期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
新型车载遥感卫星接收系统高机动性设计 被引量：3
1
作者 陆和建 姜安 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2009年第5期65-67,共3页
现代高技术条件下的的局部战争对车载遥感站机动性提出了更高的要求,而天线的快速架拆是影响机动站的关键因素。文中简单介绍了一种新型高机动性遥感卫星地面接收系统的组成、主要特点,重点描述了该系统的高机动性设计方法,通过采用虚... 现代高技术条件下的的局部战争对车载遥感站机动性提出了更高的要求,而天线的快速架拆是影响机动站的关键因素。文中简单介绍了一种新型高机动性遥感卫星地面接收系统的组成、主要特点,重点描述了该系统的高机动性设计方法,通过采用虚拟设计、机电液一体化设计、流程设计等技术,实现了大型抛物面天线的自动展开及拆收,极大地提高了车载遥感站的机动性能,具有很好的应用价值。 展开更多
关键词 遥感卫星 接收系统 高机动性 折叠天线 液压
下载PDF
基于结构方程模型的人工智能高层次人才流动对科研绩效的影响研究
2
作者 裴瑞敏 程豪 《今日科苑》 2022年第11期55-67,共13页
人工智能高层次人才是国家重要的科技战略资源和支撑产业发展的重要力量。本文从全球人工智能领域高层次人才的流动角度,构建人才流动对科研绩效影响机制的概念模型,并运用结构方程模型和偏最小二乘算法估计模型参数。研究发现:(1)流动... 人工智能高层次人才是国家重要的科技战略资源和支撑产业发展的重要力量。本文从全球人工智能领域高层次人才的流动角度,构建人才流动对科研绩效影响机制的概念模型,并运用结构方程模型和偏最小二乘算法估计模型参数。研究发现:(1)流动贯穿科研人员职业生涯全生命周期,可以从积累人力资本和社会资本两个维度对个体科研绩效产生影响,但在不同阶段,流动所积累的资本类型有所不同。在教育阶段,流动更多地以不断提升人力资本为主,在工作阶段,流动除了寻求自身人力资本提升外,更重要的是构建科研合作网络,通过增进社会资本提升科研的产出和影响力。(2)产学跨界流动使得科技人力资源在不同部门之间优化配置,对科研人员的科研产出和科研影响力具有促进作用,产学跨界流动虽然能提升人力资本、构建合作网络,但由于不同部门的价值体系不同,进入新环境的适应成本更高,因此对绩效的影响比非跨界流动略低。本研究结论对于合理促进新兴领域科研人员良性有序流动,在产学融合的背景下完善科研评价机制,以及注重新兴领域人才产学协同培养具有一定启示。 展开更多
关键词 高层次人才 人才流动 科研绩效 人工智能
下载PDF
结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响 被引量：3
3
作者 刘燕丽 王伟 +3 位作者 董燕 陈敦军 张荣 郑有炓 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第24期288-294,共7页
基于漂移-扩散传输模型、费米狄拉克统计模型以及Shockley-Read-Hall复合模型等,通过自洽求解薛定谔方程、泊松方程以及载流子连续性方程,模拟研究了材料结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响及其物理机制.结果表明... 基于漂移-扩散传输模型、费米狄拉克统计模型以及Shockley-Read-Hall复合模型等,通过自洽求解薛定谔方程、泊松方程以及载流子连续性方程,模拟研究了材料结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响及其物理机制.结果表明,增加GaN沟道层的厚度(5-15 nm)与InAlN背势垒层的厚度(10-40 nm),均使得器件的饱和输出电流增大,阈值电压发生负向漂移.器件的跨导峰值随Ga N沟道层厚度的增加与InAlN背势垒层厚度的减小而减小.模拟中,各种性能参数的变化趋势均随GaN沟道层与InAlN背势垒层厚度的增加而逐渐变缓,当GaN沟道层厚度超过15 nm、InAlN背势垒层厚度超过40 nm后,器件的饱和输出电流、阈值电压等参数基本趋于稳定.材料结构参数对器件性能影响的主要原因可归于器件内部极化效应、能带结构以及沟道中二维电子气的变化. 展开更多
关键词 N极性面GaN/InAlN 高电子迁移率晶体管 结构参数 电学性能
下载PDF
GaN基HEMT器件的优化设计 被引量：2
4
作者 冯嘉鹏 赵红东 +4 位作者 孙渤 段磊 郭正泽 陈洁萌 姚奕洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期817-821,共5页
针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响... 针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响,分析了不同衬底构成对GaN HEMT器件自热效应的影响,系统研究了GaN HEMT器件相关参数改变对自热效应及器件电学性能的影响。结果表明:Si及金刚石组成的衬底中减小Si层的厚度有利于减小器件的自热效应,降低有源区最高温度。为提高器件性能以及进一步优化GaN基HEMT器件设计提供了一定的理论参考。 展开更多
关键词 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 器件参数 性能 场板 自热效应
下载PDF
GaN HEMT栅工艺优化及性能提升 被引量：1
5
作者 孔欣 陈勇波 +2 位作者 董若岩 刘安 汪昌思 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2020年第2期318-324,共7页
针对0.5μm氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)自对准T型栅工艺,提出一种优化的解决方案。在感应耦合等离子体设备中引入两段法完成氮化硅栅足的干法刻蚀,其中,主刻蚀部分形成具备一定倾斜角度的氮化硅斜面,从而减小栅下沟道电场强度... 针对0.5μm氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)自对准T型栅工艺,提出一种优化的解决方案。在感应耦合等离子体设备中引入两段法完成氮化硅栅足的干法刻蚀,其中,主刻蚀部分形成具备一定倾斜角度的氮化硅斜面,从而减小栅下沟道电场强度并提高栅金属对氮化硅槽填充的完整性;软着陆部分则以极低的偏置功率对氮化硅进行过刻蚀,确保完全清除氮化硅的同时尽量减小沟道损伤。通过器件优化前后各项特性的测试结果对比发现:优化后的器件关态击穿电压从140 V提升至200 V以上,3.5 GHz下输出功率密度从5.8 W/mm提升至8.7 W/mm,功率附加效率(PAE)从55.5%提升至66.7%。无偏置高加速应力试验96 h后,工艺优化后的器件外观无明显变化,最大电流变化<5%,表明器件可靠性良好。 展开更多
关键词 氮化镓高电子迁移率晶体管 栅工艺 电感耦合等离子体刻蚀 性能提升 可靠性
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部