微波消解样品-电感耦合等离子体质谱法测定高纯金属硅中痕量硼 被引量：13

1

作者 成勇 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期82-84,共3页

提出了用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定高纯硅中痕量硼。高纯硅样品在密闭消解罐中用硝酸及氢氟酸混合酸进行微波加热消解,所得溶液用于ICP-MS测定其中的硼量,对基体和质谱干扰做了试验。质谱测定中选用铍作为内标以补偿信号漂移... 提出了用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定高纯硅中痕量硼。高纯硅样品在密闭消解罐中用硝酸及氢氟酸混合酸进行微波加热消解,所得溶液用于ICP-MS测定其中的硼量,对基体和质谱干扰做了试验。质谱测定中选用铍作为内标以补偿信号漂移和基体效应,对样品的微波消解参数及测定时仪器的工作条件做了系统试验,并选定了优化的条件,所选用硼的同位素11B和12B均不受其它同量异位素及多原子离子等的质谱重叠干扰。对方法的回收率及精密度做了试验,所得结果为11B的回收率在98%～110%之间,12B的回收率在96%～107%之间,相对标准偏差(n=8)则依次为2.9%和2.8%,测得方法的检出限为4 ng·L-1(11B)和8 ng·L-1(12B)。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体质谱法 微波消解试样 痕量硼 高纯硅

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高纯硅中痕量元素分析方法研究进展 被引量：7

2

作者 刘洁 钱荣 +1 位作者 卓尚军 何品刚 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期121-127,共7页

综述了从1980-2012年间测定高纯硅中痕量元素分析方法的研究进展。高纯硅中痕量元素的主要分析方法包括红外光谱法、原子发射光谱法、原子吸收光谱法、X射线荧光光谱法、极谱法、离子探针与离子色谱法、二次离子质谱法、辉光放电质谱法... 综述了从1980-2012年间测定高纯硅中痕量元素分析方法的研究进展。高纯硅中痕量元素的主要分析方法包括红外光谱法、原子发射光谱法、原子吸收光谱法、X射线荧光光谱法、极谱法、离子探针与离子色谱法、二次离子质谱法、辉光放电质谱法、电感耦合等离子体质谱法等;并对高纯硅中痕量元素的分析方法进行了展望(引用文献59篇)。 展开更多

关键词 高纯硅 痕量元素 综述

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低碳高效的太阳能级硅制备新技术 被引量：3

3

作者 汪新 肖巍 +3 位作者 尹华意 毛旭辉 朱华 汪的华 《武汉大学学报（工学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期804-808,共5页

对固态二氧化硅在850℃氯化钙熔盐中的伏安行为分析的基础上,通过系统研究了二氧化硅粉末压片在850℃氯化钙熔盐中恒电位电解产物的物相和纯度,确定了通过熔盐电解法制备单质硅的电位范围.实验结果表明,熔盐电解二氧化硅制备单质硅合适... 对固态二氧化硅在850℃氯化钙熔盐中的伏安行为分析的基础上,通过系统研究了二氧化硅粉末压片在850℃氯化钙熔盐中恒电位电解产物的物相和纯度,确定了通过熔盐电解法制备单质硅的电位范围.实验结果表明,熔盐电解二氧化硅制备单质硅合适的电解电位范围为0.65V(vs.Ca/Ca2+)至1.15V.通过在此电位范围内恒电位电解产物纯度和能量效率分析,明确了熔盐电解制备单质硅最优化的电解电位为0.85V,此时电解产物纯度高达99.41%,电流效率为79.3%,电解能耗为11.5kWh/kg Si.上述结果表明,熔盐电解法制备单质硅与传统碳热还原法相比在能量效率和产物纯度上具有优势.通过电解产物杂质来源的分析,提出进一步提高产物纯度以达到太阳能级硅要求的措施,为通过熔盐电解法直接制备太阳能级硅提供了科学基础. 展开更多

关键词 熔盐电解 太阳能硅 二氧化硅 恒电位电解 高纯硅

原文传递

表面氧含量对高纯硅粉高温氮化行为的影响 被引量：1

4

作者 兰宇 李兵 +4 位作者 周子皓 张以纯 尹传强 魏秀琴 周浪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第16期2719-2722,共4页

