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Influence of the gravity on interface shape during crystal growth of LICAF
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作者 刘永才 陈万春 《Science China Mathematics》 SCIE 2000年第4期430-438,共9页
A Galerkin finite element method, together with the boundary conformal mapping technique, is used to investigate the change of melWcrystal interface under low gravity during the growth of LEAF system. Results have sho... A Galerkin finite element method, together with the boundary conformal mapping technique, is used to investigate the change of melWcrystal interface under low gravity during the growth of LEAF system. Results have shown that strong convection can cause a deeply concave interface toward the crystal, and significantly increase radial thermal gradients near the interface. The flow intensity and the change of the gravity have a linear relationship under low gravity (g o u = 10?2-10?6). At smallMa number, the maximum acceleration for keeping a planar growth interface is gmax = 1 × 10?3 g under our given conditions. In addition, the growth velocity may have some influence on the growth interface shape even atpg gravity level, indicating that the growth velocity cannot be too fast even when convection is very weak. 展开更多
关键词 finite element method CONVECTION horizontal bridgman melt/crystal interface.
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砷化镓晶体生长设备的发展回顾 被引量:2
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作者 冯丰 王军红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期635-639,共5页
作为第二代半导体材料的代表,化合物半导体材料GaAs具有许多不同于Si、Ge材料的特性,能够广泛应用于发光器件(激光器,发光二极管)、光探测器(光探测器)以及高频器件等领域。为了充分利用其固有的半导体特性,提高其晶体材料的完整性,优... 作为第二代半导体材料的代表,化合物半导体材料GaAs具有许多不同于Si、Ge材料的特性,能够广泛应用于发光器件(激光器,发光二极管)、光探测器(光探测器)以及高频器件等领域。为了充分利用其固有的半导体特性,提高其晶体材料的完整性,优化生产工艺,降低生产成本,国内外的研究人员开发了不同类型的专用于砷化镓单晶材料的生产设备。回顾总结了砷化镓晶体生长设备的发展历程,包括砷化镓材料的合成设备、晶体生长设备,重点介绍了目前成熟的VB、VGF单晶炉的性能特点,对比介绍了业内较为代表的设备类型,展望了砷化镓单晶炉的未来发展趋势。 展开更多
关键词 GAAS 单晶 设备 垂直布里奇曼(VB) 水平布里奇曼(HB) 垂直梯度凝固 (VGF)
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单晶水平定向凝固法 被引量:1
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作者 韩杰才 李长青 +3 位作者 张明福 左洪波 孟松鹤 姚泰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期10-15,共6页
水平定向凝固法是制备低位错单晶体的重要方法,论述了水平定向凝固法的优点和缺点,并报道了水平定向凝固法的特点,温度分布,以及水平定向凝固法的数字模拟的方面的工作。
关键词 水平定向凝固法 单晶生长 数字模拟
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新型热电SnSe半导体晶体研究进展 被引量:1
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作者 金敏 李雨萌 +2 位作者 申慧 田甜 徐家跃 《应用技术学报》 2018年第2期100-105,共6页
SnSe晶体是一种新型Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体热电材料,具有极低的本征热导率和超高的热电优值ZT,因兼具有高性能、环境友好以及成本低廉等综合优势,近些年正成为国际上争相研究的热点。然而SnSe晶体属于层状结构材料且热膨胀性复杂,导致晶... SnSe晶体是一种新型Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体热电材料,具有极低的本征热导率和超高的热电优值ZT,因兼具有高性能、环境友好以及成本低廉等综合优势,近些年正成为国际上争相研究的热点。然而SnSe晶体属于层状结构材料且热膨胀性复杂,导致晶体在生长过程中极易出现解理和开裂,难以获得大尺寸晶体。本文对当前国内外几种主流SnSe晶体生长方法进行了归纳,包括水平气相法、垂直布里奇曼法、垂直温度梯度法等,综合评价了各种方法的优缺点。重点介绍了本团队在水平布里奇曼法生长SnSe晶体方面的研究结果,该方法有望成为未来制备高质量、大尺寸SnSe晶体的一种主流技术。此外,还将不同SnSe晶体的热电优值ZT进行了比较,并对其性能波动进行了初步分析。本综述论文将有助于加深人们对SnSe晶体生长特性的认识,并为未来该晶体材料制备和性能研究提供参考。 展开更多
关键词 SnSe晶体 热电材料 晶体生长 水平布里奇曼法
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掺Si补偿Cu高阻n-GaAs单晶
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作者 武壮文 郑安生 +3 位作者 于洪国 赵静敏 袁泽海 张海涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期961-963,987,共4页
用水平布里奇曼法(HB法)研制掺Si补偿Cu的n-GaAs高阻单晶。既要提高多晶背景纯度,减少总杂质含量(包括减少掺Cu量和掺Si量,单晶中Cu的质量分数要≤2.00×10-5,Si的质量分数要≤1.00×10-6),又要采用熔体Cu,Si双掺的方法生长单晶... 用水平布里奇曼法(HB法)研制掺Si补偿Cu的n-GaAs高阻单晶。既要提高多晶背景纯度,减少总杂质含量(包括减少掺Cu量和掺Si量,单晶中Cu的质量分数要≤2.00×10-5,Si的质量分数要≤1.00×10-6),又要采用熔体Cu,Si双掺的方法生长单晶,将单晶切片,并划成圆片,然后分组放入炉内在确定温度下和一定时间内进行退火。研制中发现Cu主要集中在晶体表面,导致同一晶片的上部呈p型高阻,而中下部呈n型低阻,退火可使Cu在晶片中均匀分布。 展开更多
关键词 掺Si补偿Cu n型GaAs 高阻 HB法
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