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Ni-Cr桥膜换能元的制备
被引量:
11
1
作者
解瑞珍
任小明
+3 位作者
王可暄
薛艳
彭志明
卢斌
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期584-587,共4页
为了制作出阻值一致性好,发火电压低的金属桥膜换能元,对Ni-Cr薄膜换能元制作过程中的薄膜溅射、刻蚀等工艺进行了探索,并对制作的换能元参数进行了测试。结果显示随着溅射功率的减小,薄膜的沉积速率减小,成膜致密性提高;在一定范围内,...
为了制作出阻值一致性好,发火电压低的金属桥膜换能元,对Ni-Cr薄膜换能元制作过程中的薄膜溅射、刻蚀等工艺进行了探索,并对制作的换能元参数进行了测试。结果显示随着溅射功率的减小,薄膜的沉积速率减小,成膜致密性提高;在一定范围内,刻蚀液中高氯酸所占的比例越大,刻蚀用时越短。制作的Ni-Cr薄膜换能元电阻的一致性较好,在47μF电容情况下发火电压均值为6.67 V。
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关键词
物理化学
火工品
Ni-Cr薄膜
溅射
刻蚀
换能元
发火电压
下载PDF
职称材料
题名
Ni-Cr桥膜换能元的制备
被引量:
11
1
作者
解瑞珍
任小明
王可暄
薛艳
彭志明
卢斌
机构
陕西应用物理化学研究所应用物理化学重点实验室
出处
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期584-587,共4页
基金
陕西省应用物理化学重点实验室基金(9140C370205090C37)
文摘
为了制作出阻值一致性好,发火电压低的金属桥膜换能元,对Ni-Cr薄膜换能元制作过程中的薄膜溅射、刻蚀等工艺进行了探索,并对制作的换能元参数进行了测试。结果显示随着溅射功率的减小,薄膜的沉积速率减小,成膜致密性提高;在一定范围内,刻蚀液中高氯酸所占的比例越大,刻蚀用时越短。制作的Ni-Cr薄膜换能元电阻的一致性较好,在47μF电容情况下发火电压均值为6.67 V。
关键词
物理化学
火工品
Ni-Cr薄膜
溅射
刻蚀
换能元
发火电压
Keywords
physical
chemistry
initiation
explosive
device
Ni-Cr
film
sputtering
etching
igniting
resistor
firing
voltage
分类号
TB43 [一般工业技术]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ni-Cr桥膜换能元的制备
解瑞珍
任小明
王可暄
薛艳
彭志明
卢斌
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
11
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