研究了表面氧含量对高纯硅原料在氮氢气氛下直接氮化行为的影响,并合成高α相氮化硅。研究结果表明,硅粉在氮氢气氛下1 350℃保温3h,氮化产物中α-Si_3N_4含量随原料氧含量的增加呈先增加后减少的趋势,当硅原料表面氧含量为3.91%时,氮... 研究了表面氧含量对高纯硅原料在氮氢气氛下直接氮化行为的影响,并合成高α相氮化硅。研究结果表明,硅粉在氮氢气氛下1 350℃保温3h,氮化产物中α-Si_3N_4含量随原料氧含量的增加呈先增加后减少的趋势,当硅原料表面氧含量为3.91%时,氮化产物中α-Si_3N_4含量可达97%以上,残留硅含量低于1%,产物中部氧含量为1.71%,在此环境下硅粉氮化主要以化学气相沉积的方式进行,产物形貌以杆状α-Si_3N_4晶须为主。硅原料表面氧含量低于4.38%时,氮化产物α-Si_3N_4含量均在95%以上,另有少量的β-Si_3N_4和残留硅,XRD测试精度范围内无氮氧化硅相存在。当硅原料氧含量高于5.61%时,产物中则出现氮氧化硅,随着原料氧含量增加,氮氧化硅含量明显上升。当硅原料氧含量低于5.61%时,残留硅含量随氧含量增加明显减少,说明原料中氧的增加可以显著加快氮化速率,降低氮化产物中残留硅的含量。 展开更多

关键词 α-氮化硅 氧含量 直接氮化法 高纯硅粉 氮氧化硅

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铬天青S光度法及非线性拟合测定高纯硅中微量铝 被引量：1

5

作者 傅翠梨 卢成浩 +4 位作者 张蓉 黄平平 吴浩 罗学涛 李锦堂 《岩矿测试》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期132-137,共6页

铬天青S光度法是硅中铝含量的测定方法之一,该方法的标准曲线大多采用不过零点的线性拟合,导致低铝含量测定误差大。为提高方法准确度并降低方法检出限,研究了铝标准曲线低浓度部分的拟合问题,探讨了不同拟合模型对检测结果准确度的影... 铬天青S光度法是硅中铝含量的测定方法之一,该方法的标准曲线大多采用不过零点的线性拟合,导致低铝含量测定误差大。为提高方法准确度并降低方法检出限,研究了铝标准曲线低浓度部分的拟合问题,探讨了不同拟合模型对检测结果准确度的影响。实验结果表明,不同浓度铝标准液的吸光度在0～0.3μg/mL范围内并不满足一次函数线性关系,采用三次函数关系y=-17.45230x3+10.42883x2+1.04047x(y为扣空白的吸光度,x为铝的质量浓度)拟合能获得良好结果,其相关系数R2为0.99975。利用已知铝含量的硅试液检验该公式,其相对标准偏差(RSD)为2.55%。样品中铝的测定值与电感耦合等离子体发射光谱法测定值吻合。该法可以显著提高低浓度的铝测定的准确性,可用于测定高纯硅中含量在0.55μg/g以上的铝杂质。 展开更多

关键词 高纯硅 铝 铬天青S光度法 标准曲线 函数拟合

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硅价带自旋-轨道分裂的高分辨率光电导谱测定

6

作者 俞志毅 黄叶肖 沈学础 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第5期399-402,共4页

采用高分辨率光电导谱观察到高纯区熔硅单晶中剩余硼受主从基态到各共振激发态的p_1/2系列跃迁谱线.考虑裂开P_1/2价带的非抛物线性,精确得到了硼杂质从基态到P_1/2... 采用高分辨率光电导谱观察到高纯区熔硅单晶中剩余硼受主从基态到各共振激发态的p_1/2系列跃迁谱线.考虑裂开P_1/2价带的非抛物线性,精确得到了硼杂质从基态到P_1/2价带的电离能E₁^*（硼）=88.45±0.01meV,进而获得硅价带的自旋-轨道分裂为△_o=42.62±0.01meV. 展开更多

关键词 硅 光电导谱 价带自旋 轨道分裂

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氟硅酸制备高纯硅副产氟化盐的工艺研究

7

作者 胡专 《河南化工》 CAS 2020年第6期23-25,共3页

概述了国内外高纯硅烷的研究进展,采用氟硅酸制备高纯硅副产氟化盐,分析了实验原料、实验方法、工艺流程、工艺关键点和创新点,对比了该工艺制备高纯硅烷和国内外超大规模集成电路VLSI用硅烷的指标。该技术创新点较多,经济效益、环境效... 概述了国内外高纯硅烷的研究进展,采用氟硅酸制备高纯硅副产氟化盐,分析了实验原料、实验方法、工艺流程、工艺关键点和创新点,对比了该工艺制备高纯硅烷和国内外超大规模集成电路VLSI用硅烷的指标。该技术创新点较多,经济效益、环境效益和社会效益都极其显著,实现了氟硅资源的高效利用。 展开更多

