计算过程中假设右旋圆偏振光激发,载流子浓度为2×1017 cm-3。发现常温下电子初始自旋极化度随过超能量的增大而增大,... 考虑自旋极化依赖的带隙重整化效应,分别计算了常温与10 K的低温下GaAs导带中光注入电子自旋极化度的能量演化。计算过程中假设右旋圆偏振光激发,载流子浓度为2×1017 cm-3。发现常温下电子初始自旋极化度随过超能量的增大而增大,并非为通常认为的0.5。而在低温下,导带底附近电子初始自旋极化度几乎为0,电子初始自旋极化度也随过超能量的增大而增大,高能级上可以获得100%的电子初始自旋极化度。 展开更多
关键词 电子初始自旋极化度 带隙重整化效应 费米分布 GAAS
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