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TNT中杂质对装药质量的影响 被引量:9
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作者 刘钧 李树奇 《火炸药学报》 EI CAS CSCD 2006年第3期68-69,共2页
用测凝固点(Ts)的方法研究了TNT中杂质对装药质量的影响。结果表明,用Ts值评价好/相当好装药质量的规格为:对新出厂TNT,Ts=80.3℃;对库存半年的TNT,Ts=80.4℃。通过实验得出,TNT中含有一定的杂质可提高装药的工艺性能。
关键词 分析化学 TNT 杂质含量 装药质量 工艺性能
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杂质浓度梯度下XLPE空间电荷与电场分布特性仿真研究 被引量:1
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作者 宋柯 王伟 +2 位作者 钱定冬 鲍国栋 金煜知 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2023年第4期40-47,共8页
交联副产物等杂质解离易引起异极性空间电荷的积累,导致局部场强畸变。同时,交联聚乙烯(XLPE)直流电缆脱气处理后交联副产物杂质会在绝缘层中形成“内高外低”的浓度梯度分布,而杂质浓度梯度对空间电荷的影响尚不清晰。为此基于双极性... 交联副产物等杂质解离易引起异极性空间电荷的积累,导致局部场强畸变。同时,交联聚乙烯(XLPE)直流电缆脱气处理后交联副产物杂质会在绝缘层中形成“内高外低”的浓度梯度分布,而杂质浓度梯度对空间电荷的影响尚不清晰。为此基于双极性电荷输运模型,引入杂质浓度梯度并考虑杂质离子对载流子的散射作用,仿真计算交联副产物杂质均匀分布与梯度分布对XLPE空间电荷与电场分布的影响,并分析影响杂质梯度效应的各种因素。结果表明:杂质梯度分布下XLPE空间电荷和电场分布表现出明显的杂质梯度效应,即低浓度侧异极性电荷积聚增多,导致其附近电场增强;而杂质解离势垒和杂质分布浓度是影响杂质梯度效应的主要原因,在杂质浓度梯度一定时,活化能越低,温度越高,解离势垒越低,载流子的迁移率相应降低,导致杂质梯度效应越明显;绝缘层厚度越大,杂质分布浓度越高,杂质梯度效应也越明显。 展开更多
关键词 交联聚乙烯 杂质 浓度梯度 空间电荷 电场
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Simulation studies of tungsten impurity behaviors during neon impurity seeding with tungsten bundled charge state model using SOLPS-ITER on EAST
3
作者 Shanlu GAO Xiaoju LIU +8 位作者 Guozhong DENG Tingfeng MING Guoqiang LI Xuexi ZHANG Xiaodong WU Xiaohe WU Bang LI Haochen FAN Xiang GAO 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第7期137-147,共11页
An investigation into tungsten(W)impurity behaviors with the update of the EAST lower W divertor for H-mode has been carried out using SOLPS-ITER.This work aims to study the effect of external neon(Ne)impurity seeding... An investigation into tungsten(W)impurity behaviors with the update of the EAST lower W divertor for H-mode has been carried out using SOLPS-ITER.This work aims to study the effect of external neon(Ne)impurity seeding on W impurity sputtering with the bundled charge state model.As the Ne seeding rate increases,plasma parameters,W concentration(C_(W)),and eroded W flux(Γ_(W)^(Ero))at both targets are compared and analyzed between the highly resolved bundled model‘jett’and the full W charge state model.The results indicate that‘jett’can produce divertor behaviors essentially in agreement with the full W charge state model.The bundled scheme with high resolution in low W charge states(<W^(20+))has no obvious effect on the Ne impurity distribution and thus little effect on W sputtering by Ne.Meanwhile,parametric scans of radial particle and thermal transport diffusivities(D_(⊥)andχ_(e,i))in the SOL are simulated using the‘jett’bundled model.The results indicate that the transport diffusivity variations have significant influences on the divertor parameters,especially for W impurity sputtering. 展开更多