关键词 氟硅酸 高纯硅 氟化盐

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晶硅太阳能电池制备过程中硅渣和金刚石线切割硅废料的回收利用研究进展

8

作者 何乾 范斌 +3 位作者 宋剑飞 邹应萍 伍继君 马文会 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2456-2467,共12页

随着晶硅太阳能电池的快速发展,晶体硅片的需求大幅增加。晶体硅片在生产制备过程中,大量的硅以硅渣和金刚石线切割硅废料的形式流失。硅渣和金刚石线切割硅废料中硅的回收再循环利用对降低晶硅太阳能电池的成产成本、有效解决晶体硅片... 随着晶硅太阳能电池的快速发展,晶体硅片的需求大幅增加。晶体硅片在生产制备过程中,大量的硅以硅渣和金刚石线切割硅废料的形式流失。硅渣和金刚石线切割硅废料中硅的回收再循环利用对降低晶硅太阳能电池的成产成本、有效解决晶体硅片短缺以及环境污染等问题具有重要意义。本文通过对从硅渣和金刚石线切割硅废料中回收制备高纯硅的现有工艺和研究进展进行综述,对不同回收工艺的优势、缺陷以及改进措施进行分析,有助于研究人员选择合理的高纯硅回收策略,为晶硅太阳能电池产业的低成本、绿色可持续发展提供参考。 展开更多

关键词 晶硅太阳能电池 硅渣 金刚石线切割硅废料 高纯硅回收

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高纯硅微粉水萃液中阳离子Na^+、K^+的测定 被引量：4

9

作者 刘兴利 吴永康 《西南民族大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第1期28-31,共4页

用低压离子色谱法测定了高纯硅微粉水萃液中阳离子Na+、K+.以1.44×10-3mol·L-1硝酸溶液为流动相,Na+、K+经色谱柱分离,检出限分别为0.62,1.32μg·mL-1,RSD为1.0％,2.2％;线性范围0~25.00,0~30.00μg·mL-1;加标回收... 用低压离子色谱法测定了高纯硅微粉水萃液中阳离子Na+、K+.以1.44×10-3mol·L-1硝酸溶液为流动相,Na+、K+经色谱柱分离,检出限分别为0.62,1.32μg·mL-1,RSD为1.0％,2.2％;线性范围0~25.00,0~30.00μg·mL-1;加标回收率为96.3～104.5％,97.9~102.1％.该法用于高纯硅微粉水萃液中Na+、K+的测定,简便,准确,快速,实用. 展开更多

关键词 高纯硅微粉水萃液 钠离子 钾离子 测定 低压离子色谱法 半导体分离器件

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高纯二氧化硅制备的研究 被引量：3

10

作者 杨妮 俞小花 +3 位作者 何恩 姚云 侯彦青 谢刚 《矿冶》 CAS 2011年第3期68-71,共4页

本文介绍了国内外制备高纯二氧化硅的现状,研究了在硅石制取高纯二氧化硅过程中,压力与温度对硅石浸出过程的影响,酸种类和螯合剂对产品纯度的影响,以及酸度、陈化条件对二氧化硅粒度的影响。实验表明:在最佳工艺条件下,可制得纯度为99.... 本文介绍了国内外制备高纯二氧化硅的现状,研究了在硅石制取高纯二氧化硅过程中,压力与温度对硅石浸出过程的影响,酸种类和螯合剂对产品纯度的影响,以及酸度、陈化条件对二氧化硅粒度的影响。实验表明:在最佳工艺条件下,可制得纯度为99.9604%,平均粒度为18.37μm的二氧化硅。 展开更多

关键词 高纯二氧化硅 制备 影响因素

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高纯二氧化硅的制备研究进展 被引量：1

11

作者 宋曦婷 刘连利 《渤海大学学报（自然科学版）》 CAS 2010年第2期129-132,共4页

高纯二氧化硅通常是指二氧化硅中含有的金属杂质含量特别低,一般在10ppm乃至1ppm以下,属高性能无机硅材料,已广泛应用于许多高新技术领域,日益受到关注。本文对高纯二氧化硅的制备技术进行了全面介绍,对各种制法的优缺点进行了评述。

