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热丝CVD法制备大面积高质量金刚石薄膜
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作者 程彬吉 杨国文 +2 位作者 陈继平 高德耀 袁凤池 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期63-65,共3页
采用热丝ＣＶＤ设备与工艺，在直径为４１ｍｍ的单晶硅基体上，以丙酮为碳源，在高纯Ｈ２的作用下，成功地合成了（１１１）取向的高质量金刚石大膜。Ｘ射线、ＳＥＭ和拉曼光谱分析表明，所合成金刚石大膜的纯度高、厚度均匀、化学性能... 采用热丝ＣＶＤ设备与工艺，在直径为４１ｍｍ的单晶硅基体上，以丙酮为碳源，在高纯Ｈ２的作用下，成功地合成了（１１１）取向的高质量金刚石大膜。Ｘ射线、ＳＥＭ和拉曼光谱分析表明，所合成金刚石大膜的纯度高、厚度均匀、化学性能稳定，其结构和性能与天然金刚石的十分接近。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 cvd 制备 薄膜
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