关键词 tungsten impurity sputtering bundled charge state model transport diffusivity SOLPS-ITER
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使用Y函数方法提取MoS2 FET双向扫描电学参数
4
作者 赵宇航 卢意飞 刘强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期125-130,159,共7页
利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管(FET),通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两... 利用机械剥离法制备了多层背栅MoS_2场效应晶体管(FET),通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数。结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值。这两种提取方法的不同之处在于Y函数方法考虑了寄生电阻的影响,而跨导法则将其忽略了,这说明寄生电阻带来的影响是显著的。此外,该器件在双向扫描过程中出现了明显的回滞特性,这主要是MoS_2材料吸附外界杂质电荷造成的。无论采用跨导法还是Y函数方法,其正向扫描和反向扫描时对应的电学参数都不完全一致。这表明在分析MoS_2 FET的电学性能时,除了考虑器件的寄生电阻外,还需要考虑界面电荷的影响。 展开更多
关键词 MoS2场效应晶体管(FET) Y函数方法 寄生电阻 杂质电荷 回滞特性
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直流电弧原子发射光谱法测定钛和钛合金中微量杂质元素 被引量:9
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作者 王辉 马晓敏 +1 位作者 郑伟 王宽 《岩矿测试》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期506-511,共6页
高纯度的钛及钛合金具有良好的可塑性,当有杂质存在时变得脆而硬而影响其性能,准确分析杂质元素的含量有利于对钛生产工艺进行质量控制。对于杂质元素的分析,现行国家标准方法是采用样品蒸发温度较高的直流电弧作为光源,摄谱仪测定,需... 高纯度的钛及钛合金具有良好的可塑性,当有杂质存在时变得脆而硬而影响其性能,准确分析杂质元素的含量有利于对钛生产工艺进行质量控制。对于杂质元素的分析,现行国家标准方法是采用样品蒸发温度较高的直流电弧作为光源,摄谱仪测定,需要经过显影、定影、测量黑度等步骤,操作繁琐,流程长,测量误差较大。本文应用中阶梯光栅和电荷耦合器件(CCD)组成的直流电弧(DC Arc)原子发射光谱仪(波长范围200~800nm),谱线干扰分析和谱线强度测量可以同时进行,能更大限度地获取光谱信息,建立了快速测定钛及钛合金中10种微量杂质元素(锰锡铬镍铝钼钒铜锆钇)的分析方法。实验讨论了测定过程中的四类谱线干扰,包括钛作为基体元素的谱线干扰、钛合金中添加的化学成分元素干扰、铁谱线的干扰、杂质元素之间的干扰,确定了适当的分析线;并应用一种浅孔薄壁细颈杯形电极装入试样,提高了样品的蒸发效果;用氯化银和碳粉的混合物作缓冲剂,提高了待测元素的谱线强度。本方法的检测范围为0.001%~0.06%,精密度小于15%,回收率为90.0%~110.0%,适合于大批量钛及钛合金样品中杂质元素的同时检测。 展开更多
关键词 钛及钛合金 杂质元素 原子发射光谱法 直流电弧 电荷耦合器件
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基质中非4f组态的电子态对Pr^(3+)离子发光的影响(英文) 被引量:6
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作者 刘峰 王笑军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期1-6,共6页
三价镨离子(Pr^(3+))是一种备受关注的稀土发光离子。学者们在过去几十年里对其发光性质进行了大量的理论和实验研究。在不同的基质材料中,由于非4f组态的电子态与Pr^(3+)离子发光能级相互作用,Pr^(3+)离子可以展现从紫外到红外波段的... 三价镨离子(Pr^(3+))是一种备受关注的稀土发光离子。学者们在过去几十年里对其发光性质进行了大量的理论和实验研究。在不同的基质材料中,由于非4f组态的电子态与Pr^(3+)离子发光能级相互作用,Pr^(3+)离子可以展现从紫外到红外波段的不同特征的光发射。影响Pr^(3+)离子发光的这些电子态可能源于4f5d激发组态、电荷迁移态或类激子态。本文中,我们以几种具有代表性的发光材料为例,简短地总结和评述了Pr^(3+)离子发光的不同谱形;也尝试解释了几个新颖的实验现象,例如:杂质束缚激子态和电荷迁移态对发光的猝灭影响。我们希望这些相关概念和谱学结果的整理有助于读者更好地理解一些实验上的发光现象,并为设计发光材料提供新的思路。 展开更多
关键词 Pr3+ 1S0发射 1D2发射 杂质束缚激子态 电荷迁移态 红外发光
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土中水膜厚度变化规律及未冻水含量预测方法 被引量:4
7
作者 万旭升 颜梦宇 +1 位作者 路建国 晏忠瑞 《干旱区研究》 CSCD 北大核心 2022年第1期135-143,共9页