关键词 高纯二氧化硅 制备

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ZSN法高纯硅烷气产业化进程与应用前景 被引量：1

12

作者 李毛 肖文德 梁正 《中国煤炭》 2019年第7期88-93,共6页

高纯度硅烷气是电子化工材料、光电子、微电子产业的重要支撑材料之一.2014年9月,中国平煤神马集团与上海交通大学等单位合作,研发出拥有完全自主知识产权的成套工业化硅烷气生产技术,结束了国外技术垄断和国内产品全部依靠进口的历史.... 高纯度硅烷气是电子化工材料、光电子、微电子产业的重要支撑材料之一.2014年9月,中国平煤神马集团与上海交通大学等单位合作,研发出拥有完全自主知识产权的成套工业化硅烷气生产技术,结束了国外技术垄断和国内产品全部依靠进口的历史.介绍了ZSN法高纯硅烷生产工艺流程和优势,分析了战略合作、技术研发、规模化生产及全面占领市场背后的多重助推力量.预判了硅烷这一高端新兴产业的前景. 展开更多

关键词 高纯度硅烷气 ZSN法 横向合作 混合所有制 产业化进程

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红外光谱法分析生产中回收高纯SiCl_4中有机杂质 被引量：1

13

作者 郭峰 杨鸿波 +2 位作者 胡智 谭红 何锦林 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1292-1295,共4页

探索了遵义钛厂海绵钛生产中回收高纯四氯化硅新工艺中有机杂质的红外色谱分析方法。针对四氯化硅极易水解的特点，设计了一套密封取样装置，自制密封红外玻璃样品池，采用FT—IRFTS4000红外光谱仪，在4000～1000cm^-1波段内对高纯四氯... 探索了遵义钛厂海绵钛生产中回收高纯四氯化硅新工艺中有机杂质的红外色谱分析方法。针对四氯化硅极易水解的特点，设计了一套密封取样装置，自制密封红外玻璃样品池，采用FT—IRFTS4000红外光谱仪，在4000～1000cm^-1波段内对高纯四氯化硅样品测量得到红外，光谱，通过与美国Merck公司标准品四氯化硅（99．9999％）红外光谱图对比，发现在2257cm^-1未出现吸收带，可断定样品中不含有三氯氢硅。针对光谱图中3700—3500cm^-1之间-OH的吸收带，选用与四氯化硅极性相似的化学物质CCl4做基体溶液，用三苯基硅醇标准加入法实现了一OH基团的定量分析，相关系数r为0．9963，摩尔吸光系数ε=108L·mol^-1·cm^-1． 展开更多

关键词 海绵钛 回收高纯四氯化硅 红外光谱分析 有机杂质

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铵盐钙盐除杂制备高纯二氧化硅

14

作者 刘晓红 张琪 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期651-654,共4页

以磷肥生产过程中的副产物氟硅酸为原料制备高纯二氧化硅。氟硅酸与氨水反应,得到氟硅酸铵溶液,加入铵盐沉淀钙镁离子,再加入钙盐沉淀铝铁离子,静置后过滤得到净化的氟硅酸铵溶液;将净化液氟硅酸铵与氨水反应生成二氧化硅沉淀,经过滤、... 以磷肥生产过程中的副产物氟硅酸为原料制备高纯二氧化硅。氟硅酸与氨水反应,得到氟硅酸铵溶液,加入铵盐沉淀钙镁离子,再加入钙盐沉淀铝铁离子,静置后过滤得到净化的氟硅酸铵溶液;将净化液氟硅酸铵与氨水反应生成二氧化硅沉淀,经过滤、热洗、干燥、煅烧,得到高纯二氧化硅。样品SiO_2符合国标要求。实验表明,以氟硅酸制备高纯二氧化硅工艺可行。工艺特点是将低附加值的氟硅酸转化为高附加值的高纯SiO_2,铵盐钙盐除杂适宜,反应步骤少、过程简单、操作条件温和。 展开更多

关键词 氟硅酸 氨水 铵盐 钙盐 高纯SiO_2

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电感耦合等离子体质谱法测定高纯氮化硅粉体中痕量元素

15

作者 徐鸿志 陈志伟 +2 位作者 刘东武 魏晓兵 王英 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1134-1136,共3页

