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镧系离子对钛酸钡陶瓷结构的修改在介电领域的进展 被引量：9
1
作者 路大勇 《吉林化工学院学报》 CAS 2008年第1期34-41,共8页
元素周期表中的镧系包含14种元素,作为"现代化学工业维他命",当它们的离子被并入钛酸钡晶格中时,可以大大降低钛酸钡的介电损失、温度系数和晶粒尺寸,适于电子器件微小化和成为替代目前的基于钛酸铅高介电材料的环境友好材料... 元素周期表中的镧系包含14种元素,作为"现代化学工业维他命",当它们的离子被并入钛酸钡晶格中时,可以大大降低钛酸钡的介电损失、温度系数和晶粒尺寸,适于电子器件微小化和成为替代目前的基于钛酸铅高介电材料的环境友好材料,并提高钛酸钡的介电性能.因此,镧系离子对钛酸钡陶瓷结构的修改以提高钛酸钡陶瓷的介电物性在高介电材料基础研究与应用领域成为当前国际上的一个热点.在这篇评论中,系统地评价镧系离子因镧系收缩而并入钛酸钡陶瓷的位占据倾向、介电响应规律、一级相变和扩散相变、以及材料在室温高介电扩散的实现. 展开更多
关键词 镧系元素 钛酸钡 陶瓷 位占据 介电材料 一级相变 扩散相变 缓冲器材料 高介电扩散
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具有HfN/HfO_2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究 被引量：1
2
作者 萨宁 康晋锋 +3 位作者 杨红 刘晓彦 张兴 韩汝琦 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期1419-1423,共5页
研究了HfN/HfO_2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO_2高K栅结构的等效氧化层厚度(EOT)为1·3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO_... 研究了HfN/HfO_2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO_2高K栅结构的等效氧化层厚度(EOT)为1·3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO_2高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO_2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征:HfN/HfO_2栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 展开更多
关键词 高k栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R—D)模型
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利用^(18)O追踪研究退火对InAs/Al_(2)O_(3)堆栈中界面元素扩散行为的影响
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作者 井美艺 冯泽 +10 位作者 刘澳 郑旭 刘晖 王维华 卢峰 程雅慧 罗锋 孔亚萍 李治云 黄荣 董红 《真空电子技术》 2023年第6期57-63,共7页
研究了Al_(2)O_(3)/InAs堆栈在退火前后表面界面的物理和化学,通过X射线光电子能谱仪发现了扩散的In原子总是以氧化态的形式存在,通过湿法去除InAs衬底的氧化物后,利用18 O的水蒸汽预先氧化,再利用飞行时间二次离子质谱分析追踪18 O原子... 研究了Al_(2)O_(3)/InAs堆栈在退火前后表面界面的物理和化学,通过X射线光电子能谱仪发现了扩散的In原子总是以氧化态的形式存在,通过湿法去除InAs衬底的氧化物后,利用18 O的水蒸汽预先氧化,再利用飞行时间二次离子质谱分析追踪18 O原子,发现In原子与界面氧原子各自独立扩散。阐明界面O原子的扩散物理,为Ⅲ-Ⅴ族半导体基器件的应用奠定基础。 展开更多
关键词 高k栅介质 Ⅲ-Ⅴ族半导体 原子层沉积 元素扩散 沉积后退火
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