未冻水含量改变直接影响冻土的热力学及变形特性,也是水热数值计算的关键条件。为了探究未冻水含量变化规律,首先采用等效粒径表征土颗粒粒径分布,将土体简化成等效粒径球状堆积体系。其次考虑简单立方堆积和立方最密堆积平均的堆积方式... 未冻水含量改变直接影响冻土的热力学及变形特性,也是水热数值计算的关键条件。为了探究未冻水含量变化规律,首先采用等效粒径表征土颗粒粒径分布,将土体简化成等效粒径球状堆积体系。其次考虑简单立方堆积和立方最密堆积平均的堆积方式,基于多孔介质预融理论,提出土中未冻水含量的计算方法,并通过试验数据验证其合理性。最后分析了杂质密度以及有效粒径大小对水膜厚度以及未冻水含量的影响。研究结果表明:土颗粒表面电荷密度引发的自由能对水膜厚度的改变极易受杂质浓度的影响,随着浓度增大,土颗粒表面电荷对水膜的影响越来越小。土中液态水含量主要由土颗粒表面水膜厚度变化来决定,当等效颗粒减小时,通过间隙水求解的未冻水体积比例逐渐增大,并且在较低浓度时发挥更大作用。对于较大颗粒土,未冻水含量模型预测效果好。当粉质黏土、黄土、砂土等效粒径分别缩小0.28、0.3、0.36倍时,未冻水体积含量计算结果与试验值吻合较好。 展开更多
关键词 预融 未冻水含量 等效粒径 杂质浓度 表面电荷密度
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EAST辐射偏滤器运行模式下等离子体杂质浓度评估方法 被引量:3
8
作者 计华健 张洪明 +14 位作者 杨秀达 尹相辉 李克栋 何梁 符佳 王福地 沈永才 万顺宽 吕波 龚学余 龚先祖 臧庆 王嵎民 林新 王守信 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2022年第3期59-66,共8页
通过在偏滤器区域充入适量氖气(Ne)或氩气(Ar),东方超环(Experimental Advanced Super-conducting Tokamak,EAST)托卡马克装置实现了辐射偏滤器运行模式。在辐射偏滤器运行模式下,靶板热负荷显著降低,有效缓解了高能粒子流对偏滤器靶板... 通过在偏滤器区域充入适量氖气(Ne)或氩气(Ar),东方超环(Experimental Advanced Super-conducting Tokamak,EAST)托卡马克装置实现了辐射偏滤器运行模式。在辐射偏滤器运行模式下,靶板热负荷显著降低,有效缓解了高能粒子流对偏滤器靶板的损伤。但是在偏滤器区域充入过量杂质气体时,杂质粒子会沿着磁力线进入主等离子体,影响主等离子体的约束性能,甚至导致等离子体破裂。因此,有必要研究偏滤器区域等离子体杂质浓度的估算方法,分析充入杂质气体时该区域杂质的定量变化,以此来评估充入的杂质气体对芯部等离子体约束性能的影响。本文针对不同的杂质种类,建立了不同的杂质浓度估算方法。对于钨杂质,通过极紫外光谱(Extreme Ultraviolet Spectroscopy,EUV)诊断系统测量偏滤器区域钨杂质的辐射强度,再根据碰撞-辐射模型对该区域的钨杂质浓度进行了估算。对于Ne杂质,则通过等离子体有效电荷数(Z_(eff))的变化进行了Ne杂质浓度估算。基于估算结果,对辐射偏滤器条件下的芯部杂质行为进行了讨论。上述杂质浓度评估方法对开展辐射偏滤器条件下等离子体约束性能研究,优化辐射偏滤器运行参数有重要意义。 展开更多
关键词 杂质浓度 杂质输运 脱靶运行 极紫外光谱仪 有效电荷数
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Profile Measurement of Ion Temperature and Toroidal Rotation Velocity with Charge Exchange Recombination Spectroscopy Diagnostics in the HL-2A Tokamak 被引量:1
9
作者 吴静 姚列明 +2 位作者 朱建华 韩晓玉 李文柱 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第11期953-957,共5页
This paper deals with the profile measurement of impurity ion temperature and toroidal rotation velocity that can be achieved by using the charge exchange recombination spectrum (CXRS) diagnostics tool built on the ... This paper deals with the profile measurement of impurity ion temperature and toroidal rotation velocity that can be achieved by using the charge exchange recombination spectrum (CXRS) diagnostics tool built on the HL-2A toknmak. By using CXRS, an accurate impurity ion temperature and toroidal plasma rotation velocity profile can be achieved under the condition of neutrM beam injection (NBI) heating. Considering the edge effect of the line of CVI 529.06 nm (n= 8-7), which contains three lines (active exciting spectral line (ACX), passivity exciting spectral line (PCX) and electron exciting spectral line (ICE)), and using three Gaussian fitted curves, we obtain the following experimental results: the core ion temperature of HL-2A device is nearly thousands of eV, and the plasma rotation velocity reaches about 104 m· s^-1. At the end of paper, some explanations are presented for the relationship between the curves and the inner physical mechanism. 展开更多