高纯氮化硅粉体样品用氢氟酸、硝酸进行微波消解处理,采用电感耦合等离子体质谱法测定所得样品溶液中18种痕量元素的含量。选用合适的同位素和干扰校正方程消除了被测元素的干扰。方法的检出限(3s)在5.2～20.8pg.g-1之间。方法用于高纯... 高纯氮化硅粉体样品用氢氟酸、硝酸进行微波消解处理,采用电感耦合等离子体质谱法测定所得样品溶液中18种痕量元素的含量。选用合适的同位素和干扰校正方程消除了被测元素的干扰。方法的检出限(3s)在5.2～20.8pg.g-1之间。方法用于高纯氮化硅粉体样品中痕量元素的测定,加标回收率在89.2%～105.2%之间,相对标准偏差(n=6)小于10%。 展开更多

关键词 电感耦合等离子体质谱法 高纯氮化硅粉 痕量元素

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单晶硅和多晶硅切割废料浆的回收 被引量：28

16

作者 邢鹏飞 郭菁 +2 位作者 刘燕 庄艳歆 涂赣峰 《材料与冶金学报》 CAS 2010年第2期148-153,共6页

从单晶和多晶硅切割废料浆中综合回收高纯硅、聚乙二醇和碳化硅,对减少环境污染、提高资源利用率有一定意义,特别是如能将切割料浆中最有价值的高纯硅得以回收并再用于制造太阳能电池,这对缓解我国太阳能多晶硅的紧缺、减少多晶硅的进... 从单晶和多晶硅切割废料浆中综合回收高纯硅、聚乙二醇和碳化硅,对减少环境污染、提高资源利用率有一定意义,特别是如能将切割料浆中最有价值的高纯硅得以回收并再用于制造太阳能电池,这对缓解我国太阳能多晶硅的紧缺、减少多晶硅的进口量有重要意义和商业价值.本文简述了单晶硅和多晶硅的生产概况及其切割工艺,重点阐述了国内外切割料浆的回收进展,综合了国内外现有的回收专利技术,将回收工艺概括为固液分离和固体提纯两个主要步骤,并对每个步骤所采用的方法进行了归纳和分类,以供相关企业参考.同时,本文也介绍了国内现有的切割料浆回收企业的概况,以及目前从切割料浆中回收高纯硅的研究进展. 展开更多

关键词 单晶硅 多晶硅 切割料浆 碳化硅 聚乙二醇 高纯硅 回收

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单晶及多晶硅切割废料中的高纯硅回收 被引量：12

17

作者 郭菁 邢鹏飞 +1 位作者 涂赣峰 祁阳 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期103-106,111,共5页

为提高在切割废料中高纯硅的回收率,对沉降方法和条件进行了优化.根据单/多晶硅切割废料浆的物理、化学性质,在m(水)∶m(聚乙二醇)=(8～9)∶1、含有少量无机盐的水溶液体系中,在不同沉降时间和不同固液配比的条件下进行正交试验,通过盐... 为提高在切割废料中高纯硅的回收率,对沉降方法和条件进行了优化.根据单/多晶硅切割废料浆的物理、化学性质,在m(水)∶m(聚乙二醇)=(8～9)∶1、含有少量无机盐的水溶液体系中,在不同沉降时间和不同固液配比的条件下进行正交试验,通过盐酸、氢氟酸进行除杂,最后在1 500～1 600℃下进行硅的铸锭.通过X射线衍射、元素分析和粒径分析研究沉降条件对于最终回收产物的影响.研究表明:在固液比为0.06、沉降时间5 h的条件下,沉降并经过除杂得到的微粉中硅质量分数达到88.52%,碳化硅质量分数为11.46%,富集的微粉经铸锭得到的硅锭纯度为98.71%,硅的回收率达到43.33%. 展开更多

关键词 单晶硅 多晶硅 切割料浆 碳化硅 聚乙二醇 高纯硅 回收

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改进的挥硅-ICP-MS法测定高纯四氯化硅中金属杂质 被引量：8

