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C-V法测量pn结杂质浓度分布的基本原理及应用 被引量：13
1
作者 何波 史衍丽 徐静 《红外》 CAS 2006年第10期5-10,共6页
全面地介绍了pn结C-V测量法的基本原理、测试设备及条件。利用pn结反向偏压时的电容特性推导了有效杂质浓度随深度分布的计算公式及突变结和线性缓变结的1/(C2)-V和1/(C3)-V关系图。应用该原理计算、分析了IN5401整流二极管pn结的特性... 全面地介绍了pn结C-V测量法的基本原理、测试设备及条件。利用pn结反向偏压时的电容特性推导了有效杂质浓度随深度分布的计算公式及突变结和线性缓变结的1/(C2)-V和1/(C3)-V关系图。应用该原理计算、分析了IN5401整流二极管pn结的特性及杂质浓度的纵向分布。 展开更多
关键词 C—V测量法 杂质浓度分布 PN结 势垒电容 离子注入
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多晶硅中杂质含量、分布及其检测方法的探讨 被引量：4
2
作者 李闻笛 廉景燕 丛山 《化学工业与工程》 CAS 2013年第4期73-78,共6页
多晶硅中杂质的组成及含量是衡量多晶硅产品质量的重要指标之一,由于其杂质组成复杂、含量低于常规检测方法检出限,这就使对多晶硅中杂质含量、分布及检测方法的研究具有重要意义。概述了目前用于检测分析多晶硅中杂质含量、分布的方法... 多晶硅中杂质的组成及含量是衡量多晶硅产品质量的重要指标之一,由于其杂质组成复杂、含量低于常规检测方法检出限,这就使对多晶硅中杂质含量、分布及检测方法的研究具有重要意义。概述了目前用于检测分析多晶硅中杂质含量、分布的方法及其优缺点;总结了近年来国内外在多晶硅杂质检测方法研究中的进展以及多晶硅中杂质的含量和分布数据,为多晶硅的检测提供了参考。 展开更多
关键词 多晶硅 杂质 含量 分布 检测方法
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Origin软件在“电容-电压法测半导体杂质浓度分布”实验中的应用 被引量：3
3
作者 丁格曼 张军朋 《大学物理实验》 2016年第2期90-93,共4页
基于电容-电压法(简称C-V法)来测量半导体杂质浓度分布,简单快速且不破坏样品。为更快速、精确求得半导体杂质浓度分布,利用Origin软件绘出样品的C-V曲线、1/C^2-V曲线的线性拟合,快速求出杂质浓度、自建场及绘制相应的杂质浓度分布曲线。
关键词 C-V测量法 ORIGIN 杂质浓度分布 PN结
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利用高分辨辉光放电质谱技术对难熔金属材料进行痕量元素定量和深度剖面分析 被引量：4
4
作者 PUTYERA Karol BOYEA Nick +1 位作者 CUQ Nicole MICHELLON Cyril 《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期1-7,共7页
直接采样的高分辨辉光放电质谱(GDMS)是当今高纯固体常规分析中可用的高灵敏度分析方法之一。这种多元素分析技术通常用于主量化学成分的定量分析、监测元素质量分数随微米级深度(深度分布)的变化,或用于对多种固体和镀层上肉眼可见体... 直接采样的高分辨辉光放电质谱(GDMS)是当今高纯固体常规分析中可用的高灵敏度分析方法之一。这种多元素分析技术通常用于主量化学成分的定量分析、监测元素质量分数随微米级深度(深度分布)的变化,或用于对多种固体和镀层上肉眼可见体积的高灵敏度的分布研究,包括纯金属、高温合金、陶瓷或其中陶瓷金属。由于GDMS的检测几乎涵盖了所有方法,因此在监测痕量级的多元素含量方面是最具成本优势的。另外,它使对在包含绝缘层和(或)镀层及两者化合物的平面上的高灵敏度的含量深度分布分析成为可能。本文着重介绍直流辉光质谱技术用于监测痕量至超含量元素分析技术目前的进展以及直接采样分析实践中应当采用的策略。 展开更多
关键词 高温材料 难熔金属 痕量杂质 元素浓度分布 辉光放电质谱法
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