关键词 Keywords: neutral beam injection heating charge exchange recombination spectroscopydiagnostic impurity ion temperature toroidal rotation velocity
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MOS Capacitance-Voltage Characteristics:Ⅳ.Trapping Capacitance from 3-Charge-State Impurities
10
作者 Jie Binbin Sah Chihtang 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第1期1-19,共19页
Metal-Oxide-Semiconductor Capacitance-Voltage (MOSCV) characteristics containing giant carrier trapping capacitances from 3-charge-state or 2-energy-level impurities are presented for not-doped, n-doped, p- doped an... Metal-Oxide-Semiconductor Capacitance-Voltage (MOSCV) characteristics containing giant carrier trapping capacitances from 3-charge-state or 2-energy-level impurities are presented for not-doped, n-doped, p- doped and compensated silicon containing the double-donor sulfur and iron, the double-acceptor zinc, and the amphoteric or one-donor and one-acceptor gold and silver impurities. These impurities provide giant trapping ca- pacitances at trapping energies from 200 to 800 meV (50 to 200 THz and 6 to 1.5 μm), which suggest potential sub-millimeter, far-infrared and spin electronics applications. 展开更多
关键词 multiple charge states trapping capacitance dopant impurity
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不同热化学还原LiNbO_3:Ti或Mn晶体杂质电荷态和点缺陷 被引量:1
11
作者 刘建成 唐连安 +1 位作者 谭浩然 石春山 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期391-398,共8页
采用光学吸收和电子顺磁共振(ESR)技术表征不同热化学还原LINbO3:Ti,Mli(LN:Ti,Mn)和纯的Li/Nb=0.945一致熔化LiNbO3(LN)晶体的热力学还原习性.将LN:Ti(厚度为1mm)样品放... 采用光学吸收和电子顺磁共振(ESR)技术表征不同热化学还原LINbO3:Ti,Mli(LN:Ti,Mn)和纯的Li/Nb=0.945一致熔化LiNbO3(LN)晶体的热力学还原习性.将LN:Ti(厚度为1mm)样品放在Li2CO3中、600℃、保温7h,产生690urn(~1.8eV,T=67%)和峰值靠近785nm(T=71%)的770 ̄810nm光学吸收带,它们分别对应于Ti(3+)的2T→2E跃迁以及室温稳定F+心滞有一个电子的氧空位).经真空1.2Pa,800℃2h还原后,存在峰值为675nm(T=52%)的480~780nm平滑吸收带,它们是Ti(3+)、F心和F+心重叠吸收,但是,在Ar气氛下、900℃、8h处理后,仅能看到峰值在675nm(T=52%)的600~780nmTi(3+)的弱吸收.来自未处理LN:Ti晶体的室温和X带的ESR$观察到g=4.348,共振磁场0.152TH(p-p)=0.0163T微波吸收峰,以及四组精细结构B线(每一fs线是由6条超精细结构hfs组成),g值从3.460~1.679吸收,它们分别归为于晶体杂质Fe(3+)和Mn(2+)离子.真空还原后,Fe(3+)的? 展开更多
关键词 铌酸锂晶体 掺杂 杂质电荷态 点缺陷
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HT-6M托卡马克杂质输运行为研究 被引量:1
12
作者 林晓东 《深圳大学学报(理工版)》 CAS 1994年第3期1-7,共7页
以HT-6M托卡马克在欧姆加热条件下的氧、碳杂质空间分布的实际测量结果以及该装置背景等离子体的具体特征为基础,建立起杂质输运分析程序,并由此展开模拟分析.结果表明:该装置氧、碳杂质的浓度分别为5%ne和3%ne(ne... 以HT-6M托卡马克在欧姆加热条件下的氧、碳杂质空间分布的实际测量结果以及该装置背景等离子体的具体特征为基础,建立起杂质输运分析程序,并由此展开模拟分析.结果表明:该装置氧、碳杂质的浓度分别为5%ne和3%ne(ne为电子密度),杂质输运行为是反常的;扩散系数为2.0m2·s-1,有效电荷数Zeff接近4. 展开更多
关键词 托卡马克 等离子体 杂质输运 有效电荷数
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等效电荷变换法及其在量子环研究中的应用
13
作者 吴洪 《集美大学学报(自然科学版)》 CAS 2010年第6期478-480,共3页
利用等效电荷变换法,把三维空间中的杂质电荷对位于X-Y平面上量子环的影响,用一个在X-Y平面上(或X轴上)的虚拟等效电荷取代,从而使计算简化,对结果的分析更加清晰,物理图像更加明确.