18

作者 郭峰 谭红 +3 位作者 何锦林 谢锋 曾广铭 宋光林 《福建分析测试》 CAS 2006年第4期7-9,共3页

本文对钛厂回收副产物高纯四氯化硅中的9种金属杂质进行了测定。采用密封针管取样，转移塑料挥气瓶中，恒温水浴锅控制温度（57℃）通入干燥惰性气体（N2），在塑料挥气瓶挥去基体四氯化硅，富集的金属加入硝酸转变成溶液后定容，用电... 本文对钛厂回收副产物高纯四氯化硅中的9种金属杂质进行了测定。采用密封针管取样，转移塑料挥气瓶中，恒温水浴锅控制温度（57℃）通入干燥惰性气体（N2），在塑料挥气瓶挥去基体四氯化硅，富集的金属加入硝酸转变成溶液后定容，用电感耦合等离子质谱法（ICP-MS）直接测定其中Pb、Zn、Mn等9种微量金属杂质。用Rh做内标元素补偿基体效应和灵敏度漂移。样品的加标回收率为98．15-102．0％，相对标准偏差（RSD）为0．9％-3．5％，检出限为0．009-0．051μg／L。 展开更多

关键词 高纯四氯化硅 ICP-MS 金属杂质

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副产SiCl_4生产光纤用高纯SiCl_4 被引量：9

19

作者 袁永春 《四川有色金属》 1999年第1期31-37,共7页

本文探讨了从生产多晶硅副产物中综合回收利用SiCl_4并提纯使其达到生产先导纤维用的质量要求.SiCl_4作为生产光纤光缆的基础原料,其质量好坏直接影响光纤光缆的质量.SiCl_4是工业硅原料与HCl气体合成产物的一部分,其杂质含量很高.研究... 本文探讨了从生产多晶硅副产物中综合回收利用SiCl_4并提纯使其达到生产先导纤维用的质量要求.SiCl_4作为生产光纤光缆的基础原料,其质量好坏直接影响光纤光缆的质量.SiCl_4是工业硅原料与HCl气体合成产物的一部分,其杂质含量很高.研究探讨光纤用SiCl_4中各种杂质元素和其它化合物存在的形态、除去的方法和其对光子传递及光通信的影响和危害,并建立工业化光纤用高纯SiCl_4生产线是本文研究的目的.将生产多晶硅副产物中分离出的粗SiCl_4经二级精馏提纯、化学处理和特殊的充装工艺获得的高纯SiCl_4完全满足了光纤生产的要求.其质量已达到国际先进水平. 展开更多

关键词 光纤 高纯四氯化硅 多晶硅 四氯化硅 生产

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电镀金刚线硅片切割废料杂质溯源及源头控制

20

作者 朱永泽 杨时聪 +2 位作者 谢克强 魏奎先 马文会 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期145-152,共8页

随着中国光伏产业快速发展,单晶硅片需求和产量逐年增加,金刚线硅片切割废料产量随之急剧增加,不仅导致高纯硅资源浪费,还造成严重生态环境问题。硅片切割过程中35%~40%的99.9999%的高纯硅(6N级)生成亚微米硅粉损失,且随着细线化、薄片... 随着中国光伏产业快速发展,单晶硅片需求和产量逐年增加,金刚线硅片切割废料产量随之急剧增加,不仅导致高纯硅资源浪费,还造成严重生态环境问题。硅片切割过程中35%~40%的99.9999%的高纯硅(6N级)生成亚微米硅粉损失,且随着细线化、薄片化等金刚线硅片切割工艺的进步,废料杂质来源变得复杂和多样,增加提纯回收增值利用难度。为了降低回收难度,科学合理制定回收工艺路线、研发高效清洁回收技术以期获得易循环再生的高纯硅废料,进行杂质溯源研究明确其来源及渠道,以通过源头控制实现原料质量的稳定和提升对废料回收利用极为必要。结合单晶硅片切割工艺,基于典型原料分析结果,通过对切片过程相关辅料进行采样和分析,完成硅片切割废料中的杂质溯源研究,并提出了有效的源头控制措施,获得了高品质的原料。结果表明:Al杂质来源于有机添加剂和垫板,Fe和Ni杂质来源于金刚线,Ca杂质来源于工业用水和粘胶,Mg杂质来源于有机添加剂和工业用水,有机C来源于垫板和粘胶。源头控杂后得到的硅片切割废料中Al,Fe及Ca杂质含量大幅下降,分别为1.3×10^(-6),4.3×10^(-6)和5.5×10^(-6)。对硅片切割废料杂质源头控制提升原料品质和提高废料利用效率具有重要意义。 展开更多

关键词 硅片切割废料 高纯硅回收 杂质溯源 源头控制

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