关键词 量子环 杂质电荷 等效变换公式
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四阀四柱分析流程在检测含氟特种气体中杂质的应用与探索 被引量:1
14
作者 李聪 王冲 李智 《低温与特气》 CAS 2014年第6期31-36,49,共7页
近些年来含氟特种气体市场需求不断的加大,高纯含氟气体生产工艺数据的分析与产品质量的检测对氦离子气相色谱仪提出了更高的要求,本公司就CF4中NF3杂质及SF6中O2、N2、CF4、CH4、C2F6、SO2F2、C3F8等杂质检测在GC-126PDD四阀四柱分析... 近些年来含氟特种气体市场需求不断的加大,高纯含氟气体生产工艺数据的分析与产品质量的检测对氦离子气相色谱仪提出了更高的要求,本公司就CF4中NF3杂质及SF6中O2、N2、CF4、CH4、C2F6、SO2F2、C3F8等杂质检测在GC-126PDD四阀四柱分析流程上得到很好的解决。 展开更多
关键词 预分离柱 Hayesep R填充柱 NF3杂质 六氟化硫(SF6)中杂质 PDHID氦离子化检测器
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HT-6M托卡马克杂质输运行为研究
15
作者 林晓东 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 2003年第4期39-45,共7页
以HT -6M托卡马克在欧姆加热条件下的氧、碳杂质空间分布的实际测量结果及该装置背景等离子体的具体特征为基础 ,建立起杂质输运分析程序 ,并由此展开模拟分析 .结果表明 ,该装置氧、碳杂质的浓度分别为 5 %ne和 3 %ne(ne为电子密度 ) ... 以HT -6M托卡马克在欧姆加热条件下的氧、碳杂质空间分布的实际测量结果及该装置背景等离子体的具体特征为基础 ,建立起杂质输运分析程序 ,并由此展开模拟分析 .结果表明 ,该装置氧、碳杂质的浓度分别为 5 %ne和 3 %ne(ne为电子密度 ) ,杂质输运行为是反常的 ;扩散系数为 2 0m2 ·s- 1,有效电荷数Zeff接近 展开更多
关键词 HT-6M托卡马克 杂质输运 受控热核聚变 欧姆加热 等离子体 平衡理论 有效电荷数
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ZrO_2-Y_2O_3∶Co或Ce晶体热处理前后的杂质电荷态和禁带迁移
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作者 刘建成 胡百柳 +2 位作者 张道标 付林堂 王晓泽 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第1期21-26,共6页
空气中生长(YSZ)ZrO_2-Y_2O_3(88∶12mol%)∶0.3wt%CoO 晶体的透射光谱呈现二个部分:<500nm 短波部分强的非结构吸收归为 Co^(3+)+O^(2-)→Co^(2+)+O^-电荷转移;以及六配位 Co^(2+)离子特征吸收,~4T_1(F)→~4T_1(P)560nm 和~4T_1(F)... 空气中生长(YSZ)ZrO_2-Y_2O_3(88∶12mol%)∶0.3wt%CoO 晶体的透射光谱呈现二个部分:<500nm 短波部分强的非结构吸收归为 Co^(3+)+O^(2-)→Co^(2+)+O^-电荷转移;以及六配位 Co^(2+)离子特征吸收,~4T_1(F)→~4T_1(P)560nm 和~4T_1(F)→~4A_2(F)605nm.该晶体经木炭包裹下加热到900℃后,除了禁带从3.97ev 变为4.43eV 外,短波部分和500~800nm(特别是500~605nm)范围吸收降低,然而,整个谱形尚无变化.未处理晶体包含 Co^(3+)和 Co^(2+),特殊热处理使 Co^(3+)转化为 Co^(2+),晶体由紫色变为蓝色.原来吸收边(3.97eV)是氧的 p 价带的电子到 Co^(2+)+F^+激发态造成的,4.43eV 新的吸收边认为是直接光学还原 Zr^(4+)→Zr^(3+)以及部分未还原 Co^(2+)离子共同作用.YSZ∶0.3wt%CeO_2晶体经真空、1300℃、6h 还原后,连结 Ce^(3+)离子基态~4F_(5/2)(4f)到5d 态跃迁的380~600nm(峰值在460nm)宽带吸收增加,晶体颜色由浅黄色变为桔黄.它的禁带由4.00eV 变为4.43eV.为了证实 YSZ∶Ce 晶体缺陷结构的存在和杂质离子价态,测量了这个晶体热处理前后的电子顺磁共振(ESR).由单电荷(Y_(Zr)V_0)′自由自旋和 Fe^(3+)离子的 ESR 信号变化,反推铈杂质在 YSZ 晶体中的价态变化. 展开更多
关键词 氧化物 晶体 热处理 杂质电荷态
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单层MoS_(2)全包覆晶体管的电学性能极限
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作者 张文博 梁斌熙 +4 位作者 唐家晨 陈健 万青 施毅 黎松林 《Science Bulletin》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第18期2025-2032,M0003,共9页
基于二维过渡金属硫化物的全包覆晶体管是后硅时代的理想电子器件,从玻尔兹曼输运理论出发,在考虑载流子的主要外秉散射机制后,针对三种典型的栅介质(Al_(2)O_(3),HfO_(2)和BN)构筑的单层MoS_(2)晶体管的电学性能进行了系统的理论研究... 基于二维过渡金属硫化物的全包覆晶体管是后硅时代的理想电子器件,从玻尔兹曼输运理论出发,在考虑载流子的主要外秉散射机制后,针对三种典型的栅介质(Al_(2)O_(3),HfO_(2)和BN)构筑的单层MoS_(2)晶体管的电学性能进行了系统的理论研究。为解决介质中表面光学声子散射被高估这一常见问题,使计算更为准确,在电介质和沟道间的建模中引入了“死区”概念。重点针对微电子1nm及以下技术节点用途晶体管的电荷迁移率和电流密度等指标进行了探讨.研究表明,在沟道长度小于10nm的情况下,晶体管开态电流均可超2mAμm。上述结果阐明了基于单层半导体构筑晶体管在终极微缩条件下的性能潜力,对深度摩尔器件设计具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 Two-dimensional materials Field-effect transistors charge mobility charged impurities charge scattering More-Moore electronics
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机采棉清杂系统的钉床式荷电装置与试验
18
作者 张洪洲 邹乐乐 +2 位作者 范非凡 李勇 刘媛杰 《农机化研究》 北大核心 2017年第5期118-121,共4页
针对机采籽棉清杂工序中荷电效果不佳的现实问题,提出了一种钉床式荷电方法。以MCU为主控制单元,设计了一款钉床式荷电控制系统。在荷电极板面上均匀分布且垂直于极板面的长度为5cm的金属钉,控制器控制静电发生器产生高压静电,通过荷电... 针对机采籽棉清杂工序中荷电效果不佳的现实问题,提出了一种钉床式荷电方法。以MCU为主控制单元,设计了一款钉床式荷电控制系统。在荷电极板面上均匀分布且垂直于极板面的长度为5cm的金属钉,控制器控制静电发生器产生高压静电,通过荷电极板上的金属钉放电,将平铺在极板间的机采棉荷电。试验结果表明:与无金属钉的荷电极板相比,机采棉荷电均匀,荷电速度提高了8%,效果良好。该研究可为机采棉静电清杂应用提供参考。 展开更多
关键词 机采棉 清杂 钉床 